操作存储器件的方法及执行该方法的存储器件技术

提供了一种操作存储器件的方法及执行该方法的存储器件。在操作存储器件的方法中，接收使得所述存储器件进入空闲模式的第一命令。基于与所述存储器件相关联的工艺、电压和温度(PVT)变化来调整参考时间间隔。所述参考时间间隔用于确定功率控制操作的开始时间点，所述功率控制操作用于降低所述存储器件的功耗。基于所述第一命令来内部地测量维持所述空闲模式的第一时间间隔。响应于所述第一时间间隔比所述参考时间间隔长来执行所述功率控制操作。所述参考时间间隔长来执行所述功率控制操作。所述参考时间间隔长来执行所述功率控制操作。

【技术实现步骤摘要】
操作存储器件的方法及执行该方法的存储器件
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年9月1日在韩国知识产权局(KIPO)提交的韩国专利申请No.10
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2021
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0116346的优先权，其内容通过引用整体合并于此。


[0003]示例性实施例总体上涉及半导体集成电路，更具体地涉及操作存储器件的方法和执行该方法的存储器件。

技术介绍

[0004]半导体存储器件通常可以依据其在断电时是否保持所存储的数据而被划分成两类。这两类被称为在断电时丢失所存储的数据的易失性存储器件以及在断电时保持所存储的数据的非易失性存储器件。近来，可以在各种移动系统中采用易失性存储器件。因为降低移动系统的功耗较为重要，所以研究者也针对降低移动系统中包括的易失性存储器件的功耗开展了各种研究项目。

