本发明专利技术公开了一种控制微控制器烧写程序的方法、烧写上位机和存储介质，所述控制微控制器烧写程序的方法，用于烧写上位机，所述烧写上位机配置有N个具有烧写控制关联性的烧写模式，N为大于1的整数，所述方法包括：控制所述微控制器依次以N个所述烧写模式进行程序烧写；获取每个已用烧写模式下微控制器的烧写数据的校验结果；根据校验结果确定微控制器的最终烧写状态。该方法可以有效避免单一烧写模式时因烧写环境不稳定导致微控制器误判为不良品的问题，提升量产良率。提升量产良率。提升量产良率。
【技术实现步骤摘要】
控制微控制器烧写程序的方法、烧写上位机和存储介质
[0001]本专利技术涉及微控制器
，尤其是涉及一种控制微控制器烧写程序的方法、烧写上位机和存储介质。
技术介绍
[0002]相关技术中，微控制器需再烧写软件程序后才能执行相应功能，具体地，在批量生产时，通过烧写上位机发送与微控制器对应的固定指令，使得微控制器进入烧写模式，然后通过烧写总线对微控制器进行程序数据烧写。以及，在烧写完成后，对烧写的程序数据进行回读校验，若校验正确时，则认为烧写成功；当因微控制器自身不良或者烧写过程中受到某些干扰时，对烧写的程序数据进行回读校验，校验错误，则认为烧写失败，在此情况下，烧写上位机会重复上述烧写过程，若再一次校验错误时，则判定该微控制器为不良品。
[0003]但是，在微控制器程序烧写过程中，由于环境、烧写总线临时干扰、微控制器烧写端口接触不稳定等因素，会导致原本为良品的微控制器程序烧写失败，仅通过上述方式实施后则认为是不良品，从而降低量产良率、提高维护成本，问题识别性差。
技术实现思路
[0004]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术的一个目的在于提出一种控制微控制器烧写程序的方法，该方法可以有效避免单一烧写模式时因烧写环境不稳定导致微控制器误判为不良品的问题，提升量产良率。
[0005]本专利技术的目的之二在于提出一种烧写上位机。
[0006]本专利技术的目的之三在于提出一种计算机可读存储介质。
[0007]为了解决上述问题，本专利技术第一方面实施例的控制微控制器烧写程序的方法，用于烧写上位机，所述烧写上位机配置有N个具有烧写控制关联性的烧写模式，N为大于1的整数，所述方法包括：控制所述微控制器依次以N个所述烧写模式进行程序烧写，其中，以第n个烧写模式烧写完成后，回读并校验所述第n个烧写模式下所述微控制器的烧写数据，所述第n个烧写模式下所述微控制器的烧写数据校验失败，则切换至第n+1个烧写模式，所述第n个烧写模式下所述微控制器的烧写数据校验成功，则停止程序烧写，n+1≤N；获取每个已用烧写模式下所述微控制器的烧写数据的校验结果；根据所述校验结果确定所述微控制器的最终烧写状态。
[0008]根据本专利技术实施例的控制微控制器烧写程序的方法，通过烧写上位机配置N个具有烧写控制关联性的烧写模式，在烧写数据时，依次以N个烧写模式进行程序烧写，并可以根据每个已用烧写模式下的烧写状态和烧写结果自动切换烧写模式，也就是，在每个已用烧写模式运行后，若确定烧写数据校验失败则可依次切换为下一种烧写模式继续进行烧写，并根据每个已用烧写模式下微控制器的烧写数据的校验结果来判断微控制器的最终烧写状态，由此，可以有效避免单一烧写模式时因烧写环境不稳定导致微控制器误判为不良品的问题，提升量产良率，降低维护成本，提升效率。
[0009]在一些实施例中，所述根据所述校验结果确定所述微控制器的最终烧写状态，包括：若N个所述烧写模式下所述微控制器的烧写数据均校验失败，则确定所述微控制器烧写失败；若N个所述烧写模式中的任意一个烧写模式下所述微控制器的烧写数据校验成功，则确定所述微控制器烧写成功。
[0010]在一些实施例中，N＝3，三个烧写模式包括第一烧写模式、第二烧写模式和第三烧写模式，其中，所述第一烧写模式配置有第一烧写速率和直接存储体存取烧写格式，所述第二烧写模式配置有第二烧写速率和直接存储体存取烧写格式以及每笔烧写时间间隔为所述第一烧写格式的预设倍数，所述第三烧写模式配置有第三烧写速率和单笔数据烧写格式且每笔数据烧写均反馈校验信息，其中，所述第一烧写速率小于等于所述微控制器的最大烧写速率，所述第二烧写速率小于所述第一烧写速率，所述第三烧写速率小于所述第二烧写速率。
[0011]在一些实施例中，所述第一烧写速率等于所述微控制器的最大烧写速率，所述预设倍数为两倍。
[0012]在一些实施例中，所述方法包括：控制微控制器以所述第一烧写模式烧写数据；在数据烧写完成后，回读并校验所述第一烧写模式下所述微控制器的烧写数据；所述第一烧写模式下所述微控制器的烧写数据校验成功，则确定所述微控制器烧写成功；所述第一烧写模式下所述微控制器的烧写数据校验失败，则切换至所述第二烧写模式。
