分频器制造技术

本实用新型专利技术涉及一种分频器，包括主线圈Ｌ↓［１］和负载电阻Ｒ，所述主线圈Ｌ↓［１］并联电容Ｃ↓［１］，Ｃ↓［１］与Ｌ↓［１］构成并联谐振，在靠近主线圈Ｌ↓［１］处设有副线圈Ｌ↓［２］，该副线圈Ｌ↓［２］串接电容Ｃ↓［２］通地，Ｌ↓［２］Ｃ↓［２］构成串联谐振电路，在负载电阻Ｒ两端并联有电容Ｃ↓［４］，该负载电阻Ｒ串接Ｌ↓［３］、Ｃ↓［３］、Ｒ↓［３］构成的并联谐振网络。本实用新型专利技术能在通带内提供更平直的响应，通带外提供比二阶１２０ｄｂ滚降率更快的衰减特性，超过１８ｄｂ的滚降特性，使中低单元或中音单元与高音单元之间的干扰大幅减轻。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种分频器，包括主线圈Ｌ↓［１］和负载电阻Ｒ，其特征是：所述主线圈Ｌ↓［１］并联电容Ｃ↓［１］，Ｃ↓［１］与Ｌ↓［１］构成并联谐振，在靠近主线圈Ｌ↓［１］处设有副线圈Ｌ↓［２］，该副线圈Ｌ↓［２］串接电容Ｃ↓［２］通地，Ｌ↓［２］Ｃ↓［２］构成串联谐振电路，在负载电阻Ｒ两端并联有电容Ｃ↓［４］，该负载电阻Ｒ串接Ｌ↓［３］、Ｃ↓［３］、Ｒ↓［３］构成的并联谐振网络。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘铁，
申请(专利权)人：刘铁，
类型：实用新型
国别省市：44[中国|广东]