一种显示基板及其制造方法、显示装置制造方法及图纸

本公开提供一种显示基板及其制造方法、显示装置，该显示基板包括：衬底基板；驱动电路层；平坦层，包括过孔，过孔与薄膜晶体管的源极在衬底基板上的正投影至少部分交叠；发光单元，包括从靠近衬底基板一侧至远离衬底基板一侧依次堆叠的第一电极、电致发光层和第二电极；第一电极包括：第一导电薄膜，随形覆盖平坦层，包括经由过孔搭接至源极的过孔区及电极区；过孔平坦层，填充至过孔区且与电极区表面断差值小于或等于预定阈值；第二导电薄膜，覆盖过孔平坦层与电极区；电致发光层在衬底基板上的正投影与过孔区在衬底基板上的正投影至少部分交叠。本公开的显示基板及其制造方法、显示装置可提升开口率和像素密度，降低功耗，提升产品整体性能。提升产品整体性能。提升产品整体性能。

【技术实现步骤摘要】
一种显示基板及其制造方法、显示装置


[0001]本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种显示基板及其制造方法、显示装置。

技术介绍

[0002]微显示器件通常具有尺寸小、高PPI(Pixels per inch，像素密度单位)的特点，像素大小及像素间距都较小。但是相关技术中微显示器件的发光区域大小受限，限制了其开口率及PPI的提升。

技术实现思路

[0003]本公开实施例提供了一种显示基板及其制造方法、显示装置，能够提升开口率和像素密度，降低功耗，提升显示基板整体性能。
[0004]本公开实施例所提供的技术方案如下：
[0005]第一方面，本公开实施例提供了一种显示基板，包括：
[0006]衬底基板；
[0007]位于所述衬底基板之上的驱动电路层，所述驱动电路层包括薄膜晶体管；
[0008]覆盖至所述驱动电路层的背离所述衬底基板一侧的平坦层，所述平坦层包括过孔，所述过孔与所述薄膜晶体管的源极在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠；及
[0009]位于所述平坦层背离所述衬底基板的一侧的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示基板，包括：衬底基板；位于所述衬底基板之上的驱动电路层，所述驱动电路层包括薄膜晶体管；覆盖至所述驱动电路层的背离所述衬底基板一侧的平坦层，所述平坦层包括过孔，所述过孔与所述薄膜晶体管的源极在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠；及位于所述平坦层背离所述衬底基板的一侧的发光单元，所述发光单元至少包括从靠近所述衬底基板一侧至远离所述衬底基板一侧依次堆叠的第一电极、电致发光层和第二电极；其特征在于，所述第一电极包括：第一导电薄膜，所述第一导电薄膜随形覆盖所述平坦层，所述第一导电薄膜包括经由所述过孔搭接至所述源极的过孔区、及除所述过孔区之外的电极区；过孔平坦层，所述过孔平坦层填充至所述过孔区的背离所述衬底基板的一侧，且所述过孔平坦层在背离所述衬底基板的一侧具有第一表面，所述电极区在背离所述衬底基板的一侧具有第二表面，所述第一表面与所述第二表面在垂直于所述衬底基板方向上的断差值小于或等于预定阈值；及第二导电薄膜，所述第二导电薄膜覆盖至所述过孔平坦层与所述电极区的背离所述衬底基板的一侧；所述电致发光层在所述衬底基板上的正投影与所述过孔区在所述衬底基板上的正投影至少部分重合。2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极。3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第二导电薄膜至少包括反射率大于预定值的反射导电薄膜。4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述反射导电薄膜包括铝薄膜、铜薄膜、金薄膜、银薄膜中的至少一种。5.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述第二导电薄膜还包括透明导电薄膜。6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述透明导电薄膜包括氧化铟锡薄膜和氟掺杂氧化锡薄膜中的至少一种。7.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第二导电薄膜的膜层厚度为5nm～200nm。8.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一导电薄膜包括铝薄膜、铜薄膜、金薄膜、银薄膜、氧化铟锡薄膜和氟掺杂氧化锡薄膜中至少一种。9.根据权利要求8所述的显示基板，其特征在于，所述第一导电薄膜的膜层厚度为5nm～200nm。1...

【专利技术属性】
技术研发人员：康亮亮，孙孟娜，刘晓云，李晓虎，焦志强，张振宇，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：