[0013]在一些实施例中，所述方法还包括：控制所述微控制器以所述第二烧写模式烧写数据；在数据烧写完成后，回读并校验所述第二烧写模式下所述微控制器的烧写数据；所述第二烧写模式下所述微控制器的烧写数据校验成功，则确定所述微控制器烧写成功；所述第二烧写模式下所述微控制器的烧写数据校验失败，则切换至所述第三烧写模式。
[0014]在一些实施例中，所述方法还包括：控制所述微控制器以所述第三烧写模式烧写数据，其中，将整个烧写过程拆分为多笔烧写；获取每笔烧写反馈的校验信息；根据所述校验信息确定多笔烧写均校验成功，则确定所述微控制器烧写成功；根据所述校验信息确定多笔烧写中的任意一笔烧写校验失败，则确定所述微控制器为不良品。
[0015]在一些实施例中，所述方法还包括：记录每个烧写模式的使用次数；根据每个所述烧写模式的使用次数确定当前烧写环境的稳定性，并进行稳定性提示。
[0016]本专利技术第二方面实施例提供一种烧写上位机，包括：至少一个处理器；与所述至少一个处理器通信连接的存储器；所述存储器中存储有N个具有烧写控制关联性的烧写模式和可被所述至少一个处理器执行的计算机程序，所述至少一个处理器执行所述计算机程序时实现上述实施例所述的控制微控制器烧写程序的方法，其中，N为大于1的整数。
[0017]根据本专利技术实施例的烧写上位机，通过处理器在运行时执行上述实施例提供的控制微控制器烧写程序的方法，可以有效避免单一烧写模式时因烧写环境不稳定导致微控制器误判为不良品的问题，提升量产良率。
[0018]本专利技术第三方面实施例提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时，实现上述实施例所述的控制微控制器烧写程序的方法。
[0019]本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。
附图说明
[0020]本专利技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
[0021]图1是根据本专利技术一个实施例的控制微控制器烧写程序的方法的流程图；
[0022]图2是根据本专利技术另一个实施例的控制微控制器烧写程序的方法的流程图；
[0023]图3是根据本专利技术一个实施例的烧写上位机的结构框图；
[0024]图4是根据本专利技术另一个实施例的烧写上位机的结构框图。
具体实施方式
[0025]下面详细描述本专利技术的实施例，参考附图描述的实施例是示例性的，下面详细描述本专利技术的实施例。
[0026]为了解决上述问题，本专利技术第一方面实施例提出一种控制微控制器烧写程序的方法，该方法，该方法可以有效避免单一烧写模式时因烧写环境不稳定导致微控制器误本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种控制微控制器烧写程序的方法，其特征在于，用于烧写上位机，所述烧写上位机配置有N个具有烧写控制关联性的烧写模式，N为大于1的整数，所述方法包括：控制所述微控制器依次以N个所述烧写模式进行程序烧写，其中，以第n个烧写模式烧写完成后，回读并校验所述第n个烧写模式下所述微控制器的烧写数据，所述第n个烧写模式下所述微控制器的烧写数据校验失败，则切换至第n+1个烧写模式，所述第n个烧写模式下所述微控制器的烧写数据校验成功，则停止程序烧写，n+1≤N；获取每个已用烧写模式下所述微控制器的烧写数据的校验结果；根据所述校验结果确定所述微控制器的最终烧写状态。2.根据权利要求1所述的控制微控制器烧写程序的方法，其特征在于，所述根据所述校验结果确定所述微控制器的最终烧写状态，包括：若N个所述烧写模式下所述微控制器的烧写数据均校验失败，则确定所述微控制器烧写失败；若N个所述烧写模式中的任意一个烧写模式下所述微控制器的烧写数据校验成功，则确定所述微控制器烧写成功。3.根据权利要求1所述的控制微控制器烧写程序的方法，其特征在于，N＝3，三个烧写模式包括第一烧写模式、第二烧写模式和第三烧写模式，其中，所述第一烧写模式配置有第一烧写速率和直接存储体存取烧写格式，所述第二烧写模式配置有第二烧写速率和直接存储体存取烧写格式以及每笔烧写时间间隔为所述第一烧写格式的预设倍数，所述第三烧写模式配置有第三烧写速率和单笔数据烧写格式且每笔数据烧写均反馈校验信息，其中，所述第一烧写速率小于等于所述微控制器的最大烧写速率，所述第二烧写速率小于所述第一烧写速率，所述第三烧写速率小于所述第二烧写速率。4.根据权利要求3所述的控制微控制器烧写程序的方法，其特征在于，所述第一烧写速率等于所述微控制器的最大烧写速率，所述预设倍数为两倍。5.根据权利要求3或4所述的控制微控制器烧写程序的方法，其特征在于，所述方法包括：控制微控制器以所述第一烧写模式烧写数据；...
【专利技术属性】
技术研发人员：周博，李奇峰，
申请(专利权)人：比亚迪半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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