一种显示系统温湿度环境下薄弱环节判断方法技术方案

本发明专利技术提供了一种OLED显示系统在温湿度环境下的薄弱环节判断方法，包括：制备OLED微型显示系统的各色OLED发光器件和对应的各色OLED发光材料薄膜；根据试验参数对系统、发光器件和发光材料薄膜分别进行低温、高温和高温高湿试验，分别测量不同层级试样在低温、高温和高温高湿环境下的显示性能参数；对于同一试样，分别用高温和高温高湿环境下的显示性能参数除以低温环境下的显示性能参数，得到系数m和n，并进一步得到系数n/m；比较不同层级试样的系数m、n和n/m，分别判断高温、高温高湿及高湿对不同层级试样的影响和薄弱环节。本发明专利技术能够将不同温湿度环境对OLED微型显示系统

【技术实现步骤摘要】
一种显示系统温湿度环境下薄弱环节判断方法


[0001]本专利技术属于OLED微型显示器件性能评价
，具体涉及一种显示系统温湿度环境下薄弱环节判断方法。

技术介绍

[0002]OLED微型显示系统具有视角范围大、响应速度快、图像稳定、亮度高、色彩丰富、分辨率高、全固态、具有抗震荡、耐低温等特点，常用于坦克、飞机等现代化武器的显示终端，受温度和湿度影响较大，在高温和高湿环境下易出现寿命变短、亮度降低等问题，目前，国内外通常采用实验室加速试验，通过对试样施加超过自然条件的高温、高湿，采集并记录相关参数的失效或退化数据，对试验数据进行分析建模研究温度、湿度对试样的影响。
[0003]当前温度、湿度对OLED微型显示系统、元器件和显示材料的性能影响评价方法已有了较多研究成果与应用，但仍然存在一些问题需要解决。比如，显示系统、元器件、材料的性能表征参数各不相同，系统级、元器件极、材料极三个层级试验结果相对独立，如何从不同种类的性能表征数据出发比较温度、湿度对三个层级的影响大小，纵向比较温度、湿度在相同条件时对显示系统、元器件、材料三个层级哪个层级影响更大从而找出其薄弱环节较为困难。

