一种厚薄膜电路基板TR组件及其封装方法技术

一种厚薄膜电路基板TR组件及其封装方法，属于TR组件技术领域，TR组件包括封装金属壳体内的电路基板，电路基板包括第一线路层、第二线路层、第三线路层、第四线路层、电源控制层、底层金属地。各线路层之间均具有陶瓷层。第一线路层为厚膜工艺形成，其划分为A区、E区、H区、I区和J区，A区和H区的外侧具有连通底层金属地的第一金属孔；第二线路层为厚膜工艺形成，具有B区；第三线路层为薄膜工艺形成，具有C区和G区，G区外侧具有连通底层金属地的第二金属孔；第四线路层为薄膜工艺形成有D区；电源控制层用于电源调制及控制电路。TR组件能耐受较高的电压、更大的功率和较大的电流，且具有高密度、小体积及良好的散热功能。小体积及良好的散热功能。

【技术实现步骤摘要】
一种厚薄膜电路基板TR组件及其封装方法


[0001]本专利技术属于TR组件
，尤其涉及一种厚薄膜电路基板TR组件及其封装方法。

技术介绍

[0002]有源相控阵技术如今在雷达系统、电子对抗、武器精确制导和通信技术等领域都有着广泛的应用。特别在雷达领域，有源相控阵雷达凭借其波束指向灵敏迅速的特点，具有较强的多目标接战能力、良好的抗干扰性能以及较高的可靠性，是现代军事领域中重要的武器装备。而在有源相控阵雷达技术中，TR组件承担着至关重要的角色。TR组件作为有源相控阵的核心部件，每个天线阵元均由其进行馈电，使得一部雷达系统中的组件集成量数以万计。因此，能否设计出具有高性能、高可靠性、低成本的TR组件，将直接关系到雷达系统的整机性能和制造成本。组件内部通常含有驱动放大器、功率放大器、低噪声放大器等有源器件，以及限幅器、环形器、衰减器、功率分配器等无源器件，优化收发通道结构并选用合适的芯片组成，才能在综合考虑技术风险、设计周期与设计成本的前提下，加工获得最优的TR组件。
[0003]传统的TR组件实现主要有以下两种结构：1、砖块式TR组件结本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种厚薄膜电路基板TR组件，其特征在于，包括：封装于一金属壳体内的电路基板，电路基板包括叠合并烧结为一体结构的第一线路层（1）、第二线路层（2）、第三线路层（3）、第四线路层（4）、电源控制层（5）以及底层金属地（6），电路基板各层之间通过金属导通孔相连，且相邻两层之间均具有陶瓷层；第一线路层（1）采用厚膜工艺形成，作为微带线和部分微波单片集成电路芯片的电路层；第一线路层（1）划分有A区、E区、H区、I区和J区，A区设置有输出功率放大器，E区设置有环隔器和定向耦合器，H区设置有输入功率放大器，I区设置有天线接收单元，J区为射频输入端口，其中A区和H区的外侧具有连通底层金属地（6）的第一金属孔（11）；第二线路层（2）采用厚膜工艺形成，划分有B区，其上设置有收发转换开关电路，用于控制TR组件的收发状态；第三线路层（3）采用薄膜工艺形成，其划分有C区和G区，C区设置有移相器、数控衰减器，G区设置有下变频电路、低噪放和限幅器，G区的外侧具有连通底层金属地（6）的第二金属孔（31）；第四线路层（4）采用薄膜工艺形成，划分有D区，其上设置有射频开关和上变频电路；电源控制层（5）用于电源调制及控制电路。2.根据权利要求1所述的一种厚薄膜电路基板TR组件，其特征在于，在电路基板底面的投影视图上B区、C区、G区、D区以及电源控制层（5）的电路均与A区、H区及第一金属孔（11）之间具有间隔。3.根据权利要求1所述的一种厚薄膜电路基板TR组件，其特征在于，在电路基板底面的投影视图上A区、H区及G区分别位于不同的角落。4.根据权利要求1所述的一种厚薄膜电路基板TR组件，其特征在于，第一金属孔（11）及第二金属孔（31）均分布于靠近电路基板边沿的一侧。5.根据权利要求1所述的一种厚薄膜电路基板TR组件，其特征在于，第一线路层（1）及第三线路层（3）下方的陶瓷层分别对应A区、H区及G区嵌设有散热块（7），散热块（7）分别与对应的第一线路层（1）及第三线路层（3）底面贴合，电路基板对应散热块（7）的下方均开设有第三金属孔（71），第三金属孔（71）向下与底层金属地（6）连通。6.根据权利要求5所述的一种厚薄膜电路基板TR组件，其特征在于，散热块（7）为石墨烯制成。7.根据权利要求5所述的一种厚薄膜电路基板TR组件，其特征在于，第一线路层（1）及第三线路层（3）下方的陶瓷层包括至少三层叠合的陶瓷片（72），底层以上的陶瓷片（72）对应设置散热块（7）的...

【专利技术属性】
技术研发人员：王韧，王树庆，雍政，
申请(专利权)人：四川斯艾普电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：