一种磷硅酸包覆炭黑及其制备方法和应用技术

本发明专利技术公开了一种磷硅酸包覆炭黑及其制备方法和应用。所述磷硅酸包覆炭黑的制备方法包括以下步骤：取炭黑分散于无水乙醇中，调节体系至酸性，然后加入硅烷偶联剂对炭黑进行改性，获得改性纳米炭黑；将所得改性纳米炭黑置于惰性气氛中磷化，得到一次包覆的磷硅酸包覆炭黑。进一步的，还包括将所得一次包覆的磷硅酸包覆炭黑重复进行改性和磷化的步骤，重复进行改性和磷化步骤的次数为1～3次。采用本发明专利技术所述方法制备的磷硅酸包覆炭黑自身体积电导率极低，使得其在应用于遮光膜中时，在同样填充量的条件下能够使所得遮光膜具有更好的电气强度，或者在满足电气强度要求的条件下能够填充更大剂量的炭黑，使所得薄膜具有更好的遮光性。光性。光性。

【技术实现步骤摘要】
一种磷硅酸包覆炭黑及其制备方法和应用


[0001]本专利技术涉及遮光膜中使用的炭黑，具体涉及一种磷硅酸包覆炭黑及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]遮光膜，是一类聚合物与纳米无机填料复合而成的复合材料，不仅拥有通用聚合物薄膜优异的绝缘性和机械强度，还表现出良好的遮光性能，被广泛用于军民光学、电工和电子等工程材料应用领域。
[0003]对于高遮光膜而言，要求其透光率≤0.1％，甚至为0％。现有技术中，高遮光膜通过在聚合物(如聚酰亚胺前驱体溶液、聚对苯二甲酸乙二醇酯等)中添加具有高遮光性的炭黑粉体制备而成。炭黑的添加量直接影响所得遮光膜的遮光性能，一般而言，炭黑的填充量越大，遮光膜的透光率越低，反之则透光率越高。降低炭黑的填充量，将导致透光率无法达到0％，遮光效果显著降低，薄膜将存在遮蔽性不佳，进而降低关键电路信息安全性。加入过多的炭黑粉体又会降低薄膜的电气强度，而电气强度的降低直接影响工程应用中对绝缘性能的指标性要求；另一方面，高填充量的炭黑还会使所得聚合物薄膜的机械性能大幅度下降，并导致其成型性能差和膜面气泡缺陷增加。因此，针对填本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磷硅酸包覆炭黑的制备方法，其特征是，包括以下步骤：取炭黑分散于无水乙醇中，调节体系至酸性，然后加入硅烷偶联剂对炭黑进行改性，获得改性纳米炭黑；将所得改性纳米炭黑置于惰性气氛中磷化，得到一次包覆的磷硅酸包覆炭黑。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征是，所述炭黑在无水乙醇中的浓度为20～40wt％。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征是，调节体系的pH＝3～4。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征是，所述硅烷偶联剂的加入量为炭黑用量的2～8wt％。5.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：闫普选，王玉峰，王梦沂，卢江荣，
申请(专利权)人：桂林电子科技大学，
类型：发明
国别省市：