薄膜电容器及具备其的电子电路基板制造技术

本发明专利技术提供不易产生电极层的剥离的薄膜电容器。薄膜电容器(1)具备：金属箔(10)，其上表面(11)被粗面化；电介质膜(D)，其覆盖金属箔(10)的上表面(11)，具有使金属箔(10)局部露出的开口部；第一电极层，其经由开口部与金属箔(10)相接，并且与电介质膜(D)相接；第二电极层，其不与金属箔(10)相接而与电介质膜(D)相接。由此，能够在金属箔(10)的上表面(11)配置第一及第二电极层双方。而且，第一电极层不仅与金属箔(10)相接，而且还与电介质膜(D)相接，因此，不易产生第一电极层的剥离。不易产生第一电极层的剥离。不易产生第一电极层的剥离。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】薄膜电容器及具备其的电子电路基板


[0001]本专利技术涉及薄膜电容器及具备其的电子电路基板，特别是涉及使用了金属箔的薄膜电容器及具备其的电子电路基板。

技术介绍

[0002]在搭载IC的电路基板中，为了使向IC供给的电源的电位稳定，通常搭载去耦电容器。作为去耦电容器，通常使用层叠陶瓷片式电容器，将多个层叠陶瓷片式电容器搭载于电路基板的表面，由此，确保必要的去耦容量。
[0003]近年来，电路基板小型化，因此，有时用于搭载多个层叠陶瓷片式电容器的空间不足。因此，有时使用可埋入电路基板的薄膜电容器来代替层叠陶瓷片式电容器(参照专利文献1～4)。
[0004]专利文献1所记载的薄膜电容器具有如下结构：使用多孔金属基材，在其表面上经由电介质膜形成上部电极。专利文献2所记载的薄膜电容器具有如下结构：使用将一主面粗化的金属基材，在粗化的表面上经由电介质膜形成上部电极。专利文献3及4所记载的薄膜电容器具有如下结构：在支承部形成导电性多孔基材，在粗化的表面上经由电介质膜形成上部电极。
[0005]现有技术文献/>[0006]专利本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种薄膜电容器，其具备：金属箔，其一主面被粗面化；电介质膜，其覆盖所述金属箔的所述一主面，具有使所述金属箔局部露出的开口部；第一电极层，其经由所述开口部与所述金属箔相接，并且与所述电介质膜相接；及第二电极层，其不与所述金属箔相接而与所述电介质膜相接。2.根据权利要求1所述的薄膜电容器，其中，所述第一及第二电极层被环状的狭缝分离，所述第一电极层设置于被所述狭缝包围的第一区域，所述第二电极层设置于位于所述狭缝的外侧的第二区域。3.根据权利要求2所述的薄膜电容器，其中，还具备绝缘性部件，该绝缘性部件设置于所述狭缝的内部，并位于所述第一及第二电极层间。4.根据权利要求1～3中任一项所述的薄膜电容器，其中，所述第二电极层包含与所述电介质膜相接且由导电性高分子材料构成的第一导电性部件、和与所述第一导电性部件相接且由金属材料构成的第二导电性部件。5.根据权利要求4所述的薄膜电容器，其中，所述第一电极层包含与所述金属箔及所述电介质膜相接且由导电性高分子材料构成的第三导电性部件、和与所述第三导电性部件相接且由金属材料构成的第四导电性部件。6.根据权利要求4所述的薄膜电容器，其中，所述第一电极层包含与所述金属箔及所述电介质膜相接且由金属材料构成的第四导电性部件。7.根据权利要求1～6中任一项所述的薄...

【专利技术属性】
技术研发人员：石井大基，矢野义彦，吉田健一，高桥哲弘，山下由贵，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：