一种含酰胺结构和三氟甲基的二酐单体、聚酰亚胺薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种含酰胺结构和三氟甲基的二酐单体，其结构式如式(1)所示。本发明专利技术还公开了一种低介电常数聚酰亚胺薄膜及其制备方法，该聚酰亚胺薄膜是由聚酰胺酸溶液经过亚胺化得到，其中聚酰胺酸溶液原料中的二酐单体包括上述含酰胺结构和三氟甲基的二酐单体。本发明专利技术的二酐单体应用于制备聚酰亚胺薄膜，不仅可以降低集成电路中的层间电介质在高频下(10GHz)的能量功耗损耗，从而可以大大减少集成电路中的电阻

【技术实现步骤摘要】
一种含酰胺结构和三氟甲基的二酐单体、聚酰亚胺薄膜及其制备方法


[0001]本专利技术涉及聚酰亚胺材料
，尤其涉及一种含酰胺结构和三氟甲基的二酐单体、聚酰亚胺薄膜及其制备方法。

技术介绍

[0002]封装是一种将半导体芯片相互互连以及与输入和输出设备等外围设备互连的结构。基本上，封装可以支持芯片的后续处理、处理和性能，可以保护芯片免受湿气、灰尘和气体的影响，并保持进出芯片的电信号的完整性。随着集成电路的快速发展，出现了更高级别的集成(如超大规模集成电路(VLSI)、超高速集成电路(VHSIC)等)，从而对电路封装提出了更高的要求。因此，需要对封装电子电路的性能、效率和寿命产生最小不利影响的情况下实现所需的功能，其中封装材料的介电特性对于信号的传输起着至关重要的作用。
[0003]介电特性包括介电常数和介质损耗，其中介电常数通常用于描述材料的介电特性。介电常数和介质损耗越低，从电场吸收的能量越少。在微电子封装中，需要低介电材料，低介电常数(2.0至3.0)应在直流至GHz的宽频率范围内几乎保持不变，介质损耗应与频率无关。PI满足此类电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种含酰胺结构和三氟甲基的二酐单体，其特征在于，其结构式如式(1)所示：2.一种如权利要求1所述的含酰胺结构和三氟甲基的二酐单体的制备方法，其特征在于，包括：在溶剂中，在缚酸剂的存在下，将3,5
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二氨基三氟甲苯、1,2,4
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偏苯三酸酐酰氯在惰性气氛下进行取代反应，即得。3.根据权利要求2所述的含酰胺结构和三氟甲基的二酐单体的制备方法，其特征在于，3,5
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二氨基三氟甲苯与1,2,4
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偏苯三酸酐酰氯的摩尔比为1:2～1：2.5。4.根据权利要求2所述的含酰胺结构和三氟甲基的二酐单体的制备方法，其特征在于，所述缚酸剂为三乙胺、二异丙基乙胺、吡啶、4
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二甲氨基吡啶中的至少一种，所述溶剂为二氯甲烷、氯仿、N,N
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二甲基甲酰胺、N,N
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二甲基乙酰胺中的至少一种。5.根据权利要求2所述的含酰胺结构和三氟甲基的二酐单体的制备方法，其特征在于，所述取代反应的温度为0～25℃，时间为6～12h。6.一种低介电常数聚酰亚胺薄膜，其特征在于，是由聚酰胺酸溶液经过亚胺化得到，所述聚酰胺酸溶液是由二胺单体、二酐单体在强极性非质子型有机溶剂中缩聚得到；所述二酐单体包括二酐A和二酐B，其中二酐A为权利要求1所述的含酰胺结构和三氟甲基的二酐单体，二酐B为均苯四甲酸二酐、3,3',4,4'
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联苯四甲酸二酐、3,3',4,4'
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二苯醚四甲酸二酐、4,4
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六氟异丙基邻苯二甲酸酐中的至少一种，二酐A占二酐单体总摩尔量的20％～60％。7.根据权利要求6所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙善卫，刘明阳，潘士泉，苏敬华，
申请(专利权)人：安徽国风新材料技术有限公司，
类型：发明
国别省市：