一种自发热调节方法、装置、系统及移动终端制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种自发热调节方法、装置、系统及移动终端，涉及通信技术领域。该方法包括：在通信模组处于非休眠态的情况下，获取所述通信模组的至少一个印制电路板空置区域的第一实时温度以及基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的第二实时温度；根据所述第一实时温度以及第二实时温度，调节所述通信模组的基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的功率或电压。本发明专利技术实施例的方案，不需要额外的散热装置，在通讯模组处于任何状态时均可以调节自发热，使得通信模组不会因温度过高而出现故障。解决了针对通信模组采用物理降温的散热方法不仅增加了成本，而且需要占用额外的空间的问题。空间的问题。空间的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种自发热调节方法、装置、系统及移动终端


[0001]本专利技术涉及通信
，特别是指一种自发热调节方法、装置、系统及移动终端。

技术介绍

[0002]随着5G基站的普及，5G通信模组在终端中的应用也越来越广泛，涵盖丰富的领域和应用场景。5G通信模组在实现高速率、低时延和大容量的同时，也存在着功耗大、发热大、模组温度上升快的问题。在温度环境恶劣的场景下，模组自身温度的上升将导致整体性能的下降，超过一定温度后模组将无法正常工作，影响用户的使用。目前常用的散热方法多为物理降温，包括配置散热硅脂、散热片、风扇等，物理降温的散热方法不仅增加了成本，而且需要占用额外的空间。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的是提供一种自发热调节方法、装置、系统及移动终端，用以解决相关技术中针对5G通信模组采用物理降温的散热方法不仅增加了成本，而且需要占用额外的空间的问题。
[0004]为达到上述目的，本专利技术的实施例提供一种自发热调节方法，包括：
[0005]在通信模组处于非休眠态的情况下，获取所述通信模组的至少一个印制电路板空置区域的第一实时温度以及基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的第二实时温度；
[0006]根据所述第一实时温度以及第二实时温度，调节所述通信模组的基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的功率或电压。
[0007]进一步地，所述获取所述通信模组的至少一个印制电路板空置区域的第一实时温度，包括：
[0008]获取与印制电路板第一空置区域的第一温度采集电路连接的模数转换器所述采集的第一数值，根据所述第一数值计算所述印制电路板第一空置区域的第一温度；
[0009]获取与印制电路板第二空置区域的第二温度采集电路连接的模数转换器所述采集的第二数值，根据所述第二数值计算所述印制电路板第二空置区域的第二温度；
[0010]其中，所述印制电路板第一空置区域位于印制电路板中基带器件和电源器件的布件区；所述印制电路板第二空置区域位于印制电路板中射频器件的布件区。
[0011]进一步地，所述获取所述通信模组的基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的第二实时温度，包括：
[0012]获取与所述基带芯片的第三温度采集电路连接的模数转换器所述采集的第三数值，根据所述第三数值计算所述基带芯片的第三温度；
[0013]获取与所述主电源芯片的第四温度采集电路连接的模数转换器所述采集的第四数值，根据所述第四数值计算所述主电源芯片的第四温度；
[0014]获取与所述射频电源芯片的第五温度采集电路连接的模数转换器所述采集的第五数值，根据所述第五数值计算所述射频电源芯片的第五温度；
[0015]获取与所述射频功率放大芯片的第六温度采集电路连接的模数转换器所述采集的第六数值，根据所述第六数值计算所述射频功率放大芯片的第六温度。
[0016]进一步地，所述根据所述第一实时温度以及第二实时温度，调节所述通信模组的基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的功率或电压，包括：
[0017]在所述第一温度大于或者等于第一门限的情况下，降低所述基带芯片的工作主频；
[0018]在所述第一温度小于所述第一门限的情况下，根据所述第二实时温度，调节所述通信模组的基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的功率或电压；
[0019]在所述第二温度大于或者等于第二门限的情况下，降低所述射频电源的电压以及射频功率放大芯片的发射功率；
[0020]在所述第二温度小于所述第二门限的情况下，根据所述第二实时温度，调节所述通信模组的基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的功率或电压；
[0021]其中，所述第一门限大于或者等于所述第二门限。
[0022]进一步地，所述在所述第一温度小于所述第一门限的情况下，根据所述第二实时温度，调节所述通信模组的基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的功率或电压，包括：
[0023]若所述第三温度大于第三门限，则降低所述基带芯片的工作主频；
[0024]若所述第四温度大于第四门限，则降低所述通信模组的电源电压；
[0025]其中，所述第三门限大于或者等于所述第四门限，且所述第四门限大于所述第一门限。
[0026]进一步地，所述在所述第二温度小于所述第二门限的情况下，根据所述第二实时温度，调节所述通信模组的基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的功率或电压，包括：
[0027]若所述第五温度大于第五门限，则降低所述射频电源的电压；
[0028]若所述第六温度大于第六门限，则降低所述射频放大芯片的发射功率；
[0029]其中，所述第五门限大于或者等于所述第六门限，且所述第六门限大于所述第一门限。
