超宽带双频合路器制造技术

技术编号:3675617 阅读:231 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术公开一种超宽带双频合路器,包括合路端口、第一端口和第二端口,以及两个同轴谐振子带通滤波器和两路直流通路,第一直流通路接入第一端口和合路端口之间;第二直流通路接入第二端口和合路端口之间,第一同轴谐振子带通滤波器一端通过第一隔直电容与第一端口电性连接;第二同轴谐振子带通滤波器一端通过第二隔直电容与第二端口电性连接;第一和第二同轴谐振子带通滤波器的另一端共同通过第三隔直电容与合路端口电性连接,所述各隔直电容均为分布参数式电容。本实用新型专利技术通过应用分布参数式隔直电容,使合路器的体积大大缩小;由于对整体结构进行了重新布局,还带来了差损小、功率容量大、通道间隔离度高等优点。(*该技术在2017年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种用于第二代和第三代通信系统之间进行合路的处理 设备,尤其涉及超宽带双频合路器
技术介绍
随着移动通信的迅速发展,多系统共站址、共天馈资源的应用方式得到 越来越多的运营商青睐。通过这些方式可以达致共享资源,降低系统设备成本的效果。在2G/3G共天馈系统中,双频合路器是必不可少的微波器件,其 主要作用是对不同系统的信号进行分合路,以达到节省馈电电缆,简化系统 和P务低成本的目的。另外,基站塔上设备的供电是通过射频电缆实现的,所 以,与馈电电缆串接的合路器还要具有通直流电的功能。参照附图说明图1所示的原理图,合路器是三端口微波器件,包括两条直流馈电 通路和两条射频信号通路,其中直流馈电通路由集总参数低通滤波器、开 关和防雷器件组成,低通滤波器用于抑制高频射频信号,以让一定频率(如 3MHz)的控制信号顺利通过,开关用于选择是否需要直流电通过;射频信号 通路由隔直流电容和带通滤波器组成,两条射频信号通路中的带通滤波器的 通带范围适应所合路的两路信号的频率范围设置。工作时,从公共端口 Portl 输入的信号根据频率范围分路到端口 Port2或端口 Port3,相反,也可将从端 口 Port2和Pori:3输入的信号经端口 Portl合3各输出。2G/3G共天馈系统的射频信号频率范围是806MHz- 960MHz和1710MHz-2170MHz,要实现如此超宽度的工作频带,并且具有通直流电功能,目前的大 部分合路器产品采用介质基片用微带电路的形式实现。这种结构形式的产品 的缺点是体积大,功率容量小。而且,无源互调指标大大取决于介质基片材料的特性,在批量生产中难以控制。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种超宽带双频合路器,使其小型化,并且 达到差损小、功率容量大且直流馈电通路和射频信号通路之间隔离度高等功 效。为解决本技术的技术问题,本技术采用如下技术方案实现 本技术一种超宽带双频合路器,包括合路端口、对应接收第一频段 的第一端口和对应接收第二频段的第二端口 ,以及两个同轴谐振子带通滤波 器和两路直流通路,其中,第一直流通路接入第一端口和合路端口之间;第 二直流通路接入第二端口和合路端口之间,第一同轴谐振子带通滤波器一端 通过第一隔直电容与第一端口电性连接;第二同轴谐振子带通滤波器一端通 过第二隔直电容与第二端口电性连接;第一和第二同轴谐振子带通滤波器的 另一端共同通过第三隔直电容与合路端口电性连接,所述各隔直电容均为分 布参数式电容。所述第一和第二同轴谐振子带通滤波器均包括同轴腔体和顺次排列在同 轴腔体内的若干谐振柱。两个同轴谐振子带通滤波器中,相邻两个谐振柱之 间设有用于加强耦合效果的脊柱。所述各隔直电容均包括内导体、绝缘体和套筒,绝缘体套设在内导体外 围,套筒则套设在绝缘体外围,所述套筒用于与第一和/或第二同轴谐振子带 通滤波器电性连接;所述内导体用于与第一和/或第二直流通路电性连接,并 进而连接至其所邻接的端口 。较佳地,所述第一同轴谐振子带通滤波器的谐振柱个数为5个;所述第 二同轴谐振子带通滤波器的谐振柱个数为6个。第一直流通路包括有与第一隔直电容的内导体电性连接的第一低通滤波器;第二直流通路包括有与第二隔直电容的内导体电性连接的第二低通滤波 器;第一和第二直流通路还共同包括第三低通滤波器,该第三低通滤波器与 第三隔直电容的内导体电性连接。