一种适用于正逻辑变换器的闭锁式输出过压保护电路制造技术

技术编号:36769965 阅读:21 留言:0更新日期:2023-03-08 21:40
本实用新型专利技术涉及过压保护电路技术领域,揭示了一种适用于正逻辑变换器的闭锁式输出过压保护电路,其特征在于,包括倒逻辑及信号放大电路、闭锁保护电路、输出电压检测电路;所述倒逻辑及信号放大电路包括三极管VT3、二极管VD1、电阻R10、电阻R11、电阻R15、电阻R14、电容C2、电容C3,所述电阻R14和电阻R11之间、电容C2的另一端、电阻R10的另一端均连接所述闭锁保护电路,所述闭锁保护电路连接所述输出电压检测电路。本实用新型专利技术提供的适用于正逻辑变换器的闭锁式输出过压保护电路,将正逻辑变换器的打嗝保护模式调整为闭锁保护模式,提高了产品可靠性,降低了维修成本。降低了维修成本。降低了维修成本。

【技术实现步骤摘要】
一种适用于正逻辑变换器的闭锁式输出过压保护电路


[0001]本技术涉及过压保护电路
,特别涉及一种适用于正逻辑变换器的闭锁式输出过压保护电路。

技术介绍

[0002]现国内外大多数变换器厂商均将变换器的输出过压保护模式设计为打嗝自恢复模式:当变换器出现过压故障且输出电压达到过压保护点时,变换器会关机并不断尝试自动重启,直到过压故障消失。
[0003]在实际工程应用中,变换器的过压故障大多来自变换器内部(变压器失效、反馈环路失效、主控IC失效等),属于不可自动恢复的故障类型。并且变换器在开机瞬间,由于反馈环路暂未开始工作,主控IC将以最大占空比或最大频率发出调制波,主开关管导通时间暂时失调,从而导致输出电压出现过冲。
[0004]当过压故障出现时,变换器的2个负面特性叠加,变换器的输出电压波形畸变为超出额定输出电压值的尖峰窄脉冲。后级负载或电路可能会受到超过最大绝对额定值的电压冲击,引起后级负载或电路工作不正常甚至失效,导致故障扩散,降低了产品可靠性,增加了维修成本。

技术实现思路

[0005]本技术提供了一种适用于正逻辑变换器的闭锁式输出过压保护电路,将正逻辑变换器的打嗝保护模式调整为闭锁保护模式,提高了产品可靠性,降低了维修成本。
[0006]本技术提供了一种适用于正逻辑变换器的闭锁式输出过压保护电路,包括倒逻辑及信号放大电路、闭锁保护电路、输出电压检测电路;
[0007]所述倒逻辑及信号放大电路包括三极管VT3、二极管VD1、电阻R10、电阻R11、电阻R15、电阻R14、电容C2、电容C3,所述二极管VD1的阳极连接正逻辑变换器的ON/OFF引脚,所述二极管VD1的阴极连接所述三极管VT3的集电极,所述三极管VT3的发射极接保护地PGND,所述三极管VT3的基极连接所述电阻R14的一端,所述电阻R15的一端连接在所述三极管VT3的基极和电阻R14之间,所述电阻R15的另一端连接在所述三极管VT3的发射极和保护地PGND之间,所述电容C3的一端连接在所述电阻R4和电阻R15之间,所述电容C3的另一端连接在所述电阻R15和保护地PGND之间,述电阻R14的另一端连接所述电阻R11的一端,所述电阻R11的另一端连接在所述电容C3和保护地PGND之间,所述电阻R10的一端连接在所述电阻R11和和保护地PGND之间,所述电容C2的一端连接在所述电阻R10和保护地PGND之间;
[0008]所述电阻R14和电阻R11之间、电容C2的另一端、电阻R10的另一端均连接所述闭锁保护电路,所述闭锁保护电路连接所述输出电压检测电路。
[0009]进一步地,所述闭锁保护电路包括三极管VT1、三极管VT2、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R12、电阻R13,所述三极管VT2的发射极连接在所述电阻R14和电阻R11之间,所述三极管VT2的基极连接所述电阻R9的一端,所述电容C2的另一端连接在所述电阻R9和所述三
极管VT2之间,所述电阻R10的另一端连接在所述电容C2和所述三极管VT2之间,所述三极管VT2的集电极连接所述电阻R13的一端,所述电阻R13的另一端连接所述电阻R12的一端,所述电阻R12的另一端连接原边辅助电压VCCP,所述电阻R9的另一端连接所述三极管VT1的集电极,所述三极管VT1的基极连接在所述电阻R12和电阻R13之间,所述三极管VT1的发射极连接所述电阻R8的一端,所述电阻R8的另一端连接在所述电阻R12和原边辅助电压VCCP之间,所述电阻R7的一端连接在所述电阻R8和原边辅助电压VCCP之间,所述电阻R7的另一端、所述电阻R9的一端连接所述输出电压检测电路。
[0010]进一步地,所述输出电压检测电路包括比较器U1、光耦器U2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电容C1,所述电阻R7的另一端和所述电阻R9的一端分别连接所述光耦器U2次级侧光晶体管的两端,所述光耦器U2初级侧光二极管的两端分别连接信号地SGND和所述电阻R6的一端,所述电阻R6的另一端连接所述比较器U1的输出端,所述比较器U1的负侧电源引脚连接信号地SGND,所述比较器U1的正侧电源引脚连接电压控制电流源VCCS,所述比较器U1的正输入引脚+PIN连接所述电阻R2的一端,所述比较器U1的负输入引脚