[0030]进一步地，所述根据所述第一实时温度以及第二实时温度，调节所述通信模组的基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的功率或电压，还包括：
[0031]若所述第一温度大于第一门限，且所述第三温度大于第三门限，则降低所述基带芯片的工作主频；
[0032]若所述第一温度大于第一门限，且所述第四温度大于第四门限，则降低所述通信模组的电源电压；
[0033]若所述第二温度大于第二门限，且所述第五温度大于第五门限，则降低所述射频电源的电压；
[0034]若所述第二温度大于第二门限，且所述第六温度大于第六门限，则降低所述射频功率放大芯片的发射功率；
[0035]其中，所述第一门限大于或者等于所述第二门限，所述第三门限、所述第四门限、所述第五门限以及所述第六门限相等且大于所述第一门限。
[0036]为达到上述目的，本专利技术的实施例提供一种自发热调节装置，应用于通信模组，包括：
[0037]获取模块，用于在通信模组处于非休眠态的情况下，获取所述通信模组的至少一个印制电路板空置区域的第一实时温度以及基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的第二实时温度；
[0038]调节模块，用于根据所述第一实时温度以及第二实时温度，调节所述通信模组的基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的功率或电压。
[0039]为达到上述目的，本专利技术的实施例提供一种自发热调节系统，包括：
[0040]第一温度采集单元，用于采集通信模组的至少一个印制电路板空置区域的第一实时温度；
[0041]第二温度采集单元，用于采集基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的第二实时温度；
[0042]调节单元，用于根据所述第一实时温度以及第二实时温度，调节基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的功率或电压；
[0043]所述第一温度采本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种自发热调节方法，其特征在于，包括：在通信模组处于非休眠态的情况下，获取所述通信模组的至少一个印制电路板空置区域的第一实时温度以及基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的第二实时温度；根据所述第一实时温度以及第二实时温度，调节所述通信模组的基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的功率或电压。2.根据权利要求1所述的自发热调节方法，其特征在于，所述获取所述通信模组的至少一个印制电路板空置区域的第一实时温度，包括：获取与印制电路板第一空置区域的第一温度采集电路连接的模数转换器所述采集的第一数值，根据所述第一数值计算所述印制电路板第一空置区域的第一温度；获取与印制电路板第二空置区域的第二温度采集电路连接的模数转换器所述采集的第二数值，根据所述第二数值计算所述印制电路板第二空置区域的第二温度；其中，所述印制电路板第一空置区域位于印制电路板中基带器件和电源器件的布件区；所述印制电路板第二空置区域位于印制电路板中射频器件的布件区。3.根据权利要求2所述的自发热调节方法，其特征在于，所述获取所述通信模组的基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的第二实时温度，包括：获取与所述基带芯片的第三温度采集电路连接的模数转换器所述采集的第三数值，根据所述第三数值计算所述基带芯片的第三温度；获取与所述主电源芯片的第四温度采集电路连接的模数转换器所述采集的第四数值，根据所述第四数值计算所述主电源芯片的第四温度；获取与所述射频电源芯片的第五温度采集电路连接的模数转换器所述采集的第五数值，根据所述第五数值计算所述射频电源芯片的第五温度；获取与所述射频功率放大芯片的第六温度采集电路连接的模数转换器所述采集的第六数值，根据所述第六数值计算所述射频功率放大芯片的第六温度。4.根据权利要求3所述的自发热调节方法，其特征在于，所述根据所述第一实时温度以及第二实时温度，调节所述通信模组的基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的功率或电压，包括：在所述第一温度大于或者等于第一门限的情况下，降低所述基带芯片的工作主频；在所述第一温度小于所述第一门限的情况下，根据所述第二实时温度，调节所述通信模组的基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的功率或电压；在所述第二温度大于或者等于第二门限的情况下，降低所述射频电源的电压以及射频功率放大芯片的发射功率；在所述第二温度小于所述第二门限的情况下，根据所述第二实时温度，调节所述通信模组的基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的功率或电压；其中，所述第一门限大于或者等于所述第二门限。5.根据权利要求4所述的自发热调节方法，其特征在于，所述在所述第一温度小于所述第一门限的情况下，根据所述第二实时温度，调节所述通信模组的基带芯片、主电源芯片、
射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的功率或电压，包括：若所述第三温度大于第三门限，则降低所述基带芯片的工作主频；若所述第四温度大于第四门限，则降低所述通信模组的电源电压；其中，所述第三门限大于或者等于所述第四门限，且所述第四门限大于所述第一门限。6.根据权利要求4所述的自发热调节方法，其特征在于，所述在所述第二温度小于所述第二门限的情况下，根据所述第二实时温度，调节所述通信模组的基带芯片、主电源芯片、射频电源芯片和射频功率放大芯片中至少一个的功率或电压，包括：若所述第五温度大于第五门限，则...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄俊骁，樊超，张乐，
申请(专利权)人：中国移动通信集团有限公司，
类型：发明
国别省市：