根据本技术的实施例所揭示的内容,所述第 一和第二同轴谐振子带 通滤波器设置于箱体中,该箱体包括本体、盖板和盖体,所述本体设有由金 属板分隔的所述两个同轴谐振子带通滤波器,本体側边设置有所述合路端口 、 第一和第二端口 ,所述各隔直电容置于两个同轴谐振子带通滤波器的同轴腔 体内;所述盖板固定在本体上面;所述第一和第二直流通路设置在该盖板上, 其中,第一和第二直流通路的各低通滤波器分别通过支撑件固定在同轴腔体 上表面的边缘;所述盖体与本体锁固。所述盖板对应两个同轴谐振子带通滤波器设置有穿越盖板深入其两个同 轴腔体的若干调谐螺杆,用于调节同轴谐振子的谐振频率和耦合量。较佳地,支撑件上表面与盖板底面之间留有不小于0,2毫米的间隙,以保 证射频信号的良好电性能。盖板还开设有通孔,该通孔覆盖有戈尔透气膜。与现有技术相比,本技术具有如下有益效果本技术用同轴谐 振子带通滤波器实现的2G/3G超宽带双频合路器,利用独特的方式,实现直 流通路和射频信号通路间的相互隔离。分布参数式隔直电容的应用,使应用 本技术的产品能大大缩小体积,而且,本技术对整体结构进行了布 局,通过结构的改进还带来了差损小、功率容量大、通道间隔离度高等优点。附困说明图1是本技术的原理框图;图2是本技术产品的组合结构立体图;图3是图2中A部分的放大图; 图4是图2中第一同轴谐振子带通滤波器的纵中剖视示意图; 图5是图2中笫二同轴谐振子带通滤波器的纵中剖视示意图; 图6是图2中盖板的直流电通路电路板示意图。具体实施方式本技术超宽带双频合路器主要用于对2G和3G信号进行合路,具体 请参阅图2所示的实物产品。图2中,合路器整体为一箱体,由本体6、盖板2和盖体4共同组成。本体6的左侧iii殳置第一端口 Port2和第二端口 Port3,分别用于接收 806 - 960MHz和1710 - 2170MHz的射频信号,本体6右侧边则设置合路端口 Portl,合路端口 Portl可输出第一和第二端口 (Port2和Port3)合成后的 射频信号,或输入信号分路到第一或第二端口 (Port2和Port3)。本体6上集成了两个射频通路,即第一射频通路和第二射频通路,第一 射频通路由第一端口 Port2、第一隔直电容(图中未示出,可参阅第三隔直 电容68),同轴谐振子带通滤波器(610和611)、第三隔直电容68、合路端口 依次电性连接组成;第二射频通路则由第二端口 Port3、第二隔直电容(图 中未示出,可参阅第三隔直电容68),同轴谐振子带通滤波器(620和621)、 第三隔直电容68、合路端口依次电性连接组成。可见,每个射频通路均包括有同轴谐振子带通滤波器(610和611; 620 和621),并且还共同包括所述第三隔直电容68。每个同轴谐振子带通滤波器(610和611; 620和621)均包括同轴腔体 610, 620和若干谐振柱611, 621,如图2所示,本体6中部形成的空腔净皮一 金属板分隔为两个同轴腔体610, 620,对应第一射频通路为第一同轴腔体 610,对应第二射频通路则为第二同轴腔体620。金属板63的分隔使第一和 第二射频通路具有更高的隔离度。第一同轴腔体610中,顺次并排设置有5根谐振柱611,其中,邻近第一端口 Port2的谐振柱通过导线与第一隔直电 容(参阅68)进而与第一端口 Port2电性连接,另外远端的最后一根谐振柱 则通过导线671与所述第三隔直电容68电性连4妻。同理,第二同轴腔体620 顺次并排设置6个谐振柱621,其邻近第二端口 Port3的谐振柱通过导线与 第二隔直电容(参阅68)进而与第二端口 Port3电性连接,另外一端的i皆才展 柱同样通过导线672与所述第三隔直电容68电性连接。所述两个同轴i皆振本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种超宽带双频合路器,包括合路端口、对应接收第一频段的第一端口和对应接收第二频段的第二端口,以及两个同轴谐振子带通滤波器和两路直流通路,其特征在于:    第一直流通路接入第一端口和合路端口之间;第二直流通路接入第二端口和合路端口之间,第一同轴谐振子带通滤波器一端通过第一隔直电容与第一端口电性连接;第二同轴谐振子带通滤波器一端通过第二隔直电容与第二端口电性连接;第一和第二同轴谐振子带通滤波器的另一端共同通过第三隔直电容与合路端口电性连接,所述各隔直电容均为分布参数式电容。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:邸英杰何涛贺斌舒萌萌黄景民
申请(专利权)人:京信通信系统中国有限公司
类型:实用新型
国别省市:81[中国|广州]

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