一种离子枪的开关结构制造技术

一种离子枪的开关结构，涉及刻蚀设备领域。用于改善刻蚀设备的发射口，所述发射口上方覆盖有分流板，分流板包括若干发射通道，所述分流板上方设有基板，基板设有若干发射通孔，发射通孔与发射通道对应设置，至少一个发射通孔设有反应开关。本实用新型专利技术进一步增加了在分流板或基板上的反应开关，由于反应开关是对应在发射通道上的，即对于每个或每组发射通道的离子光源的轰击时间要素是可以进一步被编辑控制的，使得同一刻蚀腔室内进行的刻蚀反应是可以同时兼容不同的反应时间段，提高了设备的生产效率。备的生产效率。备的生产效率。

【技术实现步骤摘要】
一种离子枪的开关结构


[0001]本技术涉及刻蚀设备，具体涉及一种离子枪的开关结构。

技术介绍

[0002]半导体制造工艺是一种平面制造工艺，该工艺结合光刻、刻蚀、沉积、离子注入多种工艺，需要在同一衬底上形成大量各种类型的复杂器件，并将其互相连接以具有完整的电子功能。其中，任何一步的工艺出现偏差，都可能会造成电路的性能参数偏离设计值。目前，随着超大规模集成电路的器件特征尺寸不断地比例缩小，集成度不断地提高，对各步工艺的控制及其工艺结果的精确度提出了更高的要求。
[0003]以刻蚀工艺为例，集成电路制造中，常需要利用刻蚀技术形成各种刻蚀图形，如接触孔，通孔图形，沟槽隔离图形或栅极图形，如果因控制不当使上述刻蚀图形的形貌和特征尺寸等出现偏差，将直接影响到电路的性能，降低产品的成品率。
[0004]等离子体刻蚀工艺因其具有良好的方向性，在半导体制作工艺中得到广泛的应用。等离子体刻蚀的一般过程为：在刻蚀腔内通入反应气体，反应气体一般为含氟的气体，比如：CF4、CHF3、C2F6、CH2F2、SF6一种或几种组合；射频源提供能量将反应气体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种离子枪的开关结构，用于改善刻蚀设备的发射口，其特征在于，所述发射口上方覆盖有分流板，分流板包括若干发射通道，所述分流板上方设有基板，基板设有若干发射通孔，发射通孔与发射通道对应设置，至少一个发射通孔设有反应开关。2.根据权利要求1所述的一种离子枪的开关结构，其特征在于，反应开关为移动挡板或翻转挡板。3.根据权利要求1所述的一种离子枪的开关结构，其特征在于，反应开关包括翻转门和转动轴，转动轴设置于相邻的两行或两列的发射通道之间，翻转门转动连接转动轴。4.根据权利要求3所述的一种离子枪的开关结构，其特征在于，沿分流板宽度方向设有若干列的发射通孔，两列发射通孔形成一组，每个反应开关对应于一组的发射通孔设置。5.根据权利要求4所述的一种离子枪的开关结构，其特征在于，发射通孔为两列圆型通孔，相邻的通孔之间设有相同的间距，反应开关通过竖直打...

【专利技术属性】
技术研发人员：欧阳华，欧阳晟，曹锋，陈炀，
申请(专利权)人：广州晶优电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：