磁传感器制造技术

本申请提供了一种磁传感器。该磁传感器的第一磁阻元件的第一端与第二磁阻元件的第二端连接，并与外部输出连接；第一磁阻元件的第二端与外部电源连接；第一磁阻元件和第二磁阻元件均包括多个MR单元，多个MR单元组成的第一磁阻元件和多个MR单元组成的第二磁阻元件的静态属性部分相同或全部相同；第一磁阻元件的多个MR单元和第二磁阻元件的多个MR单元有不同的连接方式，以使非零磁场下第一磁阻元件和第二磁阻元件的电阻相同。本申请通过设置桥式电路两桥臂部分相同的静态属性和MR单元不同的连接方式使该第一磁阻元件和第二磁阻元件在电阻不同，减少MR单元对磁场的影响。实现输出零点偏离磁场零点的同时，提高检测准确度。提高检测准确度。提高检测准确度。

【技术实现步骤摘要】
磁传感器


[0001]本申请涉及磁传感器领域，具体而言，涉及一种磁传感器。

技术介绍

[0002]为了改变桥式电路线性输出范围，使桥路输出电压零点不在磁场零点。目前常用的方法通常为增加不同于第一磁阻和第二磁阻参考方向的新的第三个磁阻，从而实现桥路输出电压零点偏离磁场零点。或利用硬磁偏置，对自由层形成偏移磁场，从而使得MR电阻输出特性发生变化，根据硬磁偏置提供的磁场大小不同，线性范围变化范围不同，从而改变器件的线性范围。但是上述的方法要么会对磁场产生相应的影响，要么参考方向角度多，实际加工复杂，易产生误差。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本申请实施例的目的在于提供一种磁传感器。能够实现桥路输出电压零点偏离磁场零点的同时，提高检测精度。
[0004]第一方面，本申请实施例提供了一种桥式电路，包括：第一磁阻元件、第二磁阻元件；所述第一磁阻元件的第一端与所述第二磁阻元件的第二端连接，并与外部输出连接；所述第一磁阻元件的第二端与外部电源连接；所述第二磁阻元件的第一端接地；其中，所述第一磁阻元件和所述第二磁阻元件均包括多个MR单元，多个MR单元组成的所述第一磁阻元件和多个MR单元组成的所述第二磁阻元件的静态属性部分相同或全部相同；所述第一磁阻元件的多个MR单元和所述第二磁阻元件的多个MR单元设置不同的连接方式，以使所述第一磁阻元件和所述第二磁阻元件的电阻不同。
[0005]在上述实现过程中，通过设置第一磁阻元件的多个MR单元和第二磁阻元件的多个MR单元不同的连接方式可以使得该第一磁阻元件和第二磁阻元件的电阻不同，使得该桥式电路的输出零点偏离磁场零点。另外，再设置该多个MR单元组成的第一磁阻元件和多个MR单元组成的第二磁阻元件部分相同的静态属性，能够减少MR单元对第一磁阻元件和第二磁阻元件对磁场的影响，提高了检测灵敏度及准确度。
[0006]在一个实施例中，所述静态属性包括MR单元数量、MR单元排布与MR单元特性。
[0007]在上述实现过程中，由于MR单元的数量、排布以及特性可能会对第一磁阻元件或第二磁阻元件所在区域的磁场产生影响，通过将该MR单元的数量、排布以及特性设置为部分相同或全部相同，能够减少MR单元的静态属性对磁场的影响，提高了该桥式电路的检测灵敏度及准确性。
[0008]在一个实施例中，其中，所述第一磁阻元件的多个MR单元部分或全部接入所述桥式电路；所述第二磁阻元件中的多个MR单元部分或全部接入所述桥式电路。
[0009]在上述实现过程中，通过设置该第一磁阻元件的多个MR单元和第二磁阻元件的多个MR单元部分或全部接入桥式电路，在第一磁阻元件和第二磁阻元件设置的MR单元过多时，可以仅部分接入该桥式电路，在保持第一磁阻元件和第二磁阻元件的静态属性相同的
同时，满足了用户实际需求，增加了该桥式电路的应用场景。
[0010]在一个实施例中，所述桥式电路还包括：第三磁阻元件、第四磁阻元件；所述第三磁阻元件的第二端与所述第一磁阻元件的第二端连接，并与外部电源连接；所述第三磁阻元件的第一端与所述第四磁阻元件的第二端连接，并与所述外部输出连接；所述第四磁阻元件的第一端与所述第二磁阻元件的第一端连接，并接地；其中，所述第三磁阻元件和所述第四磁阻元件均包括多个MR单元。
[0011]在上述实现过程中，通过将该桥式电路设置为全桥电路，该全桥电路的第一磁阻元件、第二磁阻元件、第三磁阻元件和第四磁阻元件均包括了多个MR单元，且该第一磁阻元件、第二磁阻元件、第三磁阻元件和第四磁阻元件的MR单元可以根据实际情况设置为相同，或不相同，或部分相同，增加了全桥电路的连接形式，实现了该全桥电路桥臂的多样性，增加了该全桥电路的应用场景。
[0012]在一个实施例中，所述多个MR单元组成的所述第三磁阻元件和多个MR单元组成的所述第四磁阻元件的静态属性部分相同或全部相同；所述第三磁阻元件的多个MR单元和所述第四磁阻元件的多个MR单元连接方式不同。
[0013]在上述实现过程中，通过设置第三磁阻元件的多个MR单元和第四磁阻元件的多个MR单元不同的连接方式可以使得该第三磁阻元件和第四磁阻元件的电阻不同，使得该桥式电路的输出零点偏离磁场零点。另外，再设置该多个MR单元组成的第三磁阻元件和多个MR单元组成的第四磁阻元件部分相同的静态属性，能够减少MR单元对第三磁阻元件和第四磁阻元件对磁场的影响，提高了检测灵敏度及准确度。
