用于去除原料中杂质的多孔材料制造技术

本发明专利技术涉及一种包含氧化铝的多孔材料，所述氧化铝包括α

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于去除原料中杂质的多孔材料


[0001]本专利技术涉及包含氧化铝的多孔材料，特别是用于去除原料中杂质的多孔材料。多孔材料包括氧化铝，氧化铝包括α氧化铝和任选的θ氧化铝。多孔材料还包括选自Co、Mo、Ni、W及其组合的至少一种金属，并且具有1
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110m2/g的BET表面积。多孔材料具有0.50
‑
0.80ml/g，例如0.50
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0.75ml/g，或0.55
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0.70ml/g，或0.60
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0.70ml/g(如通过压汞法测量的)的总孔隙体积，和孔径分布(PSD)，其中总孔隙体积的至少30vol％，例如至少40vol％，至少50vol％，或至少60vol％为半径≥(40nm)的孔隙，适当地为半径≥(50nm)的孔隙，例如半径至多(500nm)的孔隙。本专利技术还涉及一种通过使所述原料与包括上述多孔材料的保护床接触，从含有杂质的原料(如可再生进料)中去除一种或多种杂质(例如磷(P))的方法。本专利技术还涉及一种用于加氢处理系统的包括多孔材料的保护床，一种包括包含多孔材料的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种包含氧化铝的多孔材料，
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所述氧化铝包括α
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氧化铝，
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所述多孔材料包含一种或多种选自Co、Mo、Ni、W及其组合的金属，
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所述多孔材料具有1
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110m2/g的BET表面积，其中
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所述多孔材料具有的总孔隙体积为0.50
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0.80ml/g，例如0.50
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0.75ml/g，或0.55
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0.70ml/g，或0.60
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0.70ml/g，如通过压汞孔法测量的，且
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所述多孔材料具有孔径分布(PSD)，其中总孔隙体积的至少30vol％，例如至少40vol％，至少50vol％，或至少60vol％为半径≥的孔隙，适当地为半径≥的孔隙，例如半径至多的孔隙。2.根据权利要求1所述的多孔材料，其中至多60vol％的所述总孔隙体积，例如至多40vol％的所述总孔隙体积为半径小于的孔隙，例如半径小至或小至的孔隙。3.根据权利要求1
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2中任一项所述的多孔材料，其中所述α
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氧化铝的含量为50
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100wt％。4.根据权利要求1
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2中任一项所述的多孔材料，所述氧化铝还包括θ
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氧化铝和任选的γ
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氧化铝。5.根据权利要求1
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4中任一项所述的多孔材料，其中所述一种或多种金属的含量为0.25
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20wt％。6.根据权利要求1
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5中任一项所述的多孔材料，还包括选自硼酸铝、铝酸钙、铝酸硅及其组合的化合物。7.根据权利要求1
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6中任一项所述的多孔材料，其中所述一种或多种金属包括Mo，并且其含量为0.5
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15wt％，例如0.5
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10wt％、或0.5
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5wt％、或0.5
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3wt％、或0.5
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1.5wt％。8.根据权利要求7所述的多孔材料，还包括0.1
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5wt％的Ni、Co和W中的至少一种。9.根据权利要求7所述的多孔材料，还包括0.05
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0.5wt％的Ni；此外任选地，所述多孔材料不包括选自Co、W的一种或多种金属，即所述多孔材料不含Co和/或W。10.根据权利要求1
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9中任一项所述的多孔材料，其中所述BET表面积为1
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【专利技术属性】
技术研发人员：C，
申请(专利权)人：托普索公司，
类型：发明
国别省市：