【技术实现步骤摘要】
一种有机发光材料及发光器件
[0001]本专利技术涉及有机电致发光显示
,具体公开了一种新型的有机电致发光材料,以及采用该发光材料制备的有机电致发光器件。
技术介绍
[0002]有机电子器件包括但不限于下列种类:有机发光二极管(OLEDs),有机场效应晶体管(O
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FETs),有机发光晶体管(OLETs),有机光伏器件(COPVs),染料
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敏化太阳能电池(DSSCs),有机光学检测器,有机光感受器,有机场效应器件(OFQDs),发光电化学电池(LEGS),有机激光二极管和有机电浆发光器件。
[0003]1987年,美国伊士曼柯达公司的Tang等首次报道了由双层有机薄膜制成的绿色电致发光器件,器件以氧化铟锡(ITO)作为阳极,在阳极上蒸镀一层厚度为75nm的非晶无针孔芳族二胺薄膜,用作空穴传输,接着在芳族二胺的薄膜上再镀一层厚度为60nm的8
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羟基喹啉铝薄膜,用作电子传输层兼发光层,以镁银合金作为阴极,此双层膜结构成功地将启亮电压降低至5.5V,实现了高辐 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种有机发光材料,其特征在于,包括第一金属配合物和第二金属配合物,所述第一金属配合物和第二金属配合物分别独立地选自由金属原子M和与金属原子M配位的第一配体组成的化合物,且第一金属配合物和第二金属配合物不相同;其中,所述金属原子M的相对原子质量大于40,所述第一配体的结构如式A所示:式A中,R1~R3每次出现时相同或不同的表示单取代、多取代或无取代;R1~R3各自独立地选自氢原子、氘原子、卤素原子、取代或未取代的C1~C
20
的链烷基、取代或未取代的C3~C
20
的环烷基、取代或未取代的C1~C
20
的杂烷基、取代或未取代的C1~C
20
的氘代烷基、氰基、取代或未取代的C1~C
20
的烷氧基、取代或未取代的C1~C
20
的烷基氨基、取代或未取代的C1~C
20
的烷硫基、取代或未取代的C6~C
30
的芳香基、取代或未取代的C3~C
30
的杂环芳香基及其组合,和/或,R1~R3中任意两个或多个之间通过桥连形成并环结构;基团W=W代表Z1~Z8在各自独立地选自CR4和N;X和Y各自独立地选自O、S和NR5;R4~R5各自独立地氢原子、氘原子、卤素原子、取代或未取代的C1~C
20
的链烷基、取代或未取代的C3~C
20
的环烷基、取代或未取代的C1~C
20
的杂烷基、取代或未取代的C1~C
20
的氘代烷基、氰基、取代或未取代的C1~C
20
的烷氧基、取代或未取代的C1~C
20
的烷基氨基、取代或未取代的C1~C
20
的烷硫基、取代或未取代的C6~C
30
的芳香基、取代或未取代的C3~C
30
的杂环芳香基及其组合;虚线代表式A所示第一配体与金属原子M的结合位点。2.根据权利要求1所述的发光材料,其特征在于,所述金属M为Ir,所述金属原子M还配位连接第二配体L,所述第一金属配合物和第二金属配合物分别独立地选自式I所示的化合物,且第一金属配合物和第二金属配合物不相同;
式I中,R1~R3、X、Z1~Z4、基团W=W的定义与式A相同,n为1、2或3;L选自式La或式Lb所示的基团:其中,式La中,R
12
~R
19
各自独立地选自氢原子、氘原子、取代或未取代的C1~C
20
的烷基、取代或未取代的C1~C
20
的氘代烷基、取代或未取代的C1~C
20
的烷氧基、取代或未取代的C1~C
20
的烷基氨基、取代或未取代的C1~C
20
的烷硫基、氟原子、取代或未取代的C6~C
30
的芳香基、取代或未取代的C3~C
30
的杂环芳香基及其组合,和/或,R
12
~R
19
中任意两个或多个之间通过桥连形成并环结构;式Lb中,R
20
~R
26
各自独立地选自氢原子、氘原子、取代或未取代的C1~C
20
的烷基、取代或未取代的C1~C
20
的氘代烷基、取代或未取代的C1~C
20
的烷氧基、取代或未取代的C1~C
20
的烷基氨基、取代或未取代的C1~C
20
的烷硫基、氟原子、取代或未取代的C6~C
30
的芳香基、取代或未取代的C3~C
30
的杂环芳香基及其组合,和/或,R
20
~R
26
中任意两个或多个之间通过桥连形成并环结构。3.根据权利要求2所述的发光材料,其特征在于,R1~R3各自独立地选自氢原子、氘原子、C1~C5的烷基、C3~C6的环烷基、C1~C5的氘代烷基、氰基、含1~5个C原子的烷氧基、含1~5个C原子的烷基氨基、含1~5个C原子的烷硫基、氟原子、三氟甲基、苯基、取代苯基和C3~C
20
的杂环芳香基;和/或R1~R3中任意两个或多个之间通过桥连形成并环结构,所述并环结构为取代或未取代的五元环、取代或未取代的六元环、取代或未取代的五元杂环、取代或未取代的六元杂环中的任一种,所述取代的五元环、取代的六元环、取代的五元杂环、取代的六元杂环的取代基选自C1~C5的烷基、苯基和苯并基,所述五元杂环或六元杂...
【专利技术属性】
技术研发人员:呼建军,石志亮,梁现丽,李小赢,张朝霞,杭德余,
申请(专利权)人:北京云基科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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