【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于制造流通池的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2020年9月29日提交的美国临时申请序列号63/084,983的权益,该临时申请的内容全文以引用方式并入本文。
[0003]序列表的参考
[0004]通过EFS
‑
Web随附提交的序列表据此全文以引用方式并入。文件名称为ILI197BPCT_IP
‑
2001
‑
PCT_Sequence_Listing_ST25.txt,文件大小为545字节,并且文件的创建日期为2021年9月23日。
技术介绍
[0005]一些可用的核酸测序平台利用边合成边测序方法。利用这种方法,合成新生链,并且以光学和/或电子方式检测生长链中每种单体(例如,核苷酸)的添加。因为模板链指导新生链的合成,人们可根据在合成期间添加到生长链的一系列核苷酸单体推断出模板DNA的序列。在一些示例中,可使用顺序配对末端测序,其中对正向链进行测序和移除,然后对反向链进行构建和测序。在其他示例中,可使用同时配对末端测序,其中同时对正向链和
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种流通池,包括:基座载体;在所述基座载体上方的突出部,所述突出部是与所述基座载体不同的材料;在所述突出部的第一部分上方的第一官能化层;在所述突出部的第二部分上方的第二官能化层;以及分别附接到所述第一官能化层和所述第二官能化层的第一引物组和第二引物组。2.根据权利要求1所述的流通池,其中所述流通池还包括位于所述基座载体与所述突出部之间的疏水层。3.根据权利要求2所述的流通池,其中:所述流通池包括多个所述突出部;并且所述多个突出部中的每个突出部通过所述疏水层的空隙区域与所述多个突出部中的另一个突出部在空间上分离。4.根据权利要求3所述的流通池,其中所述疏水层的所述空隙区域至少基本上不含所述第一官能化层和所述第二官能化层,以及所述第一引物组和所述第二引物组。5.根据权利要求1所述的流通池,其中:所述基座载体包括对紫外线透明的基板;所述突出部包含五氧化二钽;并且所述流通池还包括位于所述基座载体与所述突出部之间的掩模层。6.根据权利要求5所述的流通池,其中:所述流通池包括多个所述突出部;并且所述多个突出部中的每个突出部通过所述基座载体的空隙区域与所述多个突出部中的另一个突出部在空间上分离。7.根据权利要求6所述的流通池,还包括覆盖在所述基座载体的所述空隙区域上面的失活部分,所述失活部分包括失活的第一官能化层或失活的第一引物组。8.根据权利要求1所述的流通池,其中:所述第一引物组包括不可裂解的第一引物和可裂解的第二引物;并且所述第二引物组包括可裂解的第一引物和不可裂解的第二引物。9.一种方法,包括:压印多层叠堆的树脂层以形成多高度凸起区域,所述多高度凸起区域包括具有第一高度的第一区域和具有小于所述第一高度的第二高度的第二区域,其中所述多层叠堆在所述树脂层下方依次包括牺牲层、透明层和至少一个附加层;选择性地蚀刻所述多层叠堆的在所述多高度凸起区域周围的多个部分,以暴露所述至少一个附加层;选择性地蚀刻所述多高度凸起区域,以去除所述树脂层和所述牺牲层的在所述多高度凸起区域的所述第二区域下面的一部分,从而形成至少包括所述透明层并暴露所述透明层的一部分的突出部;在所述多层叠堆上方施加第一官能化层;剥离所述牺牲层和其上的所述第一官能化层,从而暴露所述透明层的第二部分;以及在所述透明层的所述第二部分上方施加第二官能化层。
10.根据权利要求9所述的方法,还包括将相应的引物组附接到所述第一官能化层和所述第二官能化层。11.根据权利要求9所述的方法,其中:所述至少一个附加层是对紫外线透明的基座载体;所述多层叠堆还包括位于所述基座载体与所述透明层之间的掩模层;施加所述第一官能化层将所述牺牲层和所述透明层的所述部分,以及所述基座载体的暴露部分覆盖住;并且所述方法还包括引导紫外线穿过所述基座载体,由此所述掩模层将来自所述透明层的所述紫外线阻挡,并且所述基座载体将所述紫外线透射到所述第一官能化层的在所述基座载体的所述暴露部分上方的部分,在这种情况下,所述紫外线使所述第一官能化层的所述部分失活,或者使所述第一官能化层的所述部分处的第一引物组失活。