技术实现思路

[0004]针对现有技术中的缺陷，本专利技术提供了一种显示系统温湿度环境下薄弱环节判断方法，便于将不同温湿度环境对OLED微型显示系统
‑
元器件
‑
材料不同层级的影响进行比较分析并找出薄弱环节。
[0005]本专利技术提供了一种显示系统温湿度环境下薄弱环节判断方法，包括以下步骤：步骤1，试样制备：制备OLED微型显示系统的各色OLED发光器件和对应的各色OLED发光材料薄膜；各色OLED发光器件是指不同颜色的多种OLED发光器件试样，各色OLED发光材料薄膜是指制得的不同颜色的多种发光材料薄膜试样，包括但不限于红色发光材料薄膜、绿色发光材料薄膜、蓝色发光材料薄膜；步骤2，根据试验参数，对OLED微型显示系统、各色OLED发光器件和各色OLED发光材料薄膜分别进行低温试验、高温试验和高温高湿试验，分别测量不同层级试样在低温、高温和高温高湿环境下的显示性能参数；步骤3，对于同一试样，将低温环境下的显示性能参数作为基准，分别用高温和高温高湿环境下的显示性能参数除以低温环境下的显示性能参数，得到系数m和n，并进一步得到系数n/m；步骤4，比较不同层级试样的系数m、n和n/m，分别判断高温、高温高湿及高湿对不同层级试样的影响和薄弱环节。
[0006]优选地，所述制备OLED微型显示系统对应的各色OLED发光器件，步骤1具体为：对ITO基板进行清洗和烘干，在烘干的ITO基板上蒸镀有机层和电极，采用玻璃基
片加环氧树脂固化的方式对蒸镀后的ITO基板进行包封，得到OLED发光器件；在玻璃基片上制备各色OLED发光材料薄膜。
[0007]优选地，所述各色OLED发光器件包括红色OLED发光器件、绿色OLED发光器件和蓝色OLED发光器件；所述各色OLED发光材料薄膜包括红色OLED发光材料薄膜、绿色OLED发光材料薄膜和蓝色OLED发光材料薄膜。
[0008]优选地，所述步骤还包括：根据OLED微型显示系统的温湿度使用范围确定试验参数。
[0009]优选地，所述试验参数包括低温Tmin、高温Tmax和高湿Hmax。
[0010]优选地，所述低温Tmin和高温Tmax分别是OLED微型显示系统的温度使用范围的最低值和最高值；所述高湿Hmax是OLED微型显示系统的湿度使用范围的最大湿度。
[0011]优选地，所述根据试验参数，对OLED微型显示系统、各色OLED发光器件和各色OLED发光材料薄膜分别进行低温试验、高温试验和高温高湿试验，具体为：对于OLED微型显示系统，分别在低温Tmin下进行低温试验，在高温Tmax下进行高温试验，在高温Tmax高湿Hmax下进行高温高湿试验；对于各色OLED发光器件，分别在低温Tmin下进行低温试验，在高温Tmax下进行高温试验，在高温Tmax高湿Hmax下进行高温高湿试验；对于各色发光材料薄膜，分别在低温Tmin下进行低温试验，在高温Tmax下进行高温试验，在高温Tmax高湿Hmax下进行高温高湿试验。
[0012]优选地，所述分别测量不同层级试样在低温、高温和高温高湿环境下的显示性能参数，具体为：对于OLED微型显示系统，在正常驱动条件下分别测量低温、高温、高温高湿环境下显示屏亮度衰减50％的寿命t
0.5
，并将寿命t
0.5
作为显示系统的显示性能参数；对于各色OLED发光器件，在恒定电流密度下分别测量低温、高温、高温高湿环境下照明面板或显示屏亮度衰减98％的寿命t
0.98
，根据延伸型指数衰减模型计算照明面板或显示屏亮度衰减50％的寿命t
0.5
，并将寿命t
0.5
作为各色OLED发光器件的显示性能参数；对于各色OLED发光材料薄膜，分别测量低温、高温、高温高湿环境下发光薄膜的光致发光效率，并将光致发光效率作为发光材料的显示性能参数。
[0013]优选地，所述延伸型指数衰减模型，具体为：其中，β为常数；t
0.98
为照明面板或显示屏亮度衰减98％的寿命；t
0.5
为照明面板或显示屏亮度衰减50％的寿命。
[0014]优选地，所述m代表高温对试样影响，m越大，表示高温对试样影响越小；所述n代表高温高湿对试样影响，n越大，表示高温高湿对试样影响越小；所述n/m代表高湿对试样影响，n/m越大，表示高湿对试样影响越小。
[0015]有益效果：本专利技术的技术方案，以低温下试样较为稳定的试验结果作为基准，通过将温度、湿度对显示系统、元器件、材料三个不同层级试样的性能参数进行纵向、定量比较，
从而判断温湿度对不同层级试样的影响大小，能够在不破坏试样的前提下快速、准确地找到试样内部薄弱环节。本专利技术针对性解决了通过整机级的试验无法准确、快速判断是哪种环节退化造成的整机退化，以及无法定量比较不同环境对不同部位造成的退化程度的技术问题。
附图说明
[0016]为了更清楚地说明本专利技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。在所有附图中，类似的元件或部分一般由类似的附图标记标识。
[0017]图1为实施例中显示系统温湿度环境下薄弱环节判断方法的流程图；图2为实施例中智能手表OLED微型显示系统红绿蓝发光器件的结构示意图。
具体实施方式
[0018]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0019]本实施例提供了一种显示系统温湿度环境下薄弱环节判断方法，结合图1所示，包括以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示系统温湿度环境下薄弱环节判断方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，试样制备：制备OLED微型显示系统的各色OLED发光器件和对应的各色OLED发光材料薄膜；步骤2，根据试验参数，对OLED微型显示系统、各色OLED发光器件和各色OLED发光材料薄膜分别进行低温试验、高温试验和高温高湿试验，分别测量不同层级试样在低温、高温和高温高湿环境下的显示性能参数；步骤3，对于同一试样，将低温环境下的显示性能参数作为基准，分别用高温和高温高湿环境下的显示性能参数除以低温环境下的显示性能参数，得到系数m和n，并进一步得到系数n/m；步骤4，比较不同层级试样的系数m、n和n/m，分别判断高温、高温高湿及高湿对不同层级试样的影响和薄弱环节。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1具体为：对ITO基板进行清洗和烘干，在烘干的ITO基板上蒸镀有机层和电极，采用玻璃基片加环氧树脂固化的方式对蒸镀后的ITO基板进行包封，得到OLED发光器件；在玻璃基片上制备各色OLED发光材料薄膜。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的各色OLED发光器件包括红色OLED发光器件、绿色OLED发光器件和蓝色OLED发光器件；所述的OLED发光材料薄膜包括红色OLED发光材料薄膜、绿色OLED发光材料薄膜和蓝色OLED发光材料薄膜。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤还包括：根据OLED微型显示系统的温湿度使用范围确定试验参数。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述试验参数包括低温Tmin、高温Tmax和高湿Hmax。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述低温Tmin和高温Tmax分别是OLED微型显示系统的温度使用范围的最低值和最高值；所述高湿Hmax是OLED微型显示系统的湿度使用范围的最大湿度。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据试验参数，对OLED微型显示系统、各色OLED发光器件和各色OLED发光材料薄膜分别进行低温试验、高温试验和高温高湿试验，...

【专利技术属性】
技术研发人员：滕俊鹏，魏小琴，李晗，王振海，
申请(专利权)人：中国兵器装备集团西南技术工程研究所，
类型：发明
国别省市：