具备共同位置涡电流位移传感器的磁轴承制造技术

本发明专利技术涉及具备共同位置涡电流位移传感器的磁轴承，更详细地讲，涉及用于减少传感器安装空间和制作费用且减少传感器噪音问题的具备共同位置涡电流位移传感器的磁轴承。用于实现上述目的的本发明专利技术的结构提供具备共同位置涡电流位移传感器的磁轴承，包含：电磁铁部，具有内侧中空形成的圆形的壳体和沿着上述壳体内侧周围配置有多个的电磁铁；放大器单元，结合在上述电磁铁部的一侧；线圈配线部，结合在上述电磁铁部的另一侧；以及多个传感器部，沿着上述电磁铁部的内侧周围配置，两端部分别与上述线圈配线部和上述放大器单元结合而配置在上述线圈配线部及上述放大器单元之间，上述传感器部配置为，在与悬浮在上述电磁铁部内侧的悬浮体共同位置上对上述悬浮体的位移进行测定。行测定。行测定。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具备共同位置涡电流位移传感器的磁轴承


[0001]本专利技术涉及具备共同位置涡电流位移传感器的磁轴承，更详细地讲，涉及用于减少传感器安装空间和制作费用且减少传感器噪音问题的具备共同位置涡电流位移传感器的磁轴承。

技术介绍

[0002]一般，磁轴承构成为，在旋转轴周围配置具有强磁性的磁铁或电磁铁，通过磁悬浮使形成在旋转轴垂直方向上的悬浮体浮起来，从而起到轴承作用。
[0003]更具体地，磁轴承与以往一般的滚珠轴承不同，通过不与旋转体直接接触的非接触方式，能够使悬浮体通过磁力悬浮在半空来进行悬浮体的旋转或直线运动。
[0004]由于以往的轴承会经常产生由接触引起的摩擦，因此最近用于最小化摩擦的磁轴承使用于各种领域。
[0005]关于磁轴承，为了防止悬浮体与磁铁的接触并控制轴承的正确的动作，需要对旋转体的轴向位移进行测定。
[0006]图1是以往的磁轴承位移控制用传感器的例示图。
[0007]如图1所示，以往的磁轴承1需要在由电磁铁构成的轴承2的旁边设置传感器3，因此另外需要传感器3的安装空间。
[0008]另外，如图1所示，当传感器3位于轴承2的旁边时，悬浮体和传感器3未被对齐为位于同轴上，存在位移测定准确度降低且难以进行设计和控制的问题。
[0009]因此，需要用于减少传感器安装空间和制作费用且减少传感器噪音问题的具备同轴涡电流位移传感器的磁轴承。
[0010]现有技术文献韩国专利第10
‑
1158812号