12.根据权利要求11所述的方法,其中所述紫外线使所述第一官能化层的所述部分失活,并且其中所述方法还包括将相应的引物组附接到所述第一官能化层的活化部分和所述第二官能化层的活化部分。13.根据权利要求9所述的方法,其中:所述至少一个附加层包括疏水层;所述多层叠堆还包括基座载体;并且施加所述第一官能化层将所述牺牲层和所述透明层的所述部分覆盖住,但没有将所述疏水层的暴露部分覆盖住。14.根据权利要求13所述的方法,还包括将相应的引物组附接到所述第一官能化层和所述第二官能化层。15.一种方法,包括:在限定于基板中的凹入部的第一部分上方施加剥离材料,由此所述凹入部的第二部分保持暴露;靠近所述凹入部在空隙区域上方施加阻挡材料,其中所述阻挡材料不同于所述剥离材料;在所述凹入部的所述第二部分上方施加第一官能化层;将所述剥离材料剥离,从而暴露所述凹入部的所述第一部分;在所述凹入部的所述第一部分上方施加第二官能化层;以及将相应的引物组附接到所述第一官能化层和所述第二官能化层。16.根据权利要求15所述的方法,其中施加所述第一官能化层涉及:活化所述凹入部的所述第二部分,以产生表面基团与所述第一官能化层反应;以及沉积所述第一官能化层。17.根据权利要求16所述的方法,其中在活化所述凹入部的所述第二部分之后并且在沉积所述第一官能化层之前将所述剥离材料剥离。18.根据权利要求16所述的方法,其中在活化所述凹入部的所述第二部分以及沉积所述第一官能化层之后将所述剥离材料剥离。19.根据权利要求15所述的方法,其中施加所述第二官能化层涉及:活化所述凹入部的所述第一部分,以产生表面基团与所述第二官能化层反应;以及
沉积所述第二官能化层。20.根据权利要求15所述的方法,其中所述阻挡层包含第二剥离材料,并且其中所述方法还包括将所述阻挡层剥离。21.根据权利要求20所述的方法,其中:i)所述剥离材料包括金属牺牲层,并且所述第二剥离材料包括光刻胶;或者ii)所述剥离材料包括光刻胶,并且所述第二剥离材料包括金属牺牲层。22.根据权利要求15所述的方法,其中所述阻挡层包含疏水性材料。23.根据权利要求15所述的方法,其中:在施加所述剥离材料之前,将所述阻挡材料选择性地施加在所述空隙区域上方;并且在施加所述剥离材料之前,所述方法还包括活化所述凹入部,以产生表面基团与所述第一官能化层和所述第二官能化层中的每一者反应。24.根据权利要求15所述的方法,其中:所述基板包括在基座载体上方的透明层;并且在施加所述剥离材料和所述阻挡材料之前,所述方法还包括:在所述凹入部中产生不溶性光刻胶;当所述不溶性光刻胶存在于所述凹入部中时,从靠近所述凹入部的空隙区域去除所述透明层;以及从所述凹入部中去除所述不溶性光刻胶。25.一种方法,包括:在基板上方施加硅烷化层,所述基板包括由空隙区域分开的凹入部;用牺牲材料填充所述凹入部;从所述空隙区域等离子体蚀刻所述硅烷化层;从所述凹入部去除所述牺牲材料的一部分,以暴露所述凹入部中的所述硅烷化层的第一部分;在所述凹入部中的所述硅烷化层的所述第一部分上方施加第一官能化层;从所述凹入部去除所述牺牲材料的第二部分,以暴露所述凹入部中的所述硅烷化层的第二部分;在所述凹入部中的所述硅烷化层的所述第二部分上方施加第二官能化层;以及将相应的引物组附接到所述第一官能化层和所述第二官能化层。26.一种方法,包括:在限定于基板中的凹入部的第一部分上方施加保护基团,由此所述凹入部的第二部分保持暴露;靠近所述凹入部在空隙区域上方施加剥离材料;将第一官能化层施加在所述凹入部的所述第二部分上方,由此所述保护基团阻止所述第一官能化层施加在所述凹入部的所述第一部分上方;i)去除所述保护基团,或ii)逆转所述保护基团的阻挡状态;在所述凹入部的所述第一部分上方施加第二官能化层;以及将相应的引物组附接到所述第一官能化层和所述第二官能化层。27.根据权利要求26所述的方法,其中去除所述保护基团涉及裂解所述保护基团。
28.根据权利要求26所述的方法,其中逆转所述阻挡状态涉及引发硫醇
‑
二硫化物交换或将所述保护基团暴露于水。29.一种方法,包括:在基板上方施加光刻胶,所述基板包括具有深部分和由台阶部分限定的浅部分的凹形区域;对所述光刻胶进行干法蚀...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。