干刻尾气回收三氟化氮的方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种干刻尾气回收三氟化氮的方法及装置，属于废气处理领域，方法包括将含三氟化氮的干刻尾气鼓风至水喷淋塔洗涤，以脱除在刻蚀过程中产生的金属氟化物颗粒，获得第一流股；将所述第一流股加压至第一压力后冷却，采用第一吸附塔去除高沸点组分，并从所述第一吸附塔的塔顶获得高压干燥的第二流股；将所述第二流股依次送入串联的冷凝温度分别为T1和T2的低温冷凝器，T1>T2，使第二流股中的三氟化氮被部分冷凝液化，液化部分由底部流出为第三流股；将所述第三流股由泵增压后通过引入第二压力的中压精馏塔，进行精馏，底部得到纯净的三氟化氮。通过本申请的处理方案，降低污染，资源循环利用。资源循环利用。资源循环利用。

【技术实现步骤摘要】
干刻尾气回收三氟化氮的方法及装置


[0001]本专利技术涉及废气处理领域，具体涉及一种干刻尾气回收三氟化氮的方法及装置。

技术介绍

[0002]干法刻蚀(Dry Etching)工程是利用Plasma中处于激发态中分子和离子的化学反应、物理反应而对刻蚀对象进行刻蚀。在半导体工艺中，为获取两微米或更窄线条宽度，干法腐蚀技术已成为普遍采用的方法。NF3是近年来发展迅速的信息产业中优良的等离子蚀刻和清洗气体。NF3气体用于干法刻蚀时，可提高晶片制造中的自动化水平，减轻劳动强度，增大安全系数，具有高蚀刻速率、高选择性和污染物残留小的优点，并已成为腐蚀多晶硅和二氧化硅的通用腐蚀剂。
[0003]干法刻蚀工艺产生的尾气往往含有有毒有害成分，需要进行处理。因此，需要通过尾气处理装置对干法刻蚀设备的尾气进行处理，从而达到排放标准，减少对大气的污染。
[0004]在室温条件下，NF3是一种反应能力不强的氟化剂，但在加温时它的反应能力和氟相似，因为它有大量的分解物NF2和F。在采用三氟化氮干法蚀刻制程的刻蚀反应中，会产生大量含有有害粉尘的尾气，而此本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种干刻尾气回收三氟化氮的方法，其特征在于，包括：将含三氟化氮的干刻尾气鼓风至水喷淋塔洗涤，以脱除在刻蚀过程中产生的金属氟化物颗粒，获得第一流股；将所述第一流股加压至第一压力后冷却，采用第一吸附塔去除高沸点组分，并从所述第一吸附塔的塔顶获得高压干燥的第二流股；将所述第二流股依次送入串联的冷凝温度分别为T1和T2的低温冷凝器，T1>T2，使第二流股中的三氟化氮被部分冷凝液化，液化部分由底部流出为第三流股；将所述第三流股由泵增压后通过引入第二压力的中压精馏塔，进行精馏，底部得到纯净的三氟化氮。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：将从所述中压精馏塔顶部得到的第七流股引入第三压力的低压精馏塔进行精馏；从所述低压精馏塔的下部得到的第八流股为高纯的三氟化氮，与所述中压精馏塔底部得到的三氟化氮汇合；从所述低压精馏塔的顶部排出的第九流股，加压与所述第二流股合并。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：对储存在所述中压精馏塔底部的三氟化氮液体定期在外部加热升温，使溶解在所述三氟化氮中的低沸点组分闪蒸，脱除低沸点组分的三氟化氮液体返回所述中压精馏塔的底端。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一吸附塔采用变压吸附，对高沸点组分进行吸附，设置在所述第一吸附塔的吸附剂为活性氧化铝分子筛、13X分子筛、CaX分子筛和活性炭中的至少一种。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，T1和T2的温差不小于20℃，T1采用机械制冷的冷凝器，T2采用冷媒制冷的冷凝器。6.根据权利要求5所...

【专利技术属性】
技术研发人员：张丽娇，尚家庄，修国华，
申请(专利权)人：上海森崚半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：