晶体振荡器及其制作方法技术

本发明专利技术涉及一种晶体振荡器及其制作方法，该晶体振荡器包含薄化压电基板、第一电极、第二电极、及支撑框架。所述薄化压电基板具有彼此相对的第一表面与第二表面。所述第一电极包括位于第一表面的第一电极部、及自所述第一电极部延伸至第二表面的第一延伸电极部。所述第二电极位于所述第二表面，包括第二电极部、及自所述第二电极部延伸的第二延伸电极部。所述支撑框架设置于第二表面。本发明专利技术利用所述支撑框架以对所述薄化压电基版提供支撑，且所述支撑框架由光致抗蚀剂材料构成，因此可利用制程控制其结构形状，以精准地控制所述支撑框架的厚度、宽度与形状。宽度与形状。宽度与形状。

【技术实现步骤摘要】
晶体振荡器及其制作方法


[0001]本专利技术涉及一种振荡器及其制作方法，特别涉及一种具有高振荡频率的晶体振荡器及其制作方法。

技术介绍

[0002]石英晶体为陶瓷压电材料其中一种，经常被用来制作具有高振荡频率的晶体振荡器，而可被应用于各种电子产品中。
[0003]现有的晶体振荡器大致包括由石英晶体构成的振荡基板、及两个分别形成于所述振荡基板相对两表面并用于供对外电连接的电极。其中，石英晶体的厚度越薄，能产生的振荡频率就越高，因此，业界通常会利用薄化方式使所述振荡基板的厚度可达到所需的振荡频率。为了避免薄化后的振荡基板的强度不足、无法承受外力，而可能在后续制程造成毁损，因此，业界通常会选择以局部薄化的方式，使得所述振荡基板外围形成有厚度较厚且与所述振荡基板相同材质的框架，而可供夹持或供作为与其它电子元件连接的连接区，并用于增加薄化后的所述振荡基板的机械支撑力。
[0004]如，日本专利技术专利第JP2014154994A号公开案揭示了一种振动元件，所述振动元件的基板具有成平板状的振动部、以及与所述振动部一体化且厚度较厚的厚壁部(本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶体振荡器的制作方法，其特征在于，包含：第一电极部形成步骤，于具有预定厚度的压电基板的其中一表面形成第一电极部，得到半成品；薄化步骤，将所述半成品的压电基板进行全面薄化，而得到厚度小于所述压电基板的厚度的薄化压电基板；第二电极形成步骤，于所述薄化压电基板反向所述第一电极部的表面形成第二电极，所述第二电极具有对应于所述第一电极部的第二电极部，及自所述第二电极部延伸至所述薄化压电基板周缘的第二延伸电极部；第一延伸电极形成步骤，形成自所述第一电极部延伸并沿着所述薄化压电基板的侧周面延伸至所述薄化压电基板形成有所述第二电极的表面的第一延伸电极部；及支撑框架形成步骤，以光致抗蚀剂材料在形成有所述第二电极的所述薄化压电基板的表面上形成支撑框架，令所述第二电极部位于所述支撑框架内侧，并令所述第二延伸电极部的至少部分位于所述支撑框架的外侧。2.根据权利要求1所述的晶体振荡器的制作方法，其特征在于，还包含实施于所述薄化步骤前的贴合步骤，所述贴合步骤用于将所述半成品以所述第一电极部朝向暂时基板的方向贴合于所述暂时基板。3.根据权利要求2所述的晶体振荡器的制作方法，其特征在于，还包含实施于所述支撑框架形成步骤后的移除步骤，所述移除步骤用于将所述暂时基板自所述薄化压电基板移除。4.根据权利要求1所述的晶体振荡器的制作方法，其特征在于，所述支撑框架形成步骤使用的所述光致抗蚀剂材料选自正型光致抗蚀剂材料或负型光致抗蚀剂材料。5.根据权利要求1所述的晶体振荡器的制作方法，其特征在于，所述第一电极部及所述第二电极是以导电材...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪瑞华，林逸伦，
申请(专利权)人：安碁科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：