PIN连接所述电阻R1的一端,所述电阻R1的另一端连接参考电压Vref,所述电阻R2的另一端分别连接所述电阻R3的一端和电阻R4的一端,所述电阻R3的另一端连接正逻辑变换器的输出电压Vo,所述电阻R4的另一端连接信号地SGND,所述电容C1的一端连接信号地SGND,所述电容C1的另一端连接在所述比较器U1和电压控制电流源VCCS之间,所述电阻R5的一端连接在所述比较器U1和电压控制电流源VCCS之间,所述电阻R5的另一端连接在所述比较器U1和电阻R6之间。
[0011]进一步地,所述三极管VT1为PNP三极管,所述三极管VT2和三极管VT3为NPN三极管。
[0012]进一步地,所述二极管VD1为隔离二极管。
[0013]进一步地,所述电阻R2为平衡电阻。
[0014]本技术的有益效果为:
[0015]本技术将正逻辑变换器的打嗝保护模式调整为闭锁保护模式,当正逻辑变换器出现过压故障且输出电压达到过压保护点时,变换器随即关机并一直保持关机状态,待手动消除过压情况之后,断开变换器供电并重新上电后变换器才重新恢复工作。
附图说明
[0016]图1为本技术闭锁式输出过压保护电路图。
[0017]本技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例,参照附图做进一步说明。
具体实施方式
[0018]下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本技术的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围。
[0019]需要说明,本技术实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后
……
)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等,如
果该特定姿态发生改变时,则该方向性指示也相应地随之改变。
[0020]另外,在本技术中涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外,各个实施例之间的技术方案可以相互结合,但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础,当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在,也不在本技术要求的保护范围之内。
[0021]应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术,并不用于限定本技术。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种适用于正逻辑变换器的闭锁式输出过压保护电路,其特征在于,包括倒逻辑及信号放大电路、闭锁保护电路、输出电压检测电路;所述倒逻辑及信号放大电路包括三极管VT3、二极管VD1、电阻R10、电阻R11、电阻R15、电阻R14、电容C2、电容C3,所述二极管VD1的阳极连接正逻辑变换器的ON/OFF引脚,所述二极管VD1的阴极连接所述三极管VT3的集电极,所述三极管VT3的发射极接保护地PGND,所述三极管VT3的基极连接所述电阻R14的一端,所述电阻R15的一端连接在所述三极管VT3的基极和电阻R14之间,所述电阻R15的另一端连接在所述三极管VT3的发射极和保护地PGND之间,所述电容C3的一端连接在所述电阻R4和电阻R15之间,所述电容C3的另一端连接在所述电阻R15和保护地PGND之间,述电阻R14的另一端连接所述电阻R11的一端,所述电阻R11的另一端连接在所述电容C3和保护地PGND之间,所述电阻R10的一端连接在所述电阻R11和和保护地PGND之间,所述电容C2的一端连接在所述电阻R10和保护地PGND之间;所述电阻R14和电阻R11之间、电容C2的另一端、电阻R10的另一端均连接所述闭锁保护电路,所述闭锁保护电路连接所述输出电压检测电路。2.根据权利要求1所述的适用于正逻辑变换器的闭锁式输出过压保护电路,其特征在于,所述闭锁保护电路包括三极管VT1、三极管VT2、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R12、电阻R13,所述三极管VT2的发射极连接在所述电阻R14和电阻R11之间,所述三极管VT2的基极连接所述电阻R9的一端,所述电容C2的另一端连接在所述电阻R9和所述三极管VT2之间,所述电阻R10的另一端连接在所述电容C2和所述三极管VT2之间,所述三极管VT2的集电极连接所述电阻R13的一端,所述电阻R13的另一端连接所述电阻R12的一端,所述电阻R12的另一端连接原边辅助电压VCCP,所述电阻R9的另一端连接所述三极管VT1的集电极,所述三极管VT1的基极连接在所述电阻R12和电阻R13之...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨敏武郭金辉
申请(专利权)人:四川恒晔电子有限公司
类型:新型
国别省市:

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