技术实现思路

[0011]专利技术要解决的问题
[0012]用于解决如上所述问题的本专利技术的目的在于，提供用于减少传感器安装空间和制作费用且减少传感器噪音问题的具备共同位置涡电流位移传感器的磁轴承。
[0013]本专利技术所要解决的技术课题不限于以上言及的技术课题，本专利技术所属
的技术人员能够从以下的记载明确地理解未言及的其他技术课题。
[0014]用于解决问题的手段
[0015]用于实现上述目的的本专利技术的结构提供具备共同位置涡电流位移传感器的磁轴承，其特征是，包含：电磁铁部，具有内侧中空形成的圆形的壳体和沿着上述壳体内侧周围配置有多个的电磁铁；放大器单元，结合在上述电磁铁部的一侧；线圈配线部，结合在上述电磁铁部的另一侧；以及多个传感器部，沿着上述电磁铁部的内侧周围配置，两端部分别与上述线圈配线部和上述放大器单元结合而配置在上述线圈配线部及上述放大器单元之间，上述传感器部配置为，在与悬浮在上述电磁铁部内侧的悬浮体同轴上对上述悬浮体的位移
进行测定。
[0016]在本专利技术的实施例中，其特征可以是，上述电磁铁部包含：垂直框架，配置在上述壳体与上述电磁铁之间，向上述线圈配线部和上述放大器单元延伸形成；以及水平框架，形成在上述垂直框架的端部，配置为与上述线圈配线部和上述放大器单元结合。
[0017]在本专利技术的实施例中，其特征可以是，上述传感器部包含：传感器基板，由PCB构成；传感器线圈，形成在上述传感器基板；以及突出体，从上述传感器基板的四角，沿着上述传感器基板的长度方向突出形成，上述突出体配置为，夹紧结合在形成于上述线圈配线部和上述增幅部的孔。
[0018]在本专利技术的实施例中，其特征可以是，还包含支承部，该支承部结合在上述传感器部与上述壳体之间，以具有与上述传感器部对应的长度的方式延伸形成，上述支承部在与上述传感器部垂直的方向上配置。
[0019]在本专利技术的实施例中，其特征可以是，上述传感器部包含：中央孔，形成在由PCB构成的传感器基板的中央；以及边缘孔，在上述传感器基板的长度方向上形成于两端侧，上述传感器部配置为，上述支承部夹紧结合在上述中央孔和上述边缘孔。
[0020]在本专利技术的实施例中，其特征可以是，还包含加强部，该加强部配置为两端与上述线圈配线部和上述增幅部结合。
[0021]在本专利技术的实施例中，其特征可以是，上述电磁铁部还包含柱子部，该柱子部配置在上述壳体与上述线圈配线部之间，上述柱子部沿着上述壳体的另一侧面周围配置有多个。
[0022]在本专利技术的实施例中，其特征可以是，还包含结合部，该结合部配置为在上述水平框架上进一步结合上述传感器部并固定。
[0023]在本专利技术的实施例中，其特征可以是，上述传感器部包含：传感器基板，由PCB构成；传感器线圈，形成在上述传感器基板；以及夹紧孔，形成在上述传感器基板的四角部分。
[0024]在本专利技术的实施例中，其特征可以是，上述结合部包含：结合主体，形成主体，在与上述传感器基板平行的方向上延伸形成；一对夹紧体，从上述结合主体的两端分别向相邻的上述夹紧孔延伸形成，夹紧结合在上述夹紧孔；以及一对固定体，分别从上述结合主体的两端延伸形成，以与相邻的上述水平框架结合。
[0025]专利技术效果
[0026]基于如上所述结构的本专利技术的效果为，能够减少传感器安装空间和制作费用且能够减少传感器噪音问题。
[0027]另外，本专利技术通过夹紧结合容易进行传感器部的组装及分离。
[0028]另外，本专利技术在电磁铁部旋转的情况下，支承部也向与传感器部垂直的方向配向而支承传感器部，因此能够防止传感器基板弯曲或变形的问题。
[0029]本专利技术的效果不限于上述的效果，应理解为，包含能够从记载于本专利技术的说明书或权利要求书的专利技术结构推论的所有效果。
附图说明
[0030]图1是以往的磁轴承位移控制用传感器的例示图。
[0031]图2是基于本专利技术的第一实施例的具备共同位置涡电流位移传感器的磁轴承的增
幅部侧的立体图。
[0032]图3是基于本专利技术的第一实施例的具备共同位置涡电流位移传感器的磁轴承的线圈配线部侧的立体图。
[0033]图4是基于本专利技术的第一实施例的具备共同位置涡电流位移传感器的磁轴承的拆卸增幅部的状态的立体图。
[0034]图5是基于本专利技术的第一实施例的具备共同位置涡电流位移传感器的磁轴承的放大传感器部部分的立体图。
[0035]图6是基于本专利技术的第一实施例的传感器部的立体图。
[0036]图7是基于本专利技术的第二实施例的具备共同位置涡电流位移传感器的磁轴承的增幅部侧的立体图。
[0037]图8是基于本专利技术的第二实施例的具备共同位置涡电流位移传感器的磁轴承的线圈配线部侧的立体图。
[0038]图9是基于本专利技术的第二实施例的具备共同位置涡电流位移传感器的磁轴承的拆卸增幅部的状态的立体图。
[0039]图10是基于本专利技术的第二实施例的具备共同位置涡电流位移传感器的磁轴承的放大传感器部部分的立体图。
[0040]图11是基于本专利技术的第二实施例的传感器部的立体图。
[0041]图12是基于本专利技术的第三实施例的具备共同位置涡电流位移传感器的磁轴承的拆卸增幅部的立体图。
[0042]图13是基于本专利技术的第三实施例的具备共同位置涡电流位移传感器的磁轴承的线圈配线部侧的立体图。
[0043]图本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种具备共同位置涡电流位移传感器的磁轴承，其特征在于，包含：电磁铁部，具有内侧中空形成的圆形的壳体和沿着所述壳体内侧周围配置有多个的电磁铁；放大器单元，结合在所述电磁铁部的一侧；线圈配线部，结合在所述电磁铁部的另一侧；以及多个传感器部，沿着所述电磁铁部的内侧周围配置，两端部分别与所述线圈配线部和所述放大器单元结合而配置在所述线圈配线部及所述放大器单元之间，所述传感器部配置为，在与悬浮在所述电磁铁部内侧的悬浮体共同位置上对所述悬浮体的位移进行测定。2.根据权利要求1所述的具备共同位置涡电流位移传感器的磁轴承，其特征在于，所述电磁铁部包含：垂直框架，配置在所述壳体与所述电磁铁之间，向所述线圈配线部和所述放大器单元延伸形成；以及水平框架，形成在所述垂直框架的端部，配置为与所述线圈配线部和所述放大器单元结合。3.根据权利要求1所述的具备共同位置涡电流位移传感器的磁轴承，其特征在于，所述传感器部包含：传感器基板，由PCB构成；传感器线圈，形成在所述传感器基板；以及突出体，从所述传感器基板的四角，沿着所述传感器基板的长度方向突出形成，所述突出体配置为，夹紧结合在形成于所述线圈配线部和所述放大器单元。4.根据权利要求1所述的具备共同位置涡电流位移传感器的磁轴承，其特征在于，所述具备共同位置涡电流位移传感器的磁轴承还包含支承部，该支承部结合在所述传感器部与所述壳体之间，以具有与所述传感器部对应的长度的方式延伸形成，所述支承部在与所述传感器部垂直的方向上配置。5.根据权利要求4所述的具备共同位置涡电流位移...

【专利技术属性】
技术研发人员：安亨濬，
申请(专利权)人：崇实大学校产学协力团，
类型：发明
国别省市：