静电防护结构、显示基板和显示装置。该静电防护结构包括第一放电间隙单元和静电环结构；第一放电间隙单元包括第一间隙电极、第二间隙电极和第一半导体块；静电环结构包括第一连接端和第二连接端；第一间隙电极和第二间隙电极在平行于第一半导体块的主表面的第一方向上相对间隔设置，并分别在垂直于第一半导体块的第二方向上与第一半导体块交叠；第一间隙电极被配置为连接第一导电端，第二间隙电极与静电环单元的第一连接端相连，第二连接端被配置为将来自第一导电端的电荷导出。该静电防护结构能够防止传统结构因过大静电导致静电环的栅极和源极短接而引起的不良，且具有更低的起始动作电压和稳压作用，从而可更好地对静电释放进行防护。释放进行防护。释放进行防护。
【技术实现步骤摘要】
静电防护结构、显示基板和显示装置
[0001]本公开的实施例涉及一种静电防护结构、显示基板和显示装置。
技术介绍
[0002]随着显示技术的不断发展，显示技术已经应用到各种各样电子产品中，并且其应用场景也越来越广泛。然而，静电释放(Electro
‑
Static Discharge，ESD)在显示装置的生产过程和用户的使用过程中会对显示装置造成不良影响，甚至是严重的损伤，从而造成产品稳定性差、使用体验差等问题。因此，如何对静电释放进行防护是显示领域中研究的热点之一。
[0003]另一方面，在显示装置的制作过程中产生的ESD具有不可控、随机、破坏力大、拦截风险大等特点，因此，静电释放也是显示技术中难以解决的问题之一，并且也是影响显示装置的产品良率的主要负面因素之一。
技术实现思路
[0004]本公开实施例提供一种静电防护结构、显示基板和显示装置。该静电防护结构包括第一放电间隙单元和静电环结构。当第一间隙电极和第二间隙电极之间的电压较小，例如小于阈值电压时，第一间隙电极和第二间隙电极相对间隔设置，因此不能传输电荷；而当第一间隙电极和第二间隙电极之间的电压较大，例如大于阈值电压时，相对设置的第一间隙电极和第二间隙电极可通过第一半导体块导通，从而将电荷进行传输。并且，相对于通常的静电防护结构而言，本公开实施例提供的静电防护结构具有更低的起始动作电压和稳压作用，从而可更好地对静电释放进行防护；另外，本公开实施例提供的静电防护结构可以承受更高的极限电压和电流，而其本身不受损伤。另一方面，该放电间隙单元不存在栅极，因此即使部分膜层被烧毁，也不会出现短路现象。并且，即使静电环结构出现短路现象，放电间隙单元仍可保证被该静电防护结构相连的两个导电端不会短路。
[0005]本公开至少一个实施例提供一种静电防护结构，其包括：第一放电间隙单元，包括第一间隙电极、第二间隙电极和第一半导体块；以及静电环结构，包括第一连接端和第二连接端；所述第一间隙电极和所述第二间隙电极在平行于所述第一半导体块的主表面的第一方向上相对间隔设置，并分别在垂直于所述第一半导体块的第二方向上与所述第一半导体块交叠，所述第一间隙电极被配置为连接第一导电端，所述第二间隙电极与所述静电环单元的所述第一连接端相连，所述第二连接端被配置为将来自所述第一导电端的电荷导出。
[0006]例如，本公开一实施例提供的静电防护结构还包括：第二放电间隙单元，包括第三间隙电极、第四间隙电极和第二半导体块，所述第三间隙电极和所述第四间隙电极在平行于所述第二半导体块的主表面的第三方向上相对间隔设置，并分别在垂直于所述第二半导体块的第四方向上与所述第二半导体块交叠，所述第二连接端与所述第三间隙电极相连，所述第四间隙电极被配置为连接第二导电端。
[0007]例如，在本公开一实施例提供的静电防护结构中，所述静电防护结构设置在所述
第一导电端和所述第二导电端之间。
[0008]例如，在本公开一实施例提供的静电防护结构中，所述第一间隙电极与所述第二间隙电极在所述第一方向上的距离的取值范围为5
‑
32微米。
[0009]例如，在本公开一实施例提供的静电防护结构中，所述第三间隙电极和所述第四间隙电极在所述第三方向上的距离的取值范围为5
‑
32微米。
[0010]例如，在本公开一实施例提供的静电防护结构中，所述第一半导体块的材料包括单晶硅、多晶硅和氧化物半导体中的至少一种。
[0011]例如，在本公开一实施例提供的静电防护结构中，所述第二半导体块的材料包括单晶硅、多晶硅和氧化物半导体中的至少一种。
[0012]例如，在本公开一实施例提供的静电防护结构中，所述静电环结构包括至少一个静电环单元，各所述静电环单元包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的第一栅极和第一源极电性相连，所述第二薄膜晶体管的第二栅极和第二源极电性相连，所述第一薄膜晶体管的第一漏极与所述第二薄膜晶体管的第二源极相连，所述第二薄膜晶体管的第二漏极与所述第一薄膜晶体管的第一源极相连。
[0013]例如，在本公开一实施例提供的静电防护结构中，所述静电环结构包括多个所述静电环单元，多个所述静电环单元相互串联或并联。
[0014]本公开至少一个实施例还提供一种显示基板，包括上述任一项所述的静电防护结构。
[0015]例如，本公开一实施例提供的显示基板还包括：衬底基板，包括显示区和周边区；多个导电垫片，位于所述周边区，相邻两个所述导电垫片之间设置有一个所述静电防护结构，相邻两个所述导电垫片中的一个为所述第一导电端，相邻两个所述导电垫片中的另一个为所述第二导电端。
