【技术实现步骤摘要】
电致发光显示装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2021年9月3日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2021
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0117626和2021年12月15日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2021
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0179859的优先权,通过引用的方式将这些韩国专利申请的公开内容引入本文中。
[0003]本公开涉及一种电致发光显示装置,并且更具体地,涉及一种使用氧化物薄膜晶体管的电致发光显示装置。
技术介绍
[0004]近来,随着全面进入信息时代,可视化地显示电信息信号的显示装置正在迅速发展。正在不断地进行各种研究以开发出各种各样的薄且重量轻、功耗低并且具有改进的性能的显示装置。
[0005]作为代表性的显示装置,有液晶显示装置(LCD)、电润湿显示装置(EWD)、有机发光显示装置(OLED)等。
[0006]在显示装置中,包括有机发光显示装置的电致发光显示装置是指自主发光的显示装置。与液 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电致发光显示装置,包括:基板,包括显示区域和设置在所述显示区域外部的非显示区域,所述非显示区域包括面板内栅极(GIP)区域;氧化物薄膜晶体管,设置在所述基板上方;平坦化层,设置在所述氧化物薄膜晶体管上方;阳极,设置在所述平坦化层上方;堤部,设置在所述平坦化层上方并且包括开口部分,所述阳极的一部分通过所述开口部分被暴露;多个坝部,设置在所述GIP区域外部并且由所述平坦化层和所述堤部构造;缓冲层,设置在所述堤部和所述多个坝部上方并且由氮化硅制成;发光部分,设置在所述阳极的暴露部分和所述缓冲层上;以及阴极,设置在所述发光部分上。2.根据权利要求1所述的电致发光显示装置,还包括:氢吸附层,设置在所述多个坝部中。3.根据权利要求1所述的电致发光显示装置,其中,所述多个坝部包括:设置在内侧的第一坝部;以及设置在外侧的第二坝部,并且所述坝部具有梯形形状,所述梯形形状的顶表面比底表面窄。4.根据权利要求3所述的电致发光显示装置,还包括:通过从顶侧依次去除设置在所述平坦化层下方并设置在所述第一坝部和所述第二坝部之间的至少一个绝缘层而构造的沟槽图案,并且所述沟槽图案沿所述多个坝部设置。5.根据权利要求4所述的电致发光显示装置,还包括:设置在所述阴极上方的密封层,其中,所述密封层包括:初级保护膜,设置在所述阴极上方并且被配置为无机绝缘膜;有机膜,设置在所述初级保护膜上并且设置在所述第一坝部之前的部分上;以及次级保护膜,设置在所述有机膜上。6.根据权利要求5所述的电致发光显示装置,其中,所述初级保护膜和所述次级保护膜延伸到所述非显示区域并且设置在所述GIP区域和包括所述沟槽图案的内表面的所述多个坝部上。7.根据权利要求4所述的电致发光显示装置,其中,所述缓冲层设置在所述堤部、所述非显示区域中的层间绝缘层和所述多个坝部上方。8.根据权利要求7所述的电致发光显示装置,其中,所述缓冲层被设置为邻接所述多个坝部的除了所述沟槽图案之外的侧表面和顶表面。9.根据权利要求1所述的电致发光显示装置,其中,通过去除相邻子像素之间的所述缓冲层的厚度的一部分和所述堤部的厚度的一部分来构造显示沟槽图案。10.根据权利要求4所述的电致发光显示装置,还包括:第二层间绝缘层,设置在所述平坦化层下方并且由氮化硅制成;第一层间绝缘层,设置在所述第二层间绝缘层下方并且由氧化硅制成;以及
底切部,设置在所述沟槽图案中并且由于所述缓冲层和所述第二层间绝缘层相对于所述第一层间绝缘层向内突出而形成。11.根据权利要求1所述的电致发光显示装置,还包括:光阻挡层,设置在所述氧化物薄膜晶体管下方;以及主线和辅助线,设置在所述非显示区域中的所述基板上方。12.根据权利要求11所述的电致发光显示装置,其中,所述主线和所述辅助线与所述光阻挡层设置于同一层上,其中,所述主线包括数据线、高电位电源线和初始化信号线中的任一种,并且其中,所述辅助线包括扫描线、感应线、低电位电源线和接地电压线中的任一种。13.根据权利要求11所述的电致发光显示装置,其中,所述主线和所述辅助线延伸通过所述多个坝部并到达所述GIP区域和/或所述显示区域,其中,所述主线在垂直于所述多个坝部的布置方向或相对于所述多个坝部的布置方向倾斜的方向上穿过所述多个坝部的下侧,并且其中,所述辅助线设置于所述多个坝部下方并且设置于与所述多个坝部的布置方向平行的方向上。14.根据权利要求1所述的电致发光显示装置,其中,所述平坦化层包括:第一平坦化层,在设置在所述氧化物薄膜晶体管上方的层间绝缘层上方设置;以及第二平坦化层,设置在所述第一平坦化层上方。15.根据权利要求14所述的电致发光显示装置,还包括:氢吸附层,在所述多个坝部中设置在所述层间绝...
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