一种快速瞬态响应低压降稳压器电路制造技术

本发明专利技术公开了一种快速瞬态响应低压降稳压器电路，包括功率管、误差放大器、反馈网络和带动态电流增强的缓冲器，所述功率管与反馈网络连接，所述功率管通过带动态电流增强的缓冲器与误差放大器连接，所述反馈网络与误差放大器连接。通过使用本发明专利技术，能够在不需要大面积片外电容的情况下提高瞬态响应。本发明专利技术作为一种快速瞬态响应低压降稳压器电路，可广泛应用于集成电路领域。于集成电路领域。于集成电路领域。

【技术实现步骤摘要】
一种快速瞬态响应低压降稳压器电路


[0001]本专利技术涉及集成电路领域，尤其涉及一种快速瞬态响应低压降稳压器电路。

技术介绍

[0002]低压差线性稳压器(LDO)具有良好的电源脉冲抑制而且响应速度快，所以广泛应用于低噪声电路中。传统的LDO电路在输出端加入片外电容能够实现快速瞬态响应和高电源抑制。然而要驱动大负载电容，需要功率管的尺寸很大，这导致了产生大寄生电容。这不仅牺牲了响应速度，而且会影响电路稳定性。

技术实现思路

[0003]为了解决上述技术问题，本专利技术的目的是提供一种快速瞬态响应低压降稳压器电路，能够在不需要大面积片外电容的情况下提高瞬态响应。
[0004]本专利技术所采用的第一技术方案是：一种快速瞬态响应低压降稳压器电路，包括功率管、误差放大器、反馈网络和带动态电流增强的缓冲器，所述功率管与反馈网络连接，所述功率管通过带动态电流增强的缓冲器与误差放大器连接，所述反馈网络与误差放大器连接。
[0005]进一步，所述误差放大器包括第一差分输入对、第二差分输入对、第一非线性电流镜、第二非线性电流镜、第一翻转电压跟随器、第二翻转电压跟随器和放大器输出级电路，所述第一差分输入对、第二差分输入对、第一非线性电流镜、第二非线性电流镜和放大器输出级电路相互相连接，所述第一翻转电压跟随器、第二翻转电压跟随器、第一差分输入对、第二差分输入对和放大器输出级电路相互连接。
[0006]进一步，所述第一差分输入对包括晶体管M1A和晶体管M1B，所述第二差分输入对包括晶体管M2A和晶体管M2B，所述晶体管M1A的源极、晶体管M1B的源极和第二翻转电压跟随器相连，所述晶体管M1A的栅极、晶体管M1B的栅极和第一翻转电压跟随器相连，所述晶体管M1A的漏极、第一非线性电流镜和放大器输出级电路相连，所述晶体管M1B的漏极和第二非线性电流镜相连，所述晶体管M2A的源极、晶体管M2B的源极和第一翻转电压跟随器相连，所述晶体管M2A的栅极、晶体管M2B的栅极和第二翻转电压跟随器相连，所述晶体管M2A的漏极、第二非线性电流镜和放大器输出级电路相连，所述晶体管M2B的漏极和第一非线性电流镜相连。
[0007]进一步，所述第一非线性电流镜包括晶体管M3A、晶体管M4A、晶体管M4B和晶体管M16A，所述第二非线性电流镜包括晶体管M3B、晶体管M5A、晶体管M5B和晶体管M16B，所述晶体管M3A的漏极、晶体管M2的漏极、晶体管M4B的栅极和晶体管M16A的漏极相连，所述晶体管M3A的栅极与晶体管M3B的栅极连接，所述晶体管M3A的源极与晶体管M4A的漏极连接，所述晶体管M4A的栅极与晶体管M16A的源极相连，所述晶体管M3B的漏极、晶体管M1B的漏极、晶体管M5B的栅极和晶体管M16B的漏极相连，所述晶体管M3B的源极与晶体管M5A的漏极连接，所述晶体管M5A的栅极与晶体管M16B的源极连接，所述晶体管M5B的漏极、晶体管M2A的漏极