[0016]例如，本公开一实施例提供的显示基板还包括：多条信号线，与所述多个导电垫片一一对应设置，各所述信号线的一端与对应的所述导电垫片相连，各所述信号线从所述周边区延伸进入所述显示区。
[0017]例如，在本公开一实施例提供的显示基板中，所述静电环结构包括至少一个静电环单元，各所述静电环单元包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的第一栅极和第一源极电性相连，所述第二薄膜晶体管的第二栅极和第二源极电性相连，所述第一薄膜晶体管的第一漏极与所述第二薄膜晶体管的第二源极相连，所述第二薄膜晶体管的第二漏极与所述第一薄膜晶体管的第一源极相连。
[0018]例如，在本公开一实施例提供的显示基板中，所述静电环结构包括多个所述静电环单元，多个所述静电环单元相互串联或并联。
[0019]例如，本公开一实施例提供的显示基板还包括：栅极层，位于所述衬底基板上；栅极绝缘层，位于所述栅极层远离所述衬底基板的一侧；半导体层，位于所述栅极绝缘层远离所述栅极层的一侧；以及源漏电极层，位于所述半导体层远离所述栅极绝缘层的一侧，所述第一半导体块位于所述半导体层，所述第一间隙电极和所述第二间隙电极位于所述源漏电极层，所述第一薄膜晶体管还包括第一有源层，所述第二薄膜晶体管还包括第二有源层，所述第一有源层和所述第二有源层位于所述半导体层，所述第一栅极和所述第二栅极位于所述栅极层，所述第一源极、所述第二源极、所述第一漏极和所述第二漏极位于所述源漏电极
层。
[0020]例如，本公开一实施例提供的显示基板还包括：钝化层，位于所述源漏电极层远离所述半导体层的一侧；以及导电层，位于所述钝化层远离所述源漏电极层的一侧，所述导电层包括第一导电部和第二导电部，所述第一薄膜晶体管的所述第一栅极和所述第一源极通过所述第一导电部电性相连，所述第二薄膜晶体管的所述第二栅极和所述第二源极通过所述第二导电部电性相连。
[0021]本公开至少一个实施例还提供一种显示装置，其包括上述任一项所述的显示基板。
附图说明
[0022]为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。
[0023]图1为一种静电防护结构的结构示意本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种静电防护结构，包括：第一放电间隙单元，包括第一间隙电极、第二间隙电极和第一半导体块；以及静电环结构，包括第一连接端和第二连接端；其中，所述第一间隙电极和所述第二间隙电极在平行于所述第一半导体块的主表面的第一方向上相对间隔设置，并分别在垂直于所述第一半导体块的第二方向上与所述第一半导体块交叠，所述第一间隙电极被配置为连接第一导电端，所述第二间隙电极与所述静电环单元的所述第一连接端相连，所述第二连接端被配置为将来自所述第一导电端的电荷导出。2.根据权利要求1所述的静电防护结构，还包括：第二放电间隙单元，包括第三间隙电极、第四间隙电极和第二半导体块，其中，所述第三间隙电极和所述第四间隙电极在平行于所述第二半导体块的主表面的第三方向上相对间隔设置，并分别在垂直于所述第二半导体块的第四方向上与所述第二半导体块交叠，所述第二连接端与所述第三间隙电极相连，所述第四间隙电极被配置为连接第二导电端。3.根据权利要求2所述的静电防护结构，其中，所述静电防护结构设置在所述第一导电端和所述第二导电端之间。4.根据权利要求1
‑
3中任一项所述的静电防护结构，其中，所述第一间隙电极与所述第二间隙电极在所述第一方向上的距离的取值范围为5
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32微米。5.根据权利要求2或3所述的静电防护结构，其中，所述第三间隙电极和所述第四间隙电极在所述第三方向上的距离的取值范围为5
‑
32微米。6.根据权利要求1
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3中任一项所述的静电防护结构，其中，所述第一半导体块的材料包括单晶硅、多晶硅和氧化物半导体中的至少一种。7.根据权利要求2或3所述的静电防护结构，其中，所述第二半导体块的材料包括单晶硅、多晶硅和氧化物半导体中的至少一种。8.根据权利要求1
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3中任一项所述的静电防护结构，其中，所述静电环结构包括至少一个静电环单元，各所述静电环单元包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的第一栅极和第一源极电性相连，所述第二薄膜晶体管的第二栅极和第二源极电性相连，所述第一薄膜晶体管的第一漏极与所述第二薄膜晶体管的第二源极相连，所述第二薄膜晶体管的第二漏极与所述第一薄膜晶体管的第一源极相连。9.根据权利要求8所述的静电防护结构，其中，所述静电环结构包括多个所述静电环单元，多个所述静电环单元相互串联或并联。1...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙东领，尹小斌，李文东，王盛，祝政委，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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