技术实现思路

[0005]本公开的至少一个示例性实施例提供一种操作存储器件的方法，所述方法能够在诸如掉电模式、休眠模式等空闲模式下高效地降低功耗。
[0006]本公开的至少一个示例性实施例提供一种存储器件，所述存储器件执行操作所述存储器件的方法。
[0007]根据示例性实施例，在操作存储器件的方法中，接收使得所述存储器件进入空闲模式的第一命令。基于与所述存储器件相关联的工艺、电压和温度(PVT)变化来调整参考时间间隔。所述参考时间间隔用于确定功率控制操作的开始时间点，所述功率控制操作用于降低所述存储器件的功耗。基于所述第一命令来内部地测量维持所述空闲模式的第一时间间隔。响应于所述第一时间间隔比所述参考时间间隔长来执行所述功率控制操作。
[0008]根据示例性实施例，一种存储器件包括命令译码器、定时器、参考时间间隔控制电路、功率控制电路和逻辑块。所述命令译码器接收使得所述存储器件进入空闲模式的第一命令。所述定时器基于所述第一命令来内部地测量维持所述空闲模式的第一时间间隔。所述参考时间间隔控制电路基于与所述存储器件相关联的工艺、电压和温度(PVT)变化来调整参考时间间隔。所述参考时间间隔用于确定功率控制操作的开始时间点，所述功率控制操作用于降低所述存储器件的功耗。所述功率控制电路响应于所述第一时间间隔比所述参考时间间隔长来执行所述功率控制操作。所述逻辑块的功耗通过所述功率控制操作被降低。
[0009]根据示例性实施例，在操作存储器件的方法中，接收使得所述存储器件进入空闲模式的第一命令，并且基于所述第一命令来生成功率控制使能信号。基于与所述存储器件相关联的工艺、电压和温度(PVT)变化来调整参考时间间隔。所述参考时间间隔用于确定功
率控制操作的开始时间点，所述功率控制操作用于降低所述存储器件的功耗。使用定时器来内部地测量维持所述空闲模式的第一时间间隔，所述定时器基于所述功率控制使能信号而被激活。响应于所述第一时间间隔比所述参考时间间隔长，使用功率控制电路来执行所述功率控制操作，所述功率控制电路基于所述功率控制使能信号而被激活。响应于在执行了所述功率控制操作之后所述存储器件接收到使得所述存储器件退出所述空闲模式的第二命令，所述功率控制操作终止并且退出所述空闲模式。响应于在所述第一时间间隔变得比所述参考时间间隔长之前所述存储器件接收到所述第二命令，退出所述空闲模式而不执行所述功率控制操作。当调整所述参考时间间隔时，基于所述存储器件中包括的多个晶体管的特性来设置所述参考时间间隔。所述多个晶体管的特性是在制造所述存储器件时确定的。基于所述存储器件的工作电压来设置所述参考时间间隔。基于所述存储器件的工作温度来设置所述参考时间间隔。当执行所述功率控制操作时，执行将施加到所述存储器件的电源电压阻断的电源门控操作。执行调整施加到所述多个晶体管的至少一个体偏置电压的自适应体偏置操作。
[0010]在根据示例性实施例的操作存储器件的方法和存储器件中，可以检测存储器件维持空闲模式的第一时间间隔，当第一时间间隔短于或等于参考时间间隔时，可以省略功率控制操作，并且仅当第一时间间隔比参考时间间隔长时才可以执行功率控制操作以降低存储器件的功耗。另外，可以基于工艺、电压和温度信息来调整或控制参考时间间隔，并且因此可以确定当存储器件进入空闲模式时用于执行功率控制操作的优化定时。因此，可以高效地降低存储器件的功耗。
附图说明
[0011]根据以下结合附图进行的详细描述，将更清楚地理解说明性的非限制性示例实施例。
[0012]图1是示出根据示例性实施例的操作存储器件的方法的流程图。
[0013]图2是用于描述根据示例性实施例的存储器件的操作模式的图。
[0014]图3和图4是示出根据示例性实施例的存储器件的框图。
[0015]图5是示出图3和图4的存储器件中包括的定时器的示例的框图。
[0016]图6、图7和图8是示出图4的存储器件中包括的参考时间间隔控制电路中包括的工艺、电压和温度表的示例的图。
[0017]图9和图10是示出图3和图4的存储器件中包括的功率控制电路的示例的框图。
[0018]图11是示出图1中的调整参考时间间隔的示例的流程图。
[0019]图12是示出图1中的调整参考时间间隔的另一个示例的流程图。
[0020]图13是用于描述图12的操作的流程图。
[0021]图14是示出图1中的调整参考时间间隔的又一个示例的流程图。
[0022]图15是用于描述图14的操作的流程图。
[0023]图16是示出图1中的调整参考时间间隔并内部地测量第一时间间隔的示例的流程图。
[0024]图17是示出图1中的执行功率控制操作的示例的流程图。
[0025]图18是用于描述图17的操作的流程图。
[0026]图19是示出图1中的执行功率控制操作的另一个示例的流程图。
[0027]图20和图21是用于描述图19的操作的流程图。
[0028]图22和图23是示出根据示例性实施例的操作存储器件的方法的流程图。
[0029]图24是用于描述根据示例性实施例的操作存储器件的方法的图。
[0030]图25是示出根据示例性实施例的包括存储器件的存储器系统的框图。
[0031]图26是示出根据示例性实施例的包括存储器件的计算系统的框图。
具体实施方式
[0032]将参考示出了各种示例性实施例的附图更全面地描述这些示例性实施例。然而，可以以许多不同的形式来实现本专利技术，并且本专利技术不应当被理解为限于在本文阐述的示例性实施例。贯穿本申请，相同附图标记指的是相同元件。
[0033]图1是示出根据示例性实施例的操作存储器件的方法的流程图。图2是用于描述根据示例性实施例的存储器件的操作模式的图。
[0034]参考图1和图2，在根据示例性实施例的操作存储器件的方法中，存储器件在执行正常操作的正常模式下或在执行低功率操作的空闲模式(或低功率模式)下工作。
[0035]例如，如图2所示，正常模式110表示执行数据写入操本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种操作存储器件的方法，所述方法包括：接收使得所述存储器件进入空闲模式的第一命令；基于与所述存储器件相关联的工艺、电压和温度变化来调整参考时间间隔，所述参考时间间隔用于确定功率控制操作的开始时间点，所述功率控制操作用于降低所述存储器件的功耗；基于所述第一命令来内部地测量维持所述空闲模式的第一时间间隔；以及响应于所述第一时间间隔比所述参考时间间隔长来执行所述功率控制操作。2.根据权利要求1所述的方法，其中，调整所述参考时间间隔包括：基于所述存储器件中包括的多个晶体管的特性来设置所述参考时间间隔，所述多个晶体管的特性是在制造所述存储器件时确定的。3.根据权利要求1所述的方法，其中，调整所述参考时间间隔包括：基于所述存储器件的工作电压来设置所述参考时间间隔。4.根据权利要求3所述的方法，其中，基于所述存储器件的工作电压设置所述参考时间间隔包括：随着所述存储器件的工作电压增加而减小所述参考时间间隔；以及随着所述存储器件的工作电压减小而增加所述参考时间间隔。5.根据权利要求1所述的方法，其中，调整所述参考时间间隔包括：基于所述存储器件的工作温度来设置所述参考时间间隔。6.根据权利要求5所述的方法，其中，基于所述存储器件的工作温度来设置所述参考时间间隔包括：随着所述存储器件的工作温度升高而减小所述参考时间间隔；以及随着所述存储器件的工作温度降低而增加所述参考时间间隔。7.根据权利要求1所述的方法，其中，执行所述功率控制操作包括：执行将施加到所述存储器件的电源电压阻断的电源门控操作。8.根据权利要求7所述的方法，其中，执行所述电源门控操作包括：在所述第一时间间隔变得比所述参考时间间隔长的第一时间点生成电源门控控制信号；以及基于所述电源门控控制信号阻断向所述存储器件施加所述电源电压的电力路径。9.根据权利要求7所述的方法，其中，执行所述功率控制操作还包括：执行自适应体偏置操作，所述自适应体偏置操作调整施加到所述存储器件中包括的至少一个晶体管的至少一个体偏置电压。10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述至少一个体偏置电压被改变以增加所述至少一个晶体管的阈值电压。11.根据权利要求9所述的方法，其中：所述至少一个晶体管包括p型金属氧化物半导体晶体管，所述至少一个体偏置电压包括施加到所述p型金属氧化物半导体晶体管的第一体偏置电压，并且执行所述自适应体偏置操作包括：增加所述第一体偏置电压的电压电平。
12.根据权利要求9所述的方法，其中：所述至少一个晶体管包括n型金属氧化物半导体晶体管，所述至少一个体偏置电压包括施加到所述n型金属氧化物半导体晶体管的第二体偏置电压，并且执行所述自适应体偏置操作包括：减小所述第二体偏置电压的电压电平。13.根据权利要求1所述的方法，其中：所述存储器件包括振荡器，所述振荡器被配置为生成振荡信号，并且内部地测量所述第一时间间隔的操作是使用所述振荡器执行的。14.根据权利要求13所述的方法，其中，调整所述参考时间间隔的操作是通过调整所述振荡信号的频率执行的。15.一种存储器件，所述存储器件包括：命令译码器，所述命令译码器被配置为接收使得所述存储器件进入空闲模式的第一命令；定时器，所述定时器被配置为基于所述第一命令来内部地测量维持所述空闲模式的第一时间间隔；参考时间间隔控制电路，所述参考时...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴东延，朴泳宰，金衡辰，吴凛，崔轸湧，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：