通过对表现出随机电报噪声的存储器单元进行编程调整来提高模拟非易失性存储器中的读取电流稳定性的方法技术

本公开提供了一种用于对非易失性存储器单元进行编程的方法和设备，其中该非易失性存储器单元包括第一栅极。将该非易失性存储器单元编程到初始程序状态，该初始程序状态对应于达到或超过该非易失性存储器单元的该第一栅极的目标阈值电压。该目标阈值电压对应于目标读取电流。使用施加到该非易失性存储器单元的该第一栅极的读取电压在第一读取操作中读取该非易失性存储器单元以生成第一读取电流，该读取电压小于该目标阈值电压。响应于确定该第一读取电流大于该目标读取电流，使该非易失性存储器单元经受附加编程。存储器单元经受附加编程。存储器单元经受附加编程。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】通过对表现出随机电报噪声的存储器单元进行编程调整来提高模拟非易失性存储器中的读取电流稳定性的方法
[0001]优先权声明
[0002]本专利申请要求于2020年6月29日提交并且标题为“Method of Improving Read Current Stability in Analog Non
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volatile Memory by Program Adjustment for Memory Cells Exhibiting Random Telegraph Noise”的美国专利申请第16/915,289号的优先权。


[0003]本专利技术涉及非易失性存储器设备，并且更具体地涉及提高读取操作期间存储器单元电流的稳定性。

技术介绍

[0004]非易失性存储器设备在本领域中是公知的。参见例如美国专利7,868,375，其公开了四栅极存储器单元配置，并且以引用方式并入本文。具体地，本申请的图1示出了具有在硅半导体衬底12中形成的间隔开的源极区14和漏极区16的分裂栅存储器单元10。源极区14可以被称为源极线SL本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种存储器设备，包括：多个非易失性存储器单元，每个非易失性存储器单元包括第一栅极；和控制器，所述控制器被配置为通过以下方式对所述多个非易失性存储器单元中的一个非易失性存储器单元进行编程：将所述一个非易失性存储器单元编程到初始程序状态，所述初始程序状态对应于达到或超过所述一个非易失性存储器单元的所述第一栅极的目标阈值电压，其中所述目标阈值电压对应于目标读取电流，使用施加到所述一个非易失性存储器单元的所述第一栅极的读取电压在第一读取操作中读取所述一个非易失性存储器单元以生成第一读取电流，所述读取电压小于所述目标阈值电压，以及响应于确定所述第一读取电流大于所述目标读取电流，使所述一个非易失性存储器单元经受附加编程。2.根据权利要求1所述的设备，其中所述多个非易失性存储器单元中的每个非易失性存储器单元还包括：间隔开的源极区和漏极区，所述间隔开的源极区和漏极区形成于半导体衬底中，其中所述衬底的沟道区在所述源极区和所述漏极区之间延伸；浮栅，所述浮栅竖直地设置在所述沟道区的第一部分上方并且与所述第一部分绝缘；和选择栅极，所述选择栅极竖直地设置在所述沟道区的第二部分上方并且与所述第二部分绝缘；其中对于所述多个非易失性存储器单元中的每个非易失性存储器单元，所述第一栅极竖直地设置在所述浮栅上方并且与所述浮栅绝缘。3.根据权利要求2所述的设备，其中所述多个非易失性存储器单元中的每个非易失性存储器单元还包括：擦除栅极，所述擦除栅极设置在所述源极区上方并且与所述源极区绝缘。4.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制器被配置为通过以下方式执行将所述一个非易失性存储器单元编程到所述初始程序状态：向所述一个非易失性存储器单元施加至少一个第一编程电压脉冲；使用施加到所述一个非易失性存储器单元的所述第一栅极的读取电压读取所述一个非易失性存储器单元以生成第二读取电流，所述读取电压等于所述目标阈值电压；以及响应于确定所述第二读取电流大于所述目标读取电流，向所述一个非易失性存储器单元施加至少一个第二编程电压脉冲。5.根据权利要求4所述的设备，其中作为所述第二编程电压脉冲的一部分施加到所述第一栅极的电压大于作为所述第一编程电压脉冲的一部分施加到所述第一栅极的电压。6.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制器被进一步配置为：响应于确定在所述第一读取操作中所述第一读取电流不大于所述目标读取电流，使用施加到所述一个非易失性存储器单元的所述第一栅极的读取电压在第二读取操作中读取所述一个非易失性存储器单元以生成第二读取电流，所述读取电压小于所述目标阈值电压，以及响应于确定所述第二读取电流大于所述目标读取电流，使所述一个非易失性存储器单
元经受附加编程。7.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制器被进一步配置为在将所述一个非易失性存储器单元编程到所述初始程序状态之后并且在所述第一读取操作之前，向所述一个非易失性存储器单元施加负电压。8.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制器被进一步配置为在将所述一个非易失性存储器单元编程到所述初始程序状态之后并且在所述第一读取操作之前，向所述一个非易失性存储器单元的所述第一栅极施加负电压。9.根据权利要求6所述的设备，其中所述控制器被进一步配置为：在将所述一个非易失性存储器单元编程到所述初始程序状态之后并且在所述第一读取操作之前，向所述一个非易失性存储器单元施加负电压；以及在确定在所述第一读取操作中所述第一读取电流不大于所述目标读取电流之后并且在所述第二读取操作之前，向所述一个非易失性存储器单元施加负电压。10.根据权利要求6所述的设备，其中所述控制器被进一步配置为：在将所述一个非易失性存储器单元编程到所述初始程序状态之后并且在所述第一读取操作之前，向所述一个非易失性存储器单元的所述第一栅极施加负电压；以及在确定在所述第一读取操作中所述第一读取电流不大于所述目标读取电流之后并且在所述第二读取操作...

【专利技术属性】
技术研发人员：V，
申请(专利权)人：硅存储技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：