射频接收模组旁路模式下的无源电路及射频接收模组制造技术

技术编号:36843922 阅读:61 留言:0更新日期:2023-03-15 16:11
本实用新型专利技术提供了一种射频接收模组旁路模式下的无源电路及射频接收模组,其中,所述射频接收模组旁路模式下的无源电路包括信号输入端、第一电容、衰减电路、供电电感、第一晶体管、第二晶体管以及信号输出端。本实用新型专利技术的射频接收模组旁路模式下的无源电路实现了对大功率信号进行衰减的功能,进而可以使大功率信号衰减成所需的功率信号以输出至下一级电路,即解决了现有低噪声放大器的下一级电路低功率需求和射频接收电路接收到过大功率信号之间存在的矛盾。号之间存在的矛盾。号之间存在的矛盾。

【技术实现步骤摘要】
射频接收模组旁路模式下的无源电路及射频接收模组


[0001]本技术涉及信号处理
,尤其涉及一种射频接收模组旁路模式下的无源电路及射频接收模组。

技术介绍

[0002]射频接收电路(射频接收模组)是一种用于接收信号并将其放大后输出至下一级电路的中间电路。
[0003]现有的射频接收电路在接收功率信号时,会存在接收到大功率信号的可能,此时的信号是不需要进行放大,而是需要将功率信号进行衰减,以使大功率信号衰减成所需的功率信号,以输出至下一级电路。
[0004]但现有的射频接收电路中只存在对信号进行放大的功率放大器,并不存在对大功率信号进行衰减的相关电路,即现有射频接收电路并不能对大功率信号进行衰减,相应的则是现有的低噪声放大器的下一级电路低功率需求和射频接收电路接收到过大功率信号之间存在矛盾。
[0005]因此,有必要提供一种射频接收模组旁路模式下的无源电路来解决上述问题。

技术实现思路

[0006]本技术的目的在于提供一种射频接收模组旁路模式下的无源电路,以解决现有的低噪声放大器的下一级电路低功本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种射频接收模组旁路模式下的无源电路,其特征在于,包括信号输入端、第一电容、衰减电路、供电电感、第一晶体管、第二晶体管以及信号输出端;所述第一电容的第一端与所述信号输入端连接,所述衰减电路的第一端与所述第一电容的第二端连接,所述衰减电路的第二端与所述信号输出端连接;所述供电电感的第一端连接至电源电压,所述供电电感的第二端与所述信号输出端连接;所述第一晶体管的栅极与所述信号输入端连接,所述第一晶体管的源极接地;所述第二晶体管的源极与所述第一晶体管的漏极连接,所述第二晶体管的栅极连接至供电电压,所述第二晶体管的漏极分别连接至所述供电电感的第二端及所述信号输出端;所述无源电路处于所述射频接收模组旁路模式时,所述信号输入端接收的信号经过所述衰减电路,并通过所述衰减电路对所述信号输入端输入的信号进行衰减后输出至所述信号输出端。2.如权利要求1所述的射频接收模组旁路模式下的无源电路,其特征在于,所述衰减电路包括第三晶体管、第一电阻、第四晶体管、第二电阻、第五晶体管、第三电阻、第六晶体管、第四电阻以及第五电阻;所述第三晶体管的栅极连接至第一控制极电压,所述第三晶体管的源极作为所述衰减电路的第一端与所述第一电容的第二端连接,所述第一电阻的两端分别连接至所述第三晶体管的源极和所述第三晶体管的漏极;所述第四晶体管的栅极连接至第二控制极电压,所述第四晶体管的源极与所述第三晶体管的漏极连接,所述第二电阻的两端分别连接所述第四晶体管的源极和所述第四晶体管的漏极;所述第五电阻的第一端与所述第四晶体管的漏极连接,所述第五电阻的第二端接地;所述第五晶体管的栅极连接至第三控制极电压,所述第五晶体管的源极与所述第五电阻的第一端连接,所述第三电阻的两端分别连接所述第五晶体管的源极和所述第五晶体管的漏极;所述第六晶体管的栅极连接至第四控制极电压,所述第六晶体管的源极与所述第五晶体管的漏极连接,所述第四电阻的两端分别连接所述第六晶体管的源极和所述第六晶体...

【专利技术属性】
技术研发人员:贾钧浩郭嘉帅
申请(专利权)人:深圳飞骧科技股份有限公司
类型:新型
国别省市:

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