确定结晶度的方法以及使用该方法制造显示装置的方法制造方法及图纸

提供了确定结晶度的方法和制造显示装置的方法。该确定结晶度的方法可以包括：获取结晶的多个样本中的每个的拉曼光谱；将表现出多个拉曼光谱当中的具有最大的第一拉曼强度的第一拉曼光谱的第一样本确定为最佳样本；以及将表现出具有在基于第一拉曼强度的第一拉曼强度的范围内的第二拉曼强度的第二拉曼光谱的第二样本确定为第一正常样本。的第二样本确定为第一正常样本。的第二样本确定为第一正常样本。

【技术实现步骤摘要】
确定结晶度的方法以及使用该方法制造显示装置的方法


[0001]本公开总体上涉及确定结晶度的方法以及使用该方法制造显示装置的方法。更具体地，本公开涉及用于确定硅薄膜是否具有不良结晶度的方法以及用于使用该方法制造显示装置的方法。

技术介绍

[0002]显示装置可以包括包含硅的薄膜晶体管。硅的示例可以包括非晶硅和多晶硅。非晶硅可以具有大约0.5cm2/Vs至大约1cm2/Vs的低电子迁移率。多晶硅可以具有大约几十cm2/Vs至几百cm2/Vs的电子迁移率。然而，包括在显示装置中的薄膜晶体管可能需要具有大于或等于在大约几十cm2/Vs至几百cm2/Vs的电子迁移率内的预定标准的电子迁移率的多晶硅。
[0003]在本
技术介绍
部分公开的以上信息仅用于对用于理解技术的背景的理解。然而，技术部分的本背景也可能包括不为在本文中公开的主题的对应有效申请日以前相关领域技术人员已知道或领会的内容的部分的想法、构思或认识。

技术实现思路

[0004]一些实施例提供了具有提高的可靠性的确定结晶度的方法。
[0005]一些实施例提供了使用确定本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种确定结晶度的方法，所述方法包括：获取结晶的多个样本中的每个的拉曼光谱，以获得多个拉曼光谱；将表现出所述多个拉曼光谱当中的具有最大的第一拉曼强度的第一拉曼光谱的第一样本确定为最佳样本；以及将表现出具有在基于所述第一拉曼强度的所述第一拉曼强度的范围内的第二拉曼强度的第二拉曼光谱的第二样本确定为第一正常样本。2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：将表现出具有在基于所述第一拉曼强度的所述第一拉曼强度的所述范围外的第三拉曼强度的第三拉曼光谱的第三样本确定为初始正常样本。3.根据权利要求2所述的方法，进一步包括：获取所述多个拉曼光谱中的每个的半峰全宽；以及将表现出具有小于所述第一样本的所述第一拉曼光谱的半峰全宽的半峰全宽的第四拉曼光谱的第四样本确定为缺陷样本。4.根据权利要求3所述的方法，其中，将所述第四样本确定为所述缺陷样本对所述初始正常样本执行。5.根据权利要求3所述的方法，进一步包括：将表现出具有大于或等于所述第一样本的所述第一拉曼光谱的所述半峰全宽的半峰全宽的第五拉曼光谱的第五样本确定为第二正常样本。6.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：辛彦弼，金明铁，李东勋，徐智勋，林用賱，崔纹诚，禹炫朱，郑锡宇，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：