[0014]在一个实施例中，所述第一磁阻元件的灵敏方向和所述第四磁阻元件的灵敏方向相同；所述第二磁阻元件的灵敏方向和所述第三磁阻元件的灵敏方向相同；所述第一磁阻元件的灵敏方向和所述第三磁阻元件的灵敏方向不同；所述第二磁阻元件的灵敏方向和所述第四磁阻元件的灵敏方向不同。
[0015]在上述实现过程中，通过设置第一磁阻元件和第二磁阻元件的灵敏方向不同，以及第三磁阻元件和第四磁阻元件的灵敏方向不同，当外磁场在电压由电源端子施加至第一磁阻元件和第二磁阻元件的条件下变化时，输出电压也会相应地改变。因而根据外磁场与输出电压之间的关系，可以确定外磁场的方向和大小，实现了外磁场的方向和大小与输出电压之间的联系，提高了该桥式电路的检测精度。
[0016]在一个实施例中，所述第一磁阻元件、所述第二磁阻元件、所述第三磁阻元件以及所述第四磁阻元件的多个MR单元为Vortex结构。
[0017]在上述实现过程中，通过将多个MR单元设置为Vortex结构，基于Vortex结构能够增加MR单元的调节范围，以提高该桥式电路的灵敏度的调节范围。
[0018]在一个实施例中，所述第一磁阻元件中的多个MR单元接入所述桥式电路的数量和连接方式可调节；所述第二磁阻元件中的多个MR单元接入所述桥式电路的数量和连接方式可调节。
[0019]在上述实现过程中，通过设置该第一磁阻元件中的多个MR单元和第二磁阻元件中的多个MR单元接入桥式电路中的数量和排列顺序可调，在保证了该第一磁阻元件中的多个MR单元和第二磁阻元件中的多个MR单元的静态属性相同或部分相同以减少MR单元对第一磁阻元件和第二磁阻元件对磁场的影响，提高检测准确度的同时，还能满足客户的个性化
需要，增加了该桥式电路的应用场景，且提高了生产效率。
[0020]在一个实施例中，所述第一磁阻元件中的多个MR单元串联连接、并联连接或串并联混合连接；所述第二磁阻元件中的多个MR单元串联连接、并联连接或串并联混合连接。
[0021]在上述实现过程中，通过分别设置第一磁阻元件中的多个MR单元和第二磁阻元件的多个MR单元多种不同的连接方式，能够实现第一磁阻元件中的多个MR单元和第二磁阻元件的多个MR单元的多种可调节的连接方式，增加了第一磁阻元件中的多个MR单元和第二磁阻元件的多个MR单元组合的多样性，进而增加了该第一磁阻元件和第二磁阻元件的电阻可调节的范围，增加该桥式电路的应用场景。
[0022]在一个实施例中，所述第一磁阻元件的多个MR单元和所述第二磁阻元件的多个MR单元以相同阵列布局。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁传感器，包括桥式电路，其特征在于，所述桥式电路包括：第一磁阻元件、第二磁阻元件；所述第一磁阻元件的第一端与所述第二磁阻元件的第二端连接，并与外部输出连接；所述第一磁阻元件的第二端与外部电源连接；所述第二磁阻元件的第一端接地；其中，所述第一磁阻元件和所述第二磁阻元件均包括多个MR单元，多个MR单元组成的所述第一磁阻元件和多个MR单元组成的所述第二磁阻元件的静态属性部分相同或全部相同；所述第一磁阻元件的多个MR单元和所述第二磁阻元件的多个MR单元设置不同的连接方式，以使非零磁场下所述第一磁阻元件和所述第二磁阻元件的电阻相同。2.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，所述静态属性包括MR单元数量、MR单元排布与MR单元特性。3.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，其中，所述第一磁阻元件的多个MR单元部分或全部接入所述桥式电路；所述第二磁阻元件中的多个MR单元部分或全部接入所述桥式电路。4.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，所述桥式电路还包括：第三磁阻元件、第四磁阻元件；所述第三磁阻元件的第二端与所述第一磁阻元件的第二端连接，并与外部电源连接；所述第三磁阻元件的第一端与所述第四磁阻元件的第二端连接，并与外部输出连接；所述第四磁阻元件的第一端与所述第二磁阻元件的第一端连接，并接地；其中，所述第三磁阻元件和所述第四磁阻元件均包括多个MR单元。5.根据权利要求4所述的磁传感器，其特征在于，所述多个MR单元组成的所述第三磁阻元件和多个MR单元组成的所述第四磁阻元件的静态属性部分相同或全部相同；所述第三磁阻元件的多个MR单元和所述第四磁阻元件的多个MR单元连接方式不同。6.根据权利要求4所述的磁传感器，其特征在于，所述第一磁阻元件...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭海平，陶刚，沈卫锋，薛松生，
申请(专利权)人：江苏多维科技有限公司，
类型：发明
国别省市：