一种超声波清洗结构以及具备该清洗结构的装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种超声波清洗结构以及具备该清洗结构的装置，包括支撑机构，所述支撑机构上设置下辊轮，所述下辊轮的上方设置等离子超声波干清洗机头，所述等离子超声波干清洗机头内设有等离子发生腔室，所述等离子发生腔室内设有等离子体发生装置，所述等离子超声波干清洗机头的底端设有等离子体射流口，所述等离子发生腔室内的等离子从所述等离子体射流口射出，所述等离子超声波干清洗机头的底端设有超声波发生装置。本发明专利技术通过等离子超声波干清洗机头使玻璃基板在下辊轮上进行输送时会受到超声波以及等离子的双重清洗作用，从而将基板上的有机物和无机物清除干净，同时对基板表面改性，增加基板的表面能，增加镀膜附着力。增加镀膜附着力。增加镀膜附着力。

【技术实现步骤摘要】
一种超声波清洗结构以及具备该清洗结构的装置


[0001]本专利技术涉及清洗装置
，尤其涉及一种超声波清洗结构以及具备该清洗结构的装置。

技术介绍

[0002]目前，玻璃基板一般在镀膜前都会进行清洗工艺处理，将玻璃基板上的有机物以及无机物清洗掉。在现有技术中，通常使用超声波干清洗设备与等离子干清洗设备两种技术方案。但上述两种技术方案的缺点在于：第一、超声干清洗的缺点是去除有机物的效果不太好，因为其重点针对的是尘粒等无机物，而等离子干清洗的缺陷是去除无机物的效果非常有限，因为其重点针对的是有机物，因此无论采用上述那一项技术方案，都会使基板上的有机物或无机物进行残留，导致清洗效果差；第二、等离子干清洗时会产生臭氧等气体，而在产品辊轮输送的连续流水线的清洗上没有完善的密封性好的抽气装置将其抽走，容易使气体泄漏影响产线工人的健康，而且该段产生的脏污很大的可能性会进入下一段流水线工艺，影响生产质量。

