一种应用于超短波的大功率合成器制造技术

本发明专利技术提供了一种应用于超短波的大功率合成器，包括介质基板、介质基板上表面设置的主微带贴片、以及介质基板下表面设置的接地面；所述主微带贴片为U型结构，主微带贴片中部异于其开口的一侧设有合路微带贴片；所述主微带贴片一端设有第一边缘微带贴片，另一端设有第二边缘微带贴片，所述第一边缘微带贴片和第二边缘微带贴片对应设置，第一边缘微带贴片和第二边缘微带贴片之间通过连接组件连接。本发明专利技术所述的一种应用于超短波的大功率合成器，应用微带线和同轴电缆线结合的新型架构，这种架构的设计将隔离电阻的一端引出连接到地，与隔离电阻为嵌入型的架构相比更有利于隔离电阻的散热，使合成器的合成功率更大。使合成器的合成功率更大。使合成器的合成功率更大。

【技术实现步骤摘要】
一种应用于超短波的大功率合成器


[0001]本专利技术属于大功率合成领域，尤其是涉及一种应用于超短波的大功率合成器。

技术介绍

[0002]随着微波晶体管的设计和制造水平的不断提高，在雷达、无线通信、电子对抗等领域全固态发射机正在不断取代原有的电子管发射机。但微波晶体管放大器的输出功率相对于电真空器件放大器的输出功率要小得多，故固态发射机必须采用多个微波晶体管并联合成的架构。对于这个合成架构的关键器件就是超千瓦的大功率合成器。如果采用同轴波导的架构，由于超短波的波长较长，故架构体积会很大，如果采用威尔金森合成器的架构，其架构中的隔离电阻嵌入到电路网络中，考虑到隔离电阻散热和耐受功率的问题，威尔金森合成器的合成功率一般不超过100W(连续波)，故无法实现超千瓦的合成功率。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本专利技术旨在提出一种应用于超短波的大功率合成器，以解决现有合成器的超短波频段合成功率低的问题。
[0004]为达到上述目的，本专利技术的技术方案是这样实现的：
[0005]一种应用于超短波的大功率合成器，包括介质基板、介质基板上表面设置的主微带贴片、以及介质基板下表面设置的接地面；所述主微带贴片为U型结构，主微带贴片中部异于其开口的一侧设有合路微带贴片；所述主微带贴片一端设有第一边缘微带贴片，另一端设有第二边缘微带贴片，所述第一边缘微带贴片和第二边缘微带贴片对应设置，第一边缘微带贴片和第二边缘微带贴片之间通过连接组件连接；
[0006]所述连接组件包括依次连接的第一连接微带贴片、第一同轴电缆线内导体、第一转接微带贴片、第二同轴电缆线内导体、第二转接微带贴片、第三同轴电缆线内导体、以及第二连接微带贴片；所述第一连接微带贴片一端与第一边缘微带贴片连接，另一端与第一同轴电缆线内导体连接；所述第二连接微带贴片一端与第二边缘微带贴片连接，另一端与第三同轴电缆线内导体连接；
[0007]所述连接组件还包括依次连接的第四同轴电缆线内导体、第三转接微带贴片、第五同轴电缆线内导体、第四转接微带贴片、以及第六同轴电缆线内导体；所述第四同轴电缆线内导体一端与第一转接微带贴片连接，另一端与第三转接微带贴片连接，所述第三转接微带贴片通过第一负载电阻与接地面连接；所述第六同轴电缆线内导体一端与第二转接微带贴片连接，另一端与第四转接微带贴片连接，所述第四转接微带贴片通过第二负载电阻与接地面连接；
[0008]所述第一同轴电缆线、第二同轴电缆线、第三同轴电缆线、第四同轴电缆线、第五同轴电缆线以及第六同轴电缆线的外导体均与接地面连接。
[0009]进一步的，所述第一边缘微带贴片和第二边缘微带贴片均一端与主微带贴片连接，另一端距离介质基板边缘0.2mm设置。
[0010]进一步的，所述合路微带贴片一端与主微带贴片连接，另一端距离介质基板边缘0.2mm设置。
[0011]进一步的，所述主微带贴片包括依次连接的第一子贴片、第一扇形贴片、第二子贴片、第三子贴片、第二扇形贴片以及第四子贴片，所述第一子贴片一端与第一扇形贴片连接，另一端与第一边缘微带贴片连接；所述合路微带贴片对应第二子贴片与第三子贴片连接处设置；所述第四子贴片一端与第二扇形贴片连接，另一端与第二边缘微带贴片连接。
[0012]进一步的，所述第一扇形贴片和第二扇形贴片的角度均为90度。
[0013]进一步的，所述连接组件对应主微带贴片的凹槽设置。
[0014]进一步的，所述的介质基板采用聚四氟乙烯制作，介电常数为2.55。
[0015]进一步的，所述接地面的四周距离介质基板边缘均为0.2mm。
[0016]进一步的，所述第一同轴电缆线、第三同轴电缆线、第四同轴电缆线以及第六同轴电缆线的特性阻抗均为50Ω；所述第二同轴电缆线和第五同轴电缆线的特性阻抗均为25Ω。
[0017]进一步的，所述第一负载电阻和第二负载电阻的阻值均为50Ω，额定功率均为300W。
[0018]相对于现有技术，本专利技术所述的一种应用于超短波的大功率合成器具有以下优势：
