压电层叠体及压电元件制造技术

本发明专利技术涉及压电层叠体及压电元件。本发明专利技术提供一种能够抑制压电特性的下降，且与以往相比能够更加抑制制造成本的压电层叠体及压电元件。压电层叠体及压电元件在基板上依次具备下部电极层和包含钙钛矿型氧化物的压电膜，下部电极层包括包含Ni的金属层和包含Ni氧化物或Ni氧氮化物的表面层，在下部电极层中，表面层配置于最靠近压电膜侧。层配置于最靠近压电膜侧。层配置于最靠近压电膜侧。

【技术实现步骤摘要】
压电层叠体及压电元件


[0001]本专利技术涉及一种压电层叠体及压电元件。

技术介绍

[0002]作为具有优异的压电性及强介电性的材料，已知有钛酸锆酸铅(Pb(Zr，Ti)O3，以下称为PZT。)等钙钛矿型氧化物。由钙钛矿型氧化物构成的压电体被用作在基板上具备下部电极、压电膜及上部电极的压电元件中的压电膜。该压电元件被扩展到存储器、喷墨头(致动器)、微镜器件、角速度传感器、陀螺仪传感器、超声波元件(PMUT：Piezoelectric Micromachined Ultrasonic Transducer：压电微机械超声换能器)及振动发电器件各种器件中。
[0003]由于钙钛矿结构中的氧过度或不足，钙钛矿型氧化物的压电特性发生显著变化。尤其，在PZT膜等包含Pb的钙钛矿型氧化物中，由于氧容易脱离，压电膜中产生氧缺陷，由此容易产生压电特性的下降及耐久性的下降等。为了抑制钙钛矿型氧化物中氧脱离，在下部电极及上部电极的与压电膜相接的区域上使用SRO(SrRuO3)、IrO2等导电性氧化物很有效。然后，在与压电膜相接的区域上使用导电性氧化物的情本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种压电层叠体，其在基板上依次具备：下部电极层和包含钙钛矿型氧化物的压电膜，所述下部电极层包括：包含Ni的金属层和包含Ni氧化物或Ni氧氮化物的表面层，在所述下部电极层中，所述表面层配置于最靠近所述压电膜侧。2.根据权利要求1所述的压电层叠体，其中，在所述表面层的厚度方向上，Ni元素的含量从最靠近所述压电膜侧至所述金属层以增加趋势变化且所述含量的变化是连续的，并且从所述表面层至所述金属层的所述含量的变化是连续的。3.根据权利要求1或2所述的压电层叠体，其中，所述表面层的厚度为20nm～60nm。4.根据权利要求1或2所述的压电层叠体，其中，在所述下部电极层与所述压电膜之间具备取向控制层，该取向控制层包含与所述Ni氧化物不同的金属氧化物。5.根据权利要求4...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐佐木勉，望月文彦，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：