和放大器输出级电路相连，所述晶体管M4B的源极、晶体管M16A的栅极、晶体管M4A的源极、晶体管M5A的源极、晶体管M16B的栅极和晶体管M5B的源极均接地。
[0008]进一步，所述第一翻转电压跟随器包括晶体管M6A、晶体管M7A和晶体管M7C，所述第二翻转电压跟随器包括晶体管M6B、晶体管M7B和晶体管M7D，所述晶体管M6A的漏极、晶体管M7C的漏极和晶体管M7A的栅极相连，所述晶体管M7C的源极、晶体管M7A的漏极、晶体管M2B的源极和晶体管M2A的源极相连，所述晶体管M7C的栅极、晶体管M1A的栅极和晶体管M1B的栅极相连，所述晶体管M6B的漏极、晶体管M7D的漏极和晶体管M7B的栅极相连，所述晶体管M7D的源极、晶体管M7B的漏极、晶体管M1B的源极和晶体管M1B的源极相连，所述晶体管M7D的栅极、晶体管M2B的栅极和晶体管M2A的栅极相连，所述晶体管M6A的栅极和晶体管M6B的栅极均接固定电源，所述晶体管M7A的源极均晶体管M7B的源极均接电源输入端，所述晶体管M6A的源极和晶体管MB6的源极均接地。
[0009]进一步，所述放大器输出级电路包括晶体管M8A、晶体管M8B、晶体管M9A、晶体管M9B、晶体管M10A和晶体管M10B，所述晶体管M8A的栅极、晶体管M8B的栅极、晶体管M9A的漏极和晶体管M10A的漏极相连，所述晶体管M8A的漏极与晶体管M9A的源极连接，所述晶体管M8B的漏极与晶体管M9B的源极连接，所述晶体管M9B的漏极与晶体管M10B的漏极连接，所述晶体管M10A的栅极与晶体管M10B的栅极连接，所述晶体管M10A的源极、晶体管M1A的漏极和晶体管M4B的漏极相连，所述晶体管M10B的源极、晶体管M2A的漏极和晶体管M5B的漏极相连。
[0010]进一步，所述带动态电流增强的缓冲器包括晶体管M11、晶体管M12、晶体管M13、晶体管M14A、晶体管M14B和晶体管M15，所述晶体管M11的源极、功率管的源极和电源输入端相连，所述晶体管M11的漏极、晶体管M12的源极、晶体管M14B的漏极和功率管的栅极相连，所述晶体管M11的栅极、晶体管M12的漏极、晶体管M14A的漏极、晶体管M14B的栅极、晶体管M15的漏极和晶体管M13的漏极相连，所述晶体管M14A的栅极与晶体管M15的源极连接，所述晶体管M13的源极、晶体管M14A的源极、晶体管M15的栅极和晶体管M14B的源极均接地。
[0011]进一步，所述反馈网络包括电阻R1和电阻R2，所述电阻R1的第一端与功率管的漏极连接，所述电阻R1的第二端、电阻R2的第一端和误差放大器的输入端相连，所述电阻R2的第二端接地。
[0012]本专利技术方法的有益效果是：本专利技术提出一种具有动态电流增强技术的LDO电路，在误差放大器和功率管之间加入一个缓冲区，能加快对功率管栅极寄生电容充放电，从而提高瞬态响应。
附图说明
[0013]图1是本专利技术一种快速瞬态响应低压降稳压器电路的结构示意图；
[0014]图2是本专利技术具体实施例误差放大器的结构示意图。
具体实施方式
[0015]下面结合附图和具体实施例对本专利技术做进一步的详细说明。对于以下实施例中的步骤编号，其仅为了便于阐述说明而设置，对步骤之间的顺序不做任何限定，实施例中的各步骤的执行顺序均可根据本领域技术人员的理解来进行适应性调整。