[0019](1)本专利技术所述的一种应用于超短波的大功率合成器，应用微带线和同轴电缆线结合的新型架构，这种架构的设计将隔离电阻的一端引出连接到地，与隔离电阻为嵌入型的架构相比更有利于隔离电阻的散热，使合成器的合成功率更大，架构上设计了两级同轴电缆线既增加了相对带宽，又提高了端口隔离度，应用同轴电缆替代微带线可以缩减合成器的尺寸。此外，这种合成器还具有结构新颖、简单，制作成本低的特点。
[0020](2)本专利技术所述的一种应用于超短波的大功率合成器既继承了威尔金森合路器制作简单，隔离度高，成本低，易于多级级联拓展带宽的优点，又解决了威尔金森合成功率小的缺点；此外，这种合成器既拥有了同轴波段合成功率高的特性，又实现了小型化的目标。
附图说明
[0021]构成本专利技术的一部分的附图用来提供对本专利技术的进一步理解，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中：
[0022]图1为本专利技术实施例所述一种应用于超短波的大功率合成器的结构示意图；
[0023]图2为本专利技术实施例所述一种应用于超短波的大功率合成器中介质基板下表面的结构示意图；
[0024]图3为本实施例所述一种应用于超短波的大功率合成器的回波损耗曲线图；
[0025]图4为本实施例所述一种应用于超短波的大功率合成器的传输损耗曲线图；
[0026]图5为本实施例所述一种应用于超短波的大功率合成器的分路端口隔离度曲线图。
[0027]附图标记说明：
[0028]1、合路微带贴片；2、第二子贴片；3、第三子贴片；4、第一扇形贴片；5、第二扇形贴片；6、第一子贴片；7、第四子贴片；8、第一边缘微带贴片；9、第二边缘微带贴片；10、第一连
接微带贴片；11、第二连接微带贴片；12、第一转接微带贴片；13、第二转接微带贴片；14、第三转接微带贴片；15、第四转接微带贴片；16、第一同轴电缆线；17、第三同轴电缆线；18、第四同轴电缆线；19、第六同轴电缆线；20、第二同轴电缆线；21、第五同轴电缆线；22、第一负载电阻；23、第二负载电阻；24、介质基板；25、接地面。
具体实施方式
[0029]下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。
[0030]一种应用于超短波的大功率合成器，如图1至图5所示，包括介质基板24、介质基板24上表面设置的主微带贴片、以及介质基板24下表面设置的接地面25；所述主微带贴片为U型结构，主微带贴片中部异于其开口的一侧设有合路微带贴片1；所述主微带贴片一端设有第一边缘微带贴片8，另一端设有第二边缘微带贴片9，所述第一边缘微带贴片8和第二边缘微带贴片9对应设置，第一边缘微带贴片8和第二边缘微带贴片9之本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种应用于超短波的大功率合成器，其特征在于：包括介质基板(24)、介质基板(24)上表面设置的主微带贴片、以及介质基板(24)下表面设置的接地面(25)；所述主微带贴片为U型结构，主微带贴片中部异于其开口的一侧设有合路微带贴片(1)；所述主微带贴片一端设有第一边缘微带贴片(8)，另一端设有第二边缘微带贴片(9)，所述第一边缘微带贴片(8)和第二边缘微带贴片(9)对应设置，第一边缘微带贴片(8)和第二边缘微带贴片(9)之间通过连接组件连接；所述连接组件包括依次连接的第一连接微带贴片(10)、第一同轴电缆线(16)内导体、第一转接微带贴片(12)、第二同轴电缆线(20)内导体、第二转接微带贴片(13)、第三同轴电缆线(17)内导体、以及第二连接微带贴片(11)；所述第一连接微带贴片(10)一端与第一边缘微带贴片(8)连接，另一端与第一同轴电缆线(16)内导体连接；所述第二连接微带贴片(11)一端与第二边缘微带贴片(9)连接，另一端与第三同轴电缆线(17)内导体连接；所述连接组件还包括依次连接的第四同轴电缆线(18)内导体、第三转接微带贴片(14)、第五同轴电缆线(21)内导体、第四转接微带贴片(15)、以及第六同轴电缆线(19)内导体；所述第四同轴电缆线(18)内导体一端与第一转接微带贴片(12)连接，另一端与第三转接微带贴片(14)连接，所述第三转接微带贴片(14)通过第一负载电阻(22)与接地面(25)连接；所述第六同轴电缆线(19)内导体一端与第二转接微带贴片(13)连接，另一端与第四转接微带贴片(15)连接，所述第四转接微带贴片(15)通过第二负载电阻(23)与接地面(25)连接；所述第一同轴电缆线(16)、第二同轴电缆线(20)、第三同轴电缆线(17)、第四同轴电缆线(18)、第五同轴电缆线(21)以及第六同轴电缆线(19)的外导体均与接地面(25)连接。2.根据权利要求1所述的一种应用于超短波的大功率合成器，其特征在于：所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：巩执欢，宋光伟，苗尧飞，周扬，杨博，
申请(专利权)人：天津光电通信技术有限公司，
类型：发明
国别省市：