【技术实现步骤摘要】
晶棒滚圆开槽方法及晶棒滚圆开槽装置
[0001]本申请涉及晶棒加工
，尤其涉及一种晶棒滚圆开槽方法及晶棒滚圆开槽装置。
技术介绍
[0002]半导体材料加工过程中，为了识别硅单晶棒或晶片上特定的结晶方向，一般会在完成单晶棒定向、外圆表面磨削加工之后，进行单晶棒的参考面或者Notch槽的加工。
[0003]目前较为成熟的半导体级单晶硅棒生长的技术方法是区熔法或直拉法，在单晶生长过程中由于籽晶放置的偏斜及单晶生长过程中工艺条件与热场温度梯度的变化，会造成单晶硅棒的直径沿轴向分布差异大，俗称葫芦棒，甚至更有可能会造成单晶硅棒的扭曲产生，出现上述情况，目前较多采用的方法是先将单晶硅棒截断成不同长度的单晶硅段，然后对单个单晶硅段进行滚圆开槽的加工，加工效率低，浪费时间与人力成本。
[0004]单晶硅棒的Notch槽加工，需要检测晶向确定开槽位置然后再进行Notch槽的加工。目前检测晶向最有效便捷的方法是采用X射线定向装置结合布拉格衍射原理进行晶向的寻找，但目前Notch槽检测方式均只检测单晶硅棒或单晶硅块上一个点...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶棒滚圆开槽方法，其特征在于，包括如下步骤：装夹晶棒，第一夹头单元设置有第一夹紧球头，第二夹头单元设置有第二夹紧球头，所述第一夹紧球头和所述第二夹紧球头均可旋转设置，将晶棒的两端分别装夹在所述第一夹紧球头和所述第二夹紧球头上；采集数据，通过数据采集机构沿着晶棒的轴向正向移动采集晶棒的第一轴向数据和与所述第一轴向数据对应的第一外径数据，由所述第一夹紧球头和所述第二夹紧球头将晶棒沿着晶棒的中心轴线旋转90
°
，数据采集机构沿着晶棒的轴向反向移动采集晶棒的第二轴向数据和与所述第二轴向数据对应的第二外径数据；绘制二维的等值线图，当根据所述第一外径数据和所述第二外径数据判断晶棒的装夹位置符合加工要求时，根据所述第一轴向数据、所述第一外径数据、所述第二轴向数据和所述第二外径数据绘制晶棒的外侧面距离晶棒的中心轴线距离的二维的等值线图；磨削晶棒，设置所述等值线图中，相邻的等值线的间距为磨削部的单次磨削量，控制磨削部依次移动至所述等值线图的最高等值线对应晶棒的轴向位置处，优先从所述最高等值线处进行滚磨，直至将晶棒沿轴向的整体外径滚磨到目标外径范围；开槽，确定晶棒的开槽线，根据晶棒旋转角度α、开槽线的轴向长度L及开槽部沿晶棒的轴向移动速度V，计算晶棒在开槽时需要转动的角速度ω＝αV/L，以使开槽部可以沿着开槽线进行开槽。2.根据权利要求1所述的晶棒滚圆开槽方法，其特征在于，还包括：当根据所述第一外径数据和所述第二外径数据判断晶棒的装夹位置不符合加工要求时，根据计算出的距离和角度，通过顶升机构将晶棒的装夹位置调整至符合晶棒加工要求的位置处，并重新进行所述采集数据的步骤。3.根据权利要求2所述的晶棒滚圆开槽方法，其特征在于，所述通过顶升机构将晶棒的装夹位置调整至符合晶棒加工要求的位置处包括：在晶棒沿轴向的两端分别设置第一顶升件和第二顶升件，控制第一顶升件和第二顶升件协同升降将晶棒调整至计算符合晶棒加工要求的位置处。4.根据权利要求1所述的晶棒滚圆开槽方法，其特征在于，所述通过数据采集机构沿着晶棒的轴向正向移动采集晶棒的第一轴向数据和与所述第一轴向数据对应的第一外径数据包括：设置第一探头和第二探头，使所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：修梓翔，刘群，代冰，胡碧波，
申请(专利权)人：万华化学集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。