[0016]如图1所示，本专利技术提供了一种快速瞬态响应低压降稳压器电路，包括功率管、误差放大器、反馈网络和带动态电流增强的缓冲器，所述功率管与反馈网络连接，所述功率管通过带动态电流增强的缓冲器与误差放大器连接，所述反馈网络与误差放大器连接。
[0017]具体地，功率管Mp是一个PMOS管，源极接VDD，漏极输出电压。
[0018]所述带动态电流增强的缓冲器包括晶体管M11、晶体管M12、晶体管M13、晶体管M14A、晶体管M14B和晶体管M15，所述晶体管M11的源极、功率管的源极和电源输入端相连，所述晶体管M11的漏极、晶体管M12的源极、晶体管M14B的漏极和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种快速瞬态响应低压降稳压器电路，其特征在于，包括功率管、误差放大器、反馈网络和带动态电流增强的缓冲器，所述功率管与反馈网络连接，所述功率管通过带动态电流增强的缓冲器与误差放大器连接，所述反馈网络与误差放大器连接。2.根据权利要求1所述一种快速瞬态响应低压降稳压器电路，其特征在于，所述误差放大器包括差分输入对、非线性电流镜、第一翻转电压跟随器、第二翻转电压跟随器和放大器输出级电路，所述差分输入对、非线性电流镜和放大器输出级电路相互连接，所述第一翻转电压跟随器、第二翻转电压跟随器、差分输入对和放大器输出级电路相互连接。3.根据权利要求2所述一种快速瞬态响应低压降稳压器电路，其特征在于，所述差分输入对包括晶体管M1A、晶体管M1B、晶体管M2A和晶体管M2B，所述晶体管M1A的源极、晶体管M1B的源极和第二翻转电压跟随器相连，所述晶体管M1A的栅极、晶体管M1B的栅极和第一翻转电压跟随器相连，所述晶体管M1A的漏极、第一非线性电流镜和放大器输出级电路相连，所述晶体管M1B的漏极和第二非线性电流镜相连，所述晶体管M2A的源极、晶体管M2B的源极和第一翻转电压跟随器相连，所述晶体管M2A的栅极、晶体管M2B的栅极和第二翻转电压跟随器相连，所述晶体管M2A的漏极、第二非线性电流镜和放大器输出级电路相连，所述晶体管M2B的漏极和第一非线性电流镜相连。4.根据权利要求3所述一种快速瞬态响应低压降稳压器电路，其特征在于，所述非线性电流镜包括晶体管M3A、晶体管M4A、晶体管M4B、晶体管M16A、M3B、晶体管M5A、晶体管M5B和晶体管M16B，所述晶体管M3A的漏极、晶体管M2的漏极、晶体管M4B的栅极和晶体管M16A的漏极相连，所述晶体管M3A的栅极与晶体管M3B的栅极连接，所述晶体管M3A的源极与晶体管M4A的漏极连接，所述晶体管M4A的栅极与晶体管M16A的源极相连，所述晶体管M3B的漏极、晶体管M1B的漏极、晶体管M5B的栅极和晶体管M16B的漏极相连，所述晶体管M3B的源极与晶体管M5A的漏极连接，所述晶体管M5A的栅极与晶体管M16B的源极连接，所述晶体管M5B的漏极、晶体管M2A的漏极和放大器输出级电路相连，所述晶体管M4B的源极、晶体管M16A的栅极、晶体管M4A的源极、晶体管M5A的源极、晶体管M16B的栅极和晶体管M5B的源极均接地。5.根据权利要求4所述一种快速瞬态响应低压降稳压器电路，其特征在于，所述第一翻转电压跟随器包括晶体管M6A、晶体管M7A和晶体管M7C，所述第二翻转电压...

【专利技术属性】
技术研发人员：龙泳希，段志奎，李伙生，于昕梅，王虎伟，严世泉，高国智，李俊华，魏光勇，
申请(专利权)人：佛山科学技术学院，
类型：发明
国别省市：