一种光耦引线框的多功能复合电镀层及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种光耦引线框的多功能复合电镀层及制备方法，涉及光耦引线框架电镀层技术领域。按基体层向电镀层表面的方向，依次为镍层、铜层、镍层、功能层，其中光耦引线框导电功能区的功能层为银层，光耦引线框非导电功能区的功能层为锡层。本发明专利技术通过在铜镀层和银镀层之间、铜镀层和锡镀层之间镀氨基磺酸镍层，可以增加镀层之间的结合力，使镀层不易脱落，增加镀层的耐高温稳定性，提高镀层的质量。本发明专利技术在封装前完成了导电功能区镀银以及对引脚镀锡，避免了封装后二次电镀锡对光耦产品产生的损伤，也避免了多次往返封装厂以及电镀厂导致的效率低下问题，缩短交货周期，节约人工以及时间成本。工以及时间成本。工以及时间成本。

【技术实现步骤摘要】
一种光耦引线框的多功能复合电镀层及制备方法


[0001]本专利技术涉及光耦引线框架电镀层
，特别是涉及一种光耦引线框的多功能复合电镀层及制备方法。

技术介绍

[0002]现有光耦引线框架电镀工艺通常包括前处理工艺(电解除油和活化)和镀镍镀银；由于引线框架基材从铜基发展到铁基素材，基材表面光洁平整度不一致，镀层种类少，表面光亮度偏低，靠提高镀镍层厚度弥补又增加成本，影响可焊性，难以适应高端电子产品的质量要求。
[0003]引线框架完成镀银后交给封装厂贴片、焊线、点胶、固化封装等完成产品，再交给电镀厂对引脚镀锡，再回封装厂测试，多次往返两地降低生产效率，延长交货期，封装后电镀过程也会对光耦产品产生潜在损伤。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是提供一种光耦引线框的多功能复合电镀层及制备方法，以解决上述现有技术存在的问题。本专利技术所制备的镀层饱满光滑，满足高端电子产品的质量要求；在封装前完成了镀银以及对引脚镀锡，避免了封装后电镀过程对光耦产品产生的损伤，也避免了多次往返封装厂以及电镀厂导致的效率低下问题。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光耦引线框的多功能复合电镀层，其特征在于，按基体层向电镀层表面的方向，依次为镍层、铜层、镍层、功能层，其中光耦引线框导电功能区的功能层为银层，光耦引线框非导电功能区的功能层为锡层。2.一种权利要求1所述的光耦引线框的多功能复合电镀层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，将光耦引线框进行打底镀镍，得到电镀打底镍层的光耦引线框；步骤2，将所述电镀打底镍层的光耦引线框进行预镀碱铜，得到预镀碱铜的光耦引线框；步骤3，将所述预镀碱铜的光耦引线框进行酸性镀铜，得到电镀铜层的光耦引线框；步骤4，将所述电镀铜层的光耦引线框进行镀镍，得到电镀镍层的光耦引线框；按浓度计，所述镀镍的镀液包括氨基磺酸镍60
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90g/L、氯化镍8
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15g/L、硼酸40
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50g/L、镀镍主光亮剂0.5
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2mL/L、镀镍柔软剂60
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120mL/L；步骤5，将所述电镀镍层的光耦引线框进行预镀银，得到预镀银的光耦引线框；步骤6，将所述预镀银的光耦引线框进行导电功能区镀银，得到电镀银的光耦引线框；步骤7，将所述电镀银的光耦引线框的非导电功能区进行退银处理，得到退银处理的光耦引线框；步骤8，将所述退银处理的光耦引线框进行非导电功能区镀锡，得到具有多功能复合电镀层的光耦引线框。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤1中，按浓度计，所述打底镀镍的镀液包括硫酸镍150
‑
180g/L、氯化镍45
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50g/L、硼酸45
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50g/L、镀镍主光亮剂0.5
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2mL/L、镀镍柔软剂60
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120mL/L；打底镀镍的镀液温度为55
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65℃，pH值为3.8
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4.4；所述打底镀镍的电流密度为2
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6A/dm2，打底镀镍的镀层厚度为1
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3μm。4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤2中，按浓度计，所述预镀碱铜的镀液包括氰化亚铜15
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30g/L和氰化钠80
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120g/L；预镀碱铜的镀液温度为35
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45℃；所述预镀碱铜的电流密度为4
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10A/dm2，预镀碱铜的镀层厚度为1
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3μm。5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤3中，按浓度计，所述酸性镀铜的镀液包括硫酸铜180
‑
220g/L、硫酸30...

【专利技术属性】
技术研发人员：张利民，汪爱良，韩宏亮，罗培，刘忠利，向富久，张金平，
申请(专利权)人：江门市鼎翔电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：