热插拔开关同步校正通流实现方法、装置、服务器、设备制造方法及图纸

本发明专利技术属于MOS管驱动技术领域，具体提供一种热插拔开关同步校正通流实现方法、装置、服务器、设备，所述装置包括PCB板卡和设置在PCB板卡上的若干个并联连接的热拔插开关和与热拔插开关数量相同的比较器；将热拔插开关的电源端通过过孔与PCB板的最高电压层连接；该装置还包括控制模块，每个热拔插开关的控制端连接到控制模块；每个热拔插开关连接一个比较器，将每个热拔插开关两端的电压输入到比较器，比较器的输出端连接到控制模块；控制模块，用于输出高电平驱动热拔插开关工作；接收比较器的比较结果并根据比较器输出的比较结果控制调整输入到热拔插开关的信号进而调整热拔插开关的通道大小，以达到让每颗MOS管驱动均衡。衡。衡。

【技术实现步骤摘要】
热插拔开关同步校正通流实现方法、装置、服务器、设备


[0001]本专利技术涉及MOS管驱动
，具体涉及一种热插拔开关同步校正通流实现方法、装置、服务器、设备。

技术介绍

[0002]现有热插拔IC采用电流驱动MOSFET栅极
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源极电压，以电流方式充满MOSFET栅极
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源极电容加上；漏极
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栅极电容Ciss，以达到MOSFETV Vgs＝Vth导通情况发生，后续还须经历米勒平台效应，MOSFET才有办法完全导通，能量才有办法完全通过MOSFET进入负载端，在未完全导通前MOSFET阻抗还未能完全承受输入的能量很有可能烧毁，但这是MOSFET的制程有具有的特性无法消除只能减轻，一旦控制器需要同步驱动多颗MOSFET，驱动的情况就会不平衡，造成MOSFET米勒平台拉长，或者导通电流不平均。
[0003]利用电流驱动器，充满MOSFET寄生电容Ciss＝Cgs+Cgd及Crss＝Cgd所需导通能量，以达到Vgs上升至大于Vth阀值电压，达到导通条件，进而输送能量到负载端。
[0004]利用电流源方式驱动充满MOSFET寄生电容Ciss+Crss产生Vgs电压达到大于Vth导通阀值电压，此方法应用场景扩张成多颗并联MOSFET，造成驱动能力下降，驱动状况质量下降，每个导通MOSFET状况不均匀，并且在关断时也可能出现开关关闭顺序时间差，造成关闭MOSFET不均，在保护时有单一颗承受极大电流情况。

