Ba3Sc2(BO3)4紫外双折射晶体、制备及应用制造技术

本发明专利技术提供一种Ba3Sc2(BO3)4紫外双折射晶体、制备及应用。该Ba3Sc2(BO3)4紫外双折射晶体为中心对称结构，属三方晶系，空间群为P

【技术实现步骤摘要】
Ba3Sc2(BO3)4紫外双折射晶体、制备及应用


[0001]本专利技术涉及紫外双折射光学材料领域。更具体地，涉及一种Ba3Sc2(BO3)4紫外双折射晶体、制备及应用。

技术介绍

[0002]紫外双折射材料能够调制紫外光的偏振，在民用、工业和科学研究领域有着广泛的应用。迄今为止，一系列紫外双折射晶体包括MgF2、α
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BaB2O4、YBa3B9O
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、Ca3(BO3)2等已被报道并实现商业化。然而，它们自身的缺点严重阻碍了其更广泛的实际应用：MgF2受限于双折射太小(0.012@405nm)；除了大的各向异性热膨胀系数和易潮解特性外，α相到β相之间的相变使得α
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BaB2O4无法获得高质量的体块晶体；对于YBa3B9O
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，由于存在以400nm为中心的严重吸收，它从500nm到220nm透光率急剧下降，仅剩下10％；Ca3(BO3)2也表现出小的双折射(0.0968@630nm)，并且在200nm以下的范围表现出低透射率。因此，寻找能够同时满足实现两个关键目的：具有本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种紫外双折射晶体，其特征在于，化学式为Ba3Sc2(BO3)4，为中心对称结构，属三方晶系，空间群为P
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3m1，晶胞参数为α＝90
°
，β＝90
°
，γ＝120
°
，Z＝1，2.一种如权利要求1所述的紫外双折射晶体的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将含钡化合物、含钪化合物和含硼化合物按比例配成原料粉，在铂坩埚中加热，先进行预烧，后降至室温，研磨后再进行焙烧，降温得Ba3Sc2(BO3)4粉末；将Ba3Sc2(BO3)4粉末与助熔剂混合均匀得到晶体生长料，将晶体生长料置于晶体生长炉中，升温至熔融态，先进行一次降温至晶体生长温度，生长完毕后将晶体提至熔体液面以上，再进行二次降温至室温得到Ba3Sc2(BO3)4晶体。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述一次降温的速率为0.5～2℃/h，所述二次降温的速率为5～15℃。4.一种如权利要求1所述的紫外双折射晶体的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将含钡化合物、含钪化合物、含硼化合物按比例配成原料粉，与助熔剂混合后，在铂坩埚中加热至熔融态，降至室温得到晶体生长料；将晶体生长料置于晶体生长炉中，升温至熔融态，搅拌，一段降温至晶体生长温度后放入籽晶杆，之后进行二段降温同时转动籽晶杆，待晶体生长完毕后，提升籽晶杆，将附着在籽晶杆上的晶体提离液面，三段降温至室温得到Ba3Sc2(BO3)4晶体。5.一种如权利要求1所述的紫外双折射晶体的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将含钡化合物、含钪化合物和含硼化合物按一定比例配成原料粉，在铂坩埚中加热，先进行预烧，后降至室温，研磨后再进行焙烧，降温得Ba3Sc2(BO3)4粉末；...

【专利技术属性】
技术研发人员：李如康，周静芳，
申请(专利权)人：中国科学院理化技术研究所，
类型：发明
国别省市：