远红外线感测元件以及包含其的传感器制造技术

本发明专利技术公开一种远红外线感测元件以及包含其的传感器，其中该远红外线感测元件包括基板、设置于基板上的光吸收层、设置于光吸收层中的感测层、氧化铟锡(ITO)层以及导电插塞。光吸收层还具有数个接触窗开口，感测层具有延伸部延伸至所述接触窗开口。氧化铟锡层设置于所述光吸收层与所述基板之间，其中所述氧化铟锡层具有第一部分与数个第二部分。第一部分位于感测层下方作为反射层，第二部分与其上方的光吸收层作为数个支臂连接至感测层的延伸部。导电插塞则分别连接支臂与基板中的内连线，并于反射层与基板之间形成绝热空间。反射层与基板之间形成绝热空间。反射层与基板之间形成绝热空间。

【技术实现步骤摘要】
远红外线感测元件以及包含其的传感器


[0001]本专利技术涉及一种远红外线感测技术，且特别是涉及一种远红外线感测元件以及包含其的传感器。

技术介绍

[0002]远红外线微热辐射计(IR Micro
‑
Bolometer)是一种利用感测人体发出的远红外线，并转换为电信号输出的温度传感器。
[0003]目前已有利用微机电技术制作的远红外线微热辐射计，例如使用非晶硅作为感测层的热阻式(Thermoresistive)远红外线微热辐射计。
[0004]然而，远红外线微热辐射计对环境温度很敏感，所以如何阻绝不必要的温度传导已成为重要课题。而且，目前为了环境绝热，制作工艺中通常使用聚酰亚胺(PI)这种类光致抗蚀剂材料作为牺牲层，因而带来厚度不易控制以及后续沉积机台有颗粒污染的问题发生。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供一种远红外线感测元件，具有优异的绝热效果，且制作工艺成本低的优势。
[0006]本专利技术另提供一种远红外线传感器，含有上述远红外线感测元件。
[0007]本专利技术的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种远红外线感测元件，包括：基板；光吸收层，设置于所述基板上，其中所述光吸收层具有数个接触窗开口；感测层，设置于所述光吸收层中，且所述感测层具有延伸部延伸至所述数个接触窗开口；氧化铟锡(ITO)层，设置于所述光吸收层与所述基板之间，其中所述ITO层具有第一部分与数个第二部分，所述第一部分位于所述感测层下方作为反射层，所述数个第二部分与其上方的所述光吸收层作为数个支臂连接至所述感测层的所述延伸部；以及数个导电插塞，分别连接所述数个支臂与所述基板中的内连线，并于所述反射层与所述基板之间形成绝热空间。2.如权利要求1所述的远红外线感测元件，其中所述ITO层的厚度在以上。3.如权利要求1所述的远红外线感测元件，其中所述ITO层与所述感测层之间的距离d符合下式(1)：d＝λ/4n1ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
式(1)其中n1为所述光吸收层的折射率，λ为吸收光波长。4.如权利要求1所述的远红外线感测元件，其中所述光吸收层包括：氧化硅层、氮化硅层或者氧化硅层与氮化硅层的组合。5.如权利要求1所述的远红外线感测元件，其中所述光吸收层包括：第一氮化硅层，位于所述感测层上；以及第一氧化硅层，位于所述第一氮化硅层上。6.如权利要求5所述的远红外线感测元件，其中所述第一氮化硅层的厚度在之间。7.如权利要求5所述的远红外线感测元件，其中所述第一氧化硅层的厚度在以下。8.如权利要求1所述的远红外线感测元件，其中所述光吸收层包括：第二氮化硅层，位于所述感测层下；以及...

【专利技术属性】
技术研发人员：张锦维，苏韦企，陈文吉，
申请(专利权)人：力晶积成电子制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：