一种显示基板的制备方法、显示基板及显示器技术

技术编号:36789541 阅读:13 留言:0更新日期:2023-03-08 22:37
本申请实施例提供了一种显示基板的制备方法、显示基板及显示器。其中,显示基板的制备方法包括:在对经过初步处理的基板进行保护层刻蚀工艺的过程中,在Hole位置处对所述保护层进行刻蚀形成凹槽;在基板上远离衬底的一侧生成阳极膜层,对所述阳极膜层进行刻蚀,并保留所述凹槽中的阳极膜层;在基板上远离衬底的一侧生成多层功能层,其中,所述多层功能层包括电致发光膜层、阴极膜层;剥离周边区域的阴极膜层,剥离所述凹槽中的阳极膜层及电致发光膜层;对基板进行封装,得到制备后的显示基板。该方法取消了相关技术中金属隔离柱的设计,减少了电流通道的形成,并通过剥离EV材料层阻断水汽通道,减少了出现电化学腐蚀的情况,降低了GDSH的发生率。GDSH的发生率。GDSH的发生率。

【技术实现步骤摘要】
一种显示基板的制备方法、显示基板及显示器


[0001]本申请涉及显示
,特别是涉及一种显示基板的制备方法、显示基板及显示器。

技术介绍

[0002]近年来,有机发光二极管(organiclight

emittingdiode,OLED)成为国内外非常热门的新兴平面显示器产品,这是因为OLED显示器具有自发光、广视角、短反应时间,高发光效率、广色域、低工作电压等优点;但AA Hole(表示AA区打孔,AA区是指Ative Area,有效显示区域)结构的产品在Hole区域封装失效会导致GDSH(由于封装或者外力导致的裂纹、划伤、顶伤等不良引起的开孔区的水汽氧化)的发生。
[0003]相关技术中的金属隔离柱设计无法完全阻断电传导,会形成“阴极

隔离柱(Al)

阴极”的电流通道,在显示区域电场的作用下,水汽、化学物质在OLED屏的蒸镀材料层(EV层)和封装膜层(EN层)间发生电化学腐蚀;且隔离柱结构存在Undercut(死角),Undercut处CVD(绝缘膜层)成膜较差,水汽容易从缺陷处进入,使封装失效,进而导致GDSH的发生。