技术实现思路

[0003]本专利技术目的在于提供一种超声波清洗结构以及具备该清洗结构的装置，以解决现有技术对玻璃基板进行干清洗时会残留有机物或无机物的问题。
[0004]为了实现上述目的，本专利技术的技术方案提供了一种超声波清洗结构，包括支撑机构，所述支撑机构上设有若干个下辊轮，所述下辊轮的上方设有等离子超声波干清洗机头，所述等离子超声波干清洗机头内设有等离子发生腔室，所述等离子发生腔室内设有等离子体发生装置，所述等离子超声波干清洗机头的底端设有等离子体射流口，所述等离子发生腔室内的等离子从所述等离子体射流口射出；所述等离子超声波干清洗机头的底端设有超声波发生装置。
[0005]进一步地，所述超声波发生装置为U型超声波发生装置；所述等离子体射流口的数量包括两个，所述等离子体射流口呈左右方向进行分布，所述U型超声波发生装置的左侧部分位于所述等离子体射流口之间，以形成从右到左排列的超声波清洗区域、等离子清洗区域、超声波清洗区域、等离子清洗区域。
[0006]作为一种优选地实施方式，所述超声波发生装置包括U型气体超声波发生器、U型超声波出口；所述等离子超声波干清洗机头内设有超声波发生腔室，所述U型气体超声波发生器位于所述超声波发生腔室内；所述U型超声波出口位于所述等离子超声波干清洗机头的底端，所述超声波发生腔室内的超声波从所述U型超声波出口发出；所述U型超声波出口的左侧部分位于所述等离子体射流口之间。
[0007]进一步地，所述超声波发生腔室U型腔；所述超声波发生腔室的左侧部分位于所述等离子发生腔室的内部底端，所述超声波发生腔室的右侧部分位于所述等离子发生腔室的外部底端；
进一步地，所述超声波出口的左右两侧分别位于所述超声波发生腔室的左右两侧的底端；所述等离子体射流口分别位于所述等离子发生腔室的左右两侧的底端；所述超声波发生腔室内的压力为0.2～0.6MPa。
[0008]作为另一种优选地实施方式，所述超声波发生装置为U型晶体管超声波发生器。
[0009]进一步地，所述下辊轮的上方设有上罩子，所述下辊轮的下方设有下罩子，所述上罩子与所述下罩子配合形成内部为密闭空间的罩子；所述等离子超声波干清洗机头位于所述上罩子的内部；所述上罩子的左侧开设有输出口，所述上罩子的右侧开设有进入口，以使所述下辊轮能够输送待清洗物件进出所述上罩子的内部；所述上罩子上设有抽气口，所述抽气口与外部抽气管进行连接，以使所述外部抽气管将所述罩子内的脏污和臭氧抽走。
[0010]进一步地，所述上罩子内的左右两侧分别设有风刀，左侧的所述风刀在所述输出口处形成气流墙，右侧的所述风刀在所述进入口处形成气流墙。
[0011]进一步地，所述等离子发生腔室的背面设有电线口、进气口，上罩子的背面设有通孔；所述等离子发生腔室内的电线依次通过所述电线口、所述通孔与外部的射频高压电源进行电连接；所述进气口与给气管的一端连接，所述给气管的另一端通过所述通孔与外部连接，所述给气管用于给所述等离子发生腔室输送所需的气体。
[0012]进一步地，所述下罩子的下方设有臭氧去除装置；所述通孔在所述电线、所述给气管通过后使用密封胶进行密封处理。
[0013]本专利技术的技术方案还提供了一种超声波清洗装置，所述超声波清洗装置具备如上技术方案所述的超声波清洗结构。
[0014]本专利技术的一种超声波清洗结构以及具备该清洗结构的装置，在进行超声波清洗作业时，包括如下步骤：S1、将待清洗产品，放置在下辊轮表面进行传输进料；S2、下辊轮带动待清洗产品进入等离子超声波干清洗机头区域；S3、由等离子超声波干清洗机头入口处的风刀清除待清洗产品表面附着力弱的尘粒；S4、用超声波来清洗如上步骤S3清洗不到的无机物；S5、用等离子射流覆盖全区域清洗产品表面的有机物，或将有机物进行分解，形成粘附性低的小分子有机物；S6、用超声波将完成步骤S5后的小分子有机物以及残留的无机物清除；S7、用等离子射流对产品表面进行清洁处理；S8、待清洗产品由下辊轮传输经过出口处的风刀，进行二次清洁以及降温处理；S9、下辊轮带动完成步骤S8后的产品进行出料；S10、经过如上步骤S1至步骤S9，得到清洗干净后的产品。
[0015]综上所述 ，运用本专利技术的技术方案，具有如下的有益效果：本专利技术结构设计合理，通过在下辊轮的上方设有等离子超声波干清洗机头，等离子超声波干清洗机头内设有等离子发生腔室，等离子发生腔室内设有等离子体发生装置，等离子超声波干清洗机头的底端设有等离子体射流口以及超声波发生装置，等离子发生腔室内的等离子从等离子体射流口射出，超声波发生装置发出超声波，从而使得待清洗物件即基板在下辊轮上进行输送时会受到超声波以及等离子的双重清洗作用，从而将基板上的有机物以及无机物进行清除干
净，继而解决了现有技术对基板进行干清洗时会残留有机物或无机物的问题。通过在等离子超声波干清洗机头的底端形成从右到左排列的超声波清洗区域、等离子区域、超声波清洗区域、等离子清洗区域四个干清洗处理区域，从而在将待清洗物件即基板的表面脏污清除干净的基础上，对基板表面进行改性，增加基板的表面能，增加镀膜的附着力。而通过设置上罩子与下罩子，且上罩子与下罩子配合形成内部为密闭空间的罩子，且在上罩子上设置抽气口，抽气口与外部抽气管连接，从而通过外部抽气管将罩子内的脏污与臭氧抽走，从而防止臭氧等有害气体泄漏，同时有效的抽走脏污，防止该段产生的脏污进入下一段流水线工艺。通过在进入口与输出口分别设置风刀，风刀可以对基板进行再次的清洁作用以及冷却作用，同时风刀所形成的的气流墙能够防止臭氧等有害气体泄露。
[0016]附图说明
[0017]图1是本专利技术一种超声波清洗结构以及具备该清洗结构的装置的爆炸结构示意图；图2是本专利技术一种超声波清洗结构以及具备该清洗结构的装置的立体结构示意图；图3是本专利技术一种超声波清洗结构以及具备该清洗结构的装置的左视结构示意图；图4是本专利技术一种超声波清洗结构以及具备该清洗结构的装置的后视结构示意图；图5是本专利技术一种超声波清洗结构以及具备该清洗结构的装置的第一种等离子超声波干清本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种超声波清洗结构，包括支撑机构，所述支撑机构上设置下辊轮，其特征在于：所述下辊轮的上方设有等离子超声波干清洗机头，所述等离子超声波干清洗机头内设有等离子发生腔室，所述等离子发生腔室内设有等离子体发生装置，所述等离子超声波干清洗机头的底端设有等离子体射流口，所述等离子发生腔室内的等离子从所述等离子体射流口射出，所述等离子超声波干清洗机头的底端设有超声波发生装置。2.根据权利要求1所述一种超声波清洗结构，其特征在于：所述超声波发生装置为U型超声波发生装置；所述等离子体射流口的数量包括两个，所述等离子体射流口呈左右方向进行分布，所述U型超声波发生装置的左侧部分位于所述等离子体射流口之间，以形成从右到左排列的超声波清洗区域、等离子清洗区域、超声波清洗区域和等离子清洗区域。3.根据权利要求2所述一种超声波清洗结构，其特征在于：所述超声波发生装置包括U型气体超声波发生器、U型超声波出口；所述等离子超声波干清洗机头内设有超声波发生腔室，所述U型气体超声波发生器位于所述超声波发生腔室内；所述U型超声波出口位于所述等离子超声波干清洗机头的底端，所述超声波发生腔室内的超声波从所述U型超声波出口发出；所述U型超声波出口的左侧部分位于所述等离子体射流口之间。4.根据权利要求3所述一种超声波清洗结构，其特征在于：所述超声波发生腔室为U型腔；所述超声波发生腔室的左侧部分位于所述等离子发生腔室的内部底端，所述超声波发生腔室的右侧部分...

【专利技术属性】
技术研发人员：何瑞征，王龙正，曾力策，许绍雄，田宝森，丁彬彬，洪嘉乐，
申请(专利权)人：伯恩创盛技术研发惠州有限公司，
类型：发明
国别省市：