一种ZIF-8/GO复合膜及其制备方法与应用技术

技术编号:36733190 阅读:70 留言:0更新日期:2023-03-04 10:01
本发明专利技术提供了一种ZIF

【技术实现步骤摘要】
一种ZIF

8/GO复合膜及其制备方法与应用


[0001]本专利技术涉及一种ZIF

8/GO复合膜及其制备方法与应用,属于复合材料制备及膜分离


技术介绍

[0002]实现高效的离子选择性传输在化工分离、能源转换和传感等领域具有重要的意义。金属有机框架(MOF)材料是金属离子或团簇与有机配体在一定条件下通过配位键自组装形成的具有分子内孔隙的晶体框架材料;这类材料具有比表面积大,孔隙率高,孔径大小和形状可调等特点,是制备离子选择性膜的理想材料;然而MOF材料本身难以自成膜,因此需要复合其他材料如二维材料(氧化石墨烯GO、二氧化钼和MXene等)来制备金属有机框架材料复合膜(可参见中国专利CN 111569665 A)。目前这些基于MOF的离子选择性膜主要是依据其尺寸效应来实现高的离子选择性,但是对于尺寸相近的阴阳离子难以实现有效选择,这极大限制了MOF基膜的应用。对于该问题,一种可行的解决方式是通过后修饰在金属有机框架材料中引入功能化基团(可参见中国专利CN107722287A)。其中,MOF的后修本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种修饰试剂修饰的ZIF

8/GO纳米片,其特征在于,所述修饰试剂修饰的ZIF

8/GO纳米片是将ZIF

8/GO纳米片于空气气氛或者惰性气氛中煅烧后,再将煅烧后的ZIF

8/GO纳米片分散于第一溶剂中并加入修饰试剂后经化学修饰反应制得。2.根据权利要求1所述的ZIF

8/GO纳米片,其特征在于,空气气氛中,所述煅烧的温度为200

450℃,时间为0.5

7h;惰性气氛中,所述煅烧的温度为300

600℃,时间为0.5

7h。3.根据权利要求1或2所述的ZIF

8/GO纳米片,其特征在于,所述惰性气氛包括氮气气氛。4.根据权利要求1所述的ZIF

8/GO纳米片,其特征在于,所述第一溶剂包括甲苯、氯仿、丙酮及乙酸乙酯中的一种或几种的组合。5.根据权利要求1或4所述的ZIF

8/GO纳米片,其特征在于,以所述第一溶剂的总体积计,ZIF

8/GO纳米片于第一溶剂中的浓度为5

30mg/mL。6.根据权利要求1所述的ZIF

8/GO纳米片,其特征在于,所述修饰试剂包括乙二胺、己二胺或3

氨丙基三乙氧基硅烷中的一种。7.根据权利要求1或6所述的ZIF

8/GO纳米片,其特征在于,以所述第一溶剂的总体积计,所述修饰试剂的浓度为0.01

2mmol/mL。8.根据权利要求1或6所述的ZIF

8/GO纳米片,其特征在于,所述化学修饰反应的温度为60

120℃,时间为1

24h。9.根据权利要求1所述的ZIF

8/GO纳米片,其特征在于,所述ZIF

8/GO纳米片是采用包括如下步骤的制备方法制得的:分别将氧化石墨烯、六水合硝酸锌和2

甲基咪唑加入到第二溶剂中,得到氧化石墨烯分散液、六水合硝酸锌溶液和2

甲基咪唑溶液;将六水合硝酸锌溶液加入到氧化石墨烯分散液中,再加入2

甲基咪唑溶液后混合均匀,得到前驱体混合液;将所述前驱体混合液于一定温度下反应一段时间,得到ZIF

8/GO悬浊液,再将所述悬浊液离心分离,洗涤,干燥,得到ZIF

8/GO纳米片。10.根据权利要求9所述的ZIF

8/GO纳米片,其特征在于,所述氧化石墨烯、六水合硝酸锌和2

甲基咪唑的质量比为(1

5):(40

【专利技术属性】
技术研发人员:姚希吕东
申请(专利权)人:香港城市大学
类型:发明
国别省市:

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