技术实现思路

[0004]本申请实施例的目的在于提供一种显示基板的制备方法、显示基板及显示器,用以降低产品设计上的GDSH不良风险。具体技术方案如下:
[0005]本申请第一方面的实施例提供了一种显示基板,包括显示区域及周边区域,所述周边区域中包括至少一个隔离坝结构及至少一个通过绝缘层填充的凹槽结构。
[0006]在本申请的一些实施例中,所述隔离坝结构与所述显示区域之间存在至少一个通过绝缘层填充的凹槽结构,所述隔离坝结构远离所述显示区域的一侧存在多个通过绝缘层填充的凹槽结构。
[0007]在本申请的一些实施例中,所述绝缘层包括用于封装的第一绝缘层和第二绝缘层。
[0008]在本申请的一些实施例中,所述凹槽结构开设在所述显示基板的保护层上。
[0009]在本申请的一些实施例中,所述凹槽结构开设在所述显示基板的层间介质层上。
[0010]在本申请的一些实施例中,所述凹槽结构为环形凹槽结构。
[0011]本申请第二方面的实施例提供了一种显示基板的制备方法,包括:
[0012]在对经过初步处理的基板进行保护层刻蚀工艺的过程中,在Hole位置处对所述保护层进行刻蚀形成凹槽;
[0013]在基板上远离衬底的一侧生成阳极膜层,对所述阳极膜层进行刻蚀,并保留所述凹槽中的阳极膜层;
[0014]在基板上远离衬底的一侧生成多层功能层,其中,所述多层功能层包括电致发光膜层、阴极膜层;
[0015]剥离周边区域的阴极膜层,剥离所述凹槽中的阳极膜层及电致发光膜层;
[0016]对基板进行封装,得到制备后的显示基板。
[0017]在本申请的一些实施例中,在所述在对经过初步处理的基板进行保护层刻蚀工艺的过程中,在Hole位置处对所述保护层进行刻蚀形成凹槽的步骤之前,所述方法还包括:
[0018]分别生成衬底、缓冲层、多晶硅层、第一栅绝缘层、第一栅极层、第二栅绝缘层、第二栅极层、层间介质层、第一源漏金属层、保护层,得到经过初步处理的基板。
[0019]在本申请的一些实施例中,经过初步处理的基板包括第一源漏金属层;
[0020]所述在对经过初步处理的基板进行保护层刻蚀工艺的过程中,在Hole位置处对所述保护层进行刻蚀形成凹槽,包括:
[0021]针对经过初步处理的基板,对所述第一源漏金属层处的保护层进行刻蚀,并对Hole位置处的保护层进行刻蚀形成环形凹槽。
[0022]本申请第二方面的实施例提供了另一种显示基板的制备方法,包括:
[0023]在对经过初步处理的基板进行层间介质层刻蚀工艺的过程中,在Hole位置处对所述层间介质层进行刻蚀形成凹槽;
[0024]在基板上远离衬底的一侧生成阳极膜层,对所述阳极膜层进行刻蚀,并保留所述凹槽中的阳极膜层;
[0025]在基板上远离衬底的一侧生成多层功能层,其中,所述多层功能层包括电致发光膜层、阴极膜层;
[0026]剥离周边区域的阴极膜层,剥离所述凹槽中的阳极膜层及电致发光膜层;
[0027]对基板进行封装,得到制备后的显示基板。
[0028]在本申请的一些实施例中,在所述在对经过初步处理的基板进行层间介质层刻蚀工艺的过程中,在Hole位置处对所述层间介质层进行刻蚀形成凹槽的步骤之前,所述方法还包括:
[0029]分别生成衬底、缓冲层、多晶硅层、第一栅绝缘层、第一栅极层、第二栅绝缘层、第二栅极层、层间介质层、第一源漏金属层,得到经过初步处理的基板。
[0030]在本申请的一些实施例中,经过初步处理的基板包括第一源漏金属层;
[0031]所述在对经过初步处理的基板进行层间介质层刻蚀工艺的过程中,在Hole位置处对所述层间介质层进行刻蚀形成凹槽,包括:
[0032]针对经过初步处理的基板,对所述第一源漏金属层处的层间介质层进行刻蚀,并对Hole位置处的层间介质层进行刻蚀形成环形凹槽。
[0033]在本申请的一些实施例中,在所述在基板上远离衬底的一侧生成阳极膜层的步骤之前,所述方法还包括:
[0034]在基板上远离衬底的一侧生成第一平坦层、第二源漏金属层、第二平坦层。
[0035]在本申请的一些实施例中,所述在基板上远离衬底的一侧生成多层功能层,包括:
[0036]在基板上远离衬底的一侧,依次生成HPDL层、电致发光膜层、阴极膜层。
[0037]在本申请的一些实施例中,所述对基板进行封装,得到制备后的显示基板,包括:
[0038]在基板上远离衬底的一侧,依次生成第一绝缘层、喷墨打印层、第二绝缘层。
[0039]在本申请的一些实施例中,在基板的刻蚀工艺中,基板的周边区域中保留至少一个隔离坝结构。
[0040]在本申请的一些实施例中,所述隔离坝结构与显示区域之间存在至少一个凹槽。
[0041]本申请第三方面的实施例提供了一种显示器,包括上述任一实施例所述的显示基板。
[0042]本申请实施例有益效果:
[0043]本申请实施例提供的显示基板制备方法、显示基板及显示器,其中显示基板的制备方法取消了相关技术中金属隔离柱的设计,减少了电流通道的形成,并通过剥离由阳极膜层、电致发光膜层和阴极膜层构成的EV蒸镀材料层,彻底阻断水汽通道,减少了出现电化学腐蚀的情况,降低了GDSH的发生率。
[0044]当然,实施本申请的任一产品或方法并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。
附图说明
[0045]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,还可以根据这些附图获得其他的实施例。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示基板,其特征在于,包括:显示区域及周边区域,所述周边区域中包括至少一个隔离坝结构及至少一个通过绝缘层填充的凹槽结构。2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述隔离坝结构与所述显示区域之间存在至少一个通过绝缘层填充的凹槽结构,所述隔离坝结构远离所述显示区域的一侧存在多个通过绝缘层填充的凹槽结构。3.根据权利要求2所述的显示基板,所述绝缘层包括用于封装的第一绝缘层和第二绝缘层。4.根据权利要求2所述的显示基板,所述凹槽结构设置在所述基板的保护层上。5.根据权利要求2所述的显示基板,所述凹槽设置在所述基板的层间介质层上。6.根据权利要求4或5所述的显示基板,其特征在于,所述凹槽结构为环形凹槽结构。7.一种显示基板的制备方法,用于制备权利要求1

6任一所述的显示基板,其特征在于,包括:在对经过初步处理的基板进行保护层刻蚀工艺的过程中,在Hole位置处对所述保护层进行刻蚀形成凹槽;在基板上远离衬底的一侧生成阳极膜层,对所述阳极膜层进行刻蚀,并保留所述凹槽中的阳极膜层;在基板上远离衬底的一侧生成多层功能层,其中,所述多层功能层包括电致发光膜层、阴极膜层;剥离周边区域的阴极膜层,剥离所述凹槽中的阳极膜层及电致发光膜层;对基板进行封装,得到制备后的显示基板。8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,在所述在对经过初步处理的基板进行保护层刻蚀工艺的过程中,在Hole位置处对所述保护层进行刻蚀形成凹槽的步骤之前,所述方法还包括:分别生成衬底、缓冲层、多晶硅层、第一栅绝缘层、第一栅极层、第二栅绝缘层、第二栅极层、层间介质层、第一源漏金属层、保护层,得到经过初步处理的基板;经过初步处理的基板包括第一源漏金属层;所述在对经过初步处理的基板进行保护层刻蚀工艺的过程中,在Hole位置处对所述保护层进行刻蚀形成凹槽,包括:针对经过初步处理的基板,对所述第一源漏金属层处的保护层进行刻蚀,并对Hole位置处的保护层进行刻蚀形成环形凹槽。9.一种显示基板的制备方法,用于制备权...

【专利技术属性】
技术研发人员:张林杰臧海龙王超超伍涛廖文理黎勇伍红蕾李杰韩璐璐
申请(专利权)人:重庆京东方显示技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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