单芯片上的多轴MEMS传感融合装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种单芯片上的多轴MEMS传感融合装置，其包括：磁传感器；三轴陀螺仪，其被设置的包围所述磁传感器，所述磁传感器和所述三轴陀螺仪设置于同一个芯片中。这样，由单一芯片加工集成磁传感器和三轴陀螺仪，可以节省芯片面积，降低成本。降低成本。降低成本。

【技术实现步骤摘要】
单芯片上的多轴MEMS传感融合装置


[0001]本专利技术涉及微机电系统(Micro
‑
Electro
‑
Mechanical System,MEMS)
，尤其涉及一种单芯片上的多轴MEMS传感融合装置。

技术介绍

[0002]目前磁传感器、陀螺仪都是被单独制造成独立的芯片，这样的设置导致所述磁传感器和所述陀螺仪会占用更大的面积，成本也更高。
[0003]因此，亟需提出一种新的技术方案来解决上述问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的之一在于提供一种单芯片上的多轴MEMS传感融合装置，其可以将成磁传感器和三轴陀螺仪集成至单一芯片中，这样可以节省芯片面积，降低成本。
[0005]根据本专利技术的一个方面，本专利技术提供一种单芯片上的多轴MEMS传感融合装置，其包括：磁传感器；三轴陀螺仪，其被设置的包围所述磁传感器，所述磁传感器和所述三轴陀螺仪设置于同一个芯片中。
[0006]进一步的，所述磁传感器位于所述三轴陀螺仪的中央。<br/>[0007]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单芯片上的多轴MEMS传感融合装置，其特征在于，其包括：磁传感器；三轴陀螺仪，其被设置的包围所述磁传感器，所述磁传感器和所述三轴陀螺仪设置于同一个芯片中。2.根据权利要求1所述的单芯片上的多轴MEMS传感融合装置，其特征在于，所述磁传感器位于所述三轴陀螺仪的中央。3.根据权利要求1所述的单芯片上的多轴MEMS传感融合装置，其特征在于，所述三轴陀螺仪包括：第一X轴质量块、第二X轴质量块、第一Y轴质量块、第二Y轴质量块、第一Z轴质量块、第二Z轴质量块；第一驱动机构、第二驱动机构、第三驱动机构、第四驱动机构；第一驱动电极组、第二驱动电极组、第三驱动电极组、第四驱动电极组；第一X轴检测电极、第二X轴检测电极、第一Y轴检测电极、第二Y轴检测电极、第一Z轴检测电极、第二Z轴检测电极；锚点，其中第一X轴检测电极设置于第一X轴质量块的下方，第一X轴质量块与第一X轴检测电极构成第一X轴检测电容，第二X轴检测电极设置于第二X轴质量块的下方，第二X轴质量块与第二X轴检测电极构成第二X轴检测电容，第一Y轴检测电极设置于第一Y轴质量块的下方，第一Y轴质量块与第一Y轴检测电极构成第一Y轴检测电容，第二Y轴检测电极设置于第二Y轴质量块的下方，第二Y轴质量块与第二Y轴检测电极构成第二Y轴检测电容，第一Z轴检测电极设置于第一Z轴质量块的中间，第一Z轴质量块与第一Z轴检测电极构成第一Z轴检测电容，第二Z轴检测电极设置于第二Z轴质量块的中间，第二Z轴质量块与第二Z轴检测电极构成第二Z轴检测电容。4.根据权利要求3所述的单芯片上的多轴MEMS传感融合装置，其特征在于，第一驱动电极组、第二驱动电极组、第三驱动电极组、第四驱动电极组分别设置于第一驱动机构、第二驱动机构、第三驱动机构、第四驱动机构中间位置，驱动机构上设置有动疏齿，驱动电极组上设置有定疏齿，通过向驱动电极组上加电压，产生静电力，进而驱动驱动机构产生运动。5.根据权利要求4所述的单芯片上的多轴MEMS传感融合装置，其特征在于，第一X轴质量块和第二X轴质量块为长条形，分别设置于磁传感器的沿X轴的两侧，X轴质量块的长边沿Y轴延伸，第一Y轴质量块和第二Y轴质量块为长条形，分别设置于磁传感器的沿Y轴的两侧，Y轴质量块的长边沿X轴延伸，第一Z轴质量块和第二Z轴质量块为长条形，分别设置于磁传感器的沿Y轴的两侧，并且第一Z轴质量块位于第一Y轴质量块的外侧或内侧，第二Z轴质量块位于第二Y轴质量块的外侧或内侧，Z轴质量块的长边沿X轴延伸，第一X轴质量块和第二X轴质量块被驱动机构驱动的沿Y轴往复运动，第一X轴质量块和第二X轴质量块的运动方向相反，第一Y轴质量块和第二Y轴质量块被第一X轴质量块和第二X轴质量块带动的沿X轴往复
运动，第一Y轴质量块和第二Y轴质量块的运动方向相反，第一Z轴质量块和第二Z轴质量块被第一Y轴质量块和第二Y轴质量块带动的沿X轴往复运动，第一Z轴质量块和第二Z轴质量块的运动方向相反，当敏感到X轴有角速率输入时，由于科氏效应产生科氏力，会推动第一X轴质量块和第二X轴质量块沿Z轴反向运动，从而导致第一X轴检测电容和第二X轴检测电容的值发生差分变化，通过检测第一X轴检测电容和第二X轴检测电容的值的变化，得到X轴上的角速率；当敏感到Y轴有角速率输入时，由于科氏效应产生科氏力，会推动第一Y轴质量块和第二Y轴质量块沿Z轴反向运动，从而导致第一Y轴检测电容和第二Y轴检测电容的值发生差分变化，通过检测第一Y轴检测电容和第二Y轴检测电容的值的变化，得到Y轴上的角速率；当敏感到Z轴有角速率输入时，由于科氏效应产生科氏力，推动

【专利技术属性】
技术研发人员：金羊华，丁希聪，储莉玲，黄黎，
申请(专利权)人：美新半导体天津有限公司，
类型：发明
国别省市：