技术实现思路

[0005]利用电流源方式驱动充满MOSFET寄生电容Ciss+Crss产生Vgs电压达到大于Vth导通阀值电压，此方法应用场景扩张成多颗并联MOSFET，造成驱动能力下降可能会不足，驱动状况质量下降，每个导通MOSFET状况不均匀，并且在关断时也可能出现开关关闭顺序时间差，造成关闭MOSFET不均，在保护时有单一颗承受极大电流情况，本专利技术提供一种热插拔开关同步校正通流实现方法、装置、服务器、设备。
[0006]第一方面，本专利技术技术方案提供一种热插拔开关同步校正通流实现方法，热拔插开关数量为多个，所述包括如下步骤：
[0007]设置将多个热拔插开关并联连接，并将热拔插开关的电源端通过过孔与热插拔开关所在PCB板的最高电压层连接；
[0008]设置热拔插开关的控制端连接控制模块；
[0009]设置将每个热拔插开关两端的电压输入到比较器，并设置比较器将比较结果输出到控制模块；
[0010]控制模块控制热拔插开关工作过程中，根据比较器输出的比较结果控制调整输入到热拔插开关的信号进而调整热拔插开关的通道大小。
[0011]作为本专利技术技术方案的进一步限定，每个热拔插开关包括第一MOS管和第二MOS管，设置将多个热拔插开关并联连接，并将热拔插开关的电源端通过过孔与热插拔开关所在PCB板的最高电压层连接的步骤包括：
[0012]将所有第一MOS管的漏极连接作为输入端，将所有第一MOS管的源极连接作为输出端；
[0013]将第一MOS管的栅极与第二MOS管的源极连接；
[0014]第二MOS管的漏极通过过孔与PCB板的最高电压层连接。
[0015]作为本专利技术技术方案的进一步限定，设置热拔插开关的控制端连接控制模块的步骤包括：
[0016]设置将第二MOS管的栅极与用于提供第二MOS管导通电流的控制模块连接。
[0017]作为本专利技术技术方案的进一步限定，设置每个热拔插开关连接一个比较器，将每个热拔插开关两端的电压输入到比较器，并设置比较器将比较结果输出到控制模块的步骤包括：
[0018]设置第一MOS管的漏极连接比较器的第一输入端，第一MOS管的源极连接比较器的第二输入端；
[0019]设置比较器的电源端连接到第二MOS管的源极与第一MOS管的栅极的连接点；
[0020]设置比较器将比较结果输出到控制模块。
[0021]作为本专利技术技术方案的进一步限定，控制模块控制热拔插开关工作过程中，根据比较器输出的比较结果控制调整输入到热拔插开关的信号进而调整热拔插开关的通道大小的步骤包括：
[0022]控制模块控制热拔插开关工作过程中，根据比较器输出的比较结果调整输入到第二MOS管的驱动电平的高低，将每个第一MOS管两端的电压循环输入比较器进而将第二MOS管的Vgs电压逐步调低，直到每个第一MOS管的漏极和源极之间的电压差在设定阈值内，进而实现经过每个第一MOS管的电流相同。
[0023]第二方面，本专利技术技术方案还提供一种根据第一方面所述的方法设计的热插拔开关同步校正通流实现装置，包括PCB板卡和设置在PCB板卡上的若干个并联连接的热拔插开关和与热拔插开关数量相同的比较器；将热拔插开关的电源端通过过孔与PCB板的最高电压层连接；
[0024]该装置还包括控制模块，每个热拔插开关的控制端连接到控制模块；
[0025]每个热拔插开关连接一个比较器，将每个热拔插开关两端的电压输入到比较器，比较器的输出端连接到控制模块；
[0026]控制模块，用于输出高电平驱动热拔插开关工作；接收比较器的比较结果并根据比较器输出的比较结果控制调整输入到热拔插开关的信号进而调整热拔插开关的通道大小。
[0027]作为本专利技术技术方案的进一步限定，每个热拔插开关包括第一MOS管和第二MOS管；
[0028]所有第一MOS管的漏极连接，所有第一MOS管的源极连接；
[0029]第一MOS管的栅极与第二MOS管的源极连接；
[0030]第二MOS管的漏极通过过孔与PCB板的最高电压层连接；
[0031]第二MOS管的栅极与用于提供第二MOS管导通电压的控制模块连接。
[0032]作为本专利技术技术方案的进一步限定，第一MOS管的漏极连接比较器的第一输入端，第一MOS管的源极连接比较器的第二输入端，比较器的电源端连接到第二MOS管的源极与第
一MOS管的栅极的连接点；比较器的输出端连接到控制模块；
[0033]控制模块，用于控制热拔插开关工作过程中，根据比较器输出的比较结果调整输入到第二MOS管的驱动电平的高低，通过循环输入第一MOS管两端的电压到比较器进而将第二MOS管的Vgs电压逐步调低，直到每个第一MOS管的漏极和源极之间的电压差在设定阈值内，进而实现经过每个第一MOS管的电流相同。
[0034]第三方面，本专利技术技术方案提供一种服务器，包括如第二方面所述的热插拔开关同步校正通流实现装置。
[0035]第四方面，本专利技术技术方案提供一种电子设备，包括如第二方面所述的热插拔开关同步校正通流实现装置。
[0036]从以上技术方案可以看出，本专利技术具有以下优点：采取将利用电压方式瞬间转换成电流源，以达到让每颗MOS管驱动均衡，并不会受限于控制器本身驱动能力，并于在MOS管导通期间赋予可调节通道大小。
[0037]此外，本专利技术设计原理可靠，结构简单，具有非常广泛的应用前景。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种热插拔开关同步校正通流实现方法，其特征在于，热拔插开关数量为多个，所述方法包括如下步骤：设置将多个热拔插开关并联连接，并将热拔插开关的电源端通过过孔与热插拔开关所在PCB板的最高电压层连接；设置热拔插开关的控制端连接控制模块；将每个热拔插开关两端的电压输入到比较器，并设置比较器将比较结果输出到控制模块；控制模块控制热拔插开关工作过程中，根据比较器输出的比较结果控制调整输入到热拔插开关的信号进而调整热拔插开关的通道大小。2.根据权利要求1所述的热插拔开关同步校正通流实现方法，其特征在于，每个热拔插开关包括第一MOS管和第二MOS管，设置将多个热拔插开关并联连接，并将热拔插开关的电源端通过过孔与热插拔开关所在PCB板的最高电压层连接的步骤包括：将所有第一MOS管的漏极连接作为输入端，将所有第一MOS管的源极连接作为输出端；将第一MOS管的栅极与第二MOS管的源极连接；第二MOS管的漏极通过过孔与PCB板的最高电压层连接。3.根据权利要求2所述的热插拔开关同步校正通流实现方法，其特征在于，设置热拔插开关的控制端连接控制模块的步骤包括：设置将第二MOS管的栅极与用于提供第二MOS管导通电流的控制模块连接。4.根据权利要求3所述的热插拔开关同步校正通流实现方法，其特征在于，设置每个热拔插开关连接一个比较器，将每个热拔插开关两端的电压输入到比较器，并设置比较器将比较结果输出到控制模块的步骤包括：设置第一MOS管的漏极连接比较器的第一输入端，第一MOS管的源极连接比较器的第二输入端；设置比较器的电源端连接到第二MOS管的源极与第一MOS管的栅极的连接点；设置比较器将比较结果输出到控制模块。5.根据权利要求4所述的热插拔开关同步校正通流实现方法，其特征在于，控制模块控制热拔插开关工作过程中，根据比较器输出的比较结果控制调整输入到热拔插开关的信号进而调整热拔插开关的通道大小的步骤包括：控制模块控制热拔插开关工作过程中，根据比较器输出的比较结果调整输入到第二MOS管的驱动电平的高低，将每个第一MOS管两端的电压循环输入比较器进而将第二MOS管的Vgs电压...

【专利技术属性】
技术研发人员：余智淳，
申请(专利权)人：苏州浪潮智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：