一种电平位移电路及电荷泵电路控制信号传输装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种电平位移电路及电荷泵电路装置，涉及集成电路技术领域，解决了现有技术存在的电平位移电路对工艺有耐压要求，需要使用耐高压器件，从而导致芯片采用高压工艺，增加芯片的制造流程和生产成本的技术问题。该电路包括锁存模块、钳位电压模块和信号控制模块；所述锁存模块用于暂时存储电位信号；所述钳位电压模块用于防止所述电路的器件受到损坏；所述信号控制模块用于改变所述锁存模块的电位信号；所述锁存模块连接所述钳位电压模块；所述钳位电压模块连接所述信号控制模块。本实用新型专利技术的电路结构简单，使用低压器件能够降低电路成本。能够降低电路成本。能够降低电路成本。

【技术实现步骤摘要】
一种电平位移电路及电荷泵电路控制信号传输装置


[0001]本技术涉及集成电路
，尤其涉及一种电平位移电路及电荷泵电路控制信号传输装置。

技术介绍

[0002]电机驱动中，随着驱动电流需求越来越大，双NMOS的驱动结构应用很广，这是因为NMOS的驱动能力很强，代替了PMOS的应用。但是驱动高压域的NMOS管，就会用到升压技术，让栅级电压大于漏级的电源电压，从而提供较好的导通能力。现有的功率NMOS管的发展，出现很多低电压开启NMOS管，在5V以下就能很好开启。这样高压域的电压控制可以做到采用隔离低压器件来实现，如通过电荷泵产生相关高电压域的电压；同时实现低压域到高压域的通信，一般采用电平位移电路。
[0003]在实现本技术过程中，申请人发现现有技术中至少存在如下问题：
[0004]现有电平位移电路对工艺有耐压要求，需要使用耐高压器件，从而导致芯片采用高压工艺，增加芯片的制造流程和生产成本。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于提供一种电平位移电路及电荷泵电路装置，以解决现有技术中存在电平位移电路对工艺有耐压要求，需要使用耐高压器件，从而导致芯片采用高压工艺，增加芯片的制造流程和生产成本的技术问题。本技术提供的诸多技术方案中的优选技术方案所能产生的诸多技术效果详见下文阐述。
[0006]为实现上述目的，本技术提供了以下技术方案：
[0007]本技术提供的一种电平位移电路及电荷泵电路装置，用于将所述电路输入的低压域信号转化成高压域信号输出，包括锁存模块、钳位电压模块和信号控制模块；所述锁存模块用于暂时存储电位信号；所述钳位电压模块用于防止所述电路的器件受到损坏；所述信号控制模块用于改变所述锁存模块的电位信号；所述锁存模块连接所述钳位电压模块；所述钳位电压模块连接所述信号控制模块。
[0008]优选的，所述锁存模块包括第一反相器I1、第二反相器I2；所述第一反相器I1、第二反相器I2的电源端分别接高电位电源VH，地端分别接低电位电源VL；所述第一反相器I1的输入端连接所述第二反相器I2的输出端；所述第一反相器I1的输出端连接所述第二反相器I2的输入端。
[0009]优选的，所述钳位电压模块包括第三反相器I3和第四反相器I4；所述第三反相器I3、第四反相器I4的电源端分别连接所述第一反相器I1、第二反相器I2的输出端，地端分别连接所述信号控制模块，输入端分别连接所述低电位电源VL，输出端悬空。
[0010]优选的，所述信号控制模块包括第五反相器I5、第一MOS管NM1、第二MOS管NM2；所述第五反相器I5的电源端连接工作电源VDD，地端接地GND，输入端接输入电压VIN，输出端接所述第一MOS管NM1的栅极；所述第一MOS管NM1的源极接地GND，漏极接所述第三反相器I3
的地端；所述第二MOS管的栅极接所述输入电压VIN，源极接地GND，漏极接所述第四反相器I4的地端。
[0011]优选的，所述第一反相器I1、第二反相器I2、第三反相器I3、第四反相器I4、第五反相器I5均为CMOS反相器。
[0012]优选的，所述电路还包括驱动增强模块，用于增强输出电压的信号驱动；所述驱动增强模块连接所述锁存模块。
[0013]优选的，所述驱动增强模块包括第六反相器I6；所述第六反相器I6的输入端连接所述第二反相器I2的输出端，电源端接所述高电位电源VH，地端接所述低电位电源VL，输出端输出所述输出电压VOUT。
[0014]优选的，所述第六反相器I6为CMOS反相器。
[0015]优选的，所述CMOS反相器由NMOS管和PMOS管组成；所述NMOS管、PMOS管的栅极相连作为所述CMOS反相器的输入端；所述NMOS管、PMOS管的漏极相连作为所述CMOS反相器的输出端；所述PMOS管的源极作为所述CMOS反相器的电源端；所述NMOS管的源极作为所述CMOS反相器的地端。
[0016]一种电荷泵电路控制信号传输装置，其特征在于，包括上述任一所述的电平位移电路。
[0017]实施本技术上述技术方案中的一个技术方案，具有如下优点或有益效果：
[0018]本技术电路结构简单，使用两个CMOS反相器首尾相连用做锁存器，通过信号控制模块控制输出高电位信号，实现了在CMOS工艺中低压域向高压域的通信功能，降低了使用器件的耐压要求，即使用低压器件就可以实现电路的升压，从而降低了CMOS工艺的成本。
附图说明
[0019]为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，附图中：
[0020]图1是本技术实施例的电平位移电路图；
[0021]图2是本技术实施例的COMS反相器电路图。
具体实施方式
[0022]为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，下文将要描述的各种示例性实施例将要参考相应的附图，这些附图构成了示例性实施例的一部分，其中描述了实现本技术可能采用的各种示例性实施例。除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本公开相一致的所有实施方式。应明白，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本技术公开的一些方面相一致的流程、方法和装置等的例子，还可使用其他的实施例，或者对本文列举的实施例进行结构和功能上的修改，而不会脱离本技术的范围和实质。
[0023]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”等指示的是
基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的元件必须具有的特定的方位、以特定的方位构造和操作。术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。术语“多个”的含义是两个或两个以上。术语“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接、可拆卸连接、一体连接、机械连接、电连接、通信连接、直接相连、通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0024]为了说明本技术所述的技术方案，下面通过具体实施例来进行说明，仅示出了与本技术实施例相关的部分。
[0025]实施例一：
[0026]如图1所示，本技术提供了一种电平位移电路，用于将电路输入的低压域信号转化成高压域信号输出，包括锁存模块1、钳位电压模块2和信号控制模块3；锁存模块1用于暂时存储电位信号；钳位电压模块2用于防止所述电路的器件受到损坏；信号控制模块3用于改变本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电平位移电路，其特征在于，用于将所述电路输入的低压域信号转化成高压域信号输出，包括锁存模块、钳位电压模块和信号控制模块；所述锁存模块用于暂时存储电位信号；所述钳位电压模块用于防止所述电路的器件受到损坏；所述信号控制模块用于改变所述锁存模块的电位信号；所述锁存模块连接所述钳位电压模块；所述钳位电压模块连接所述信号控制模块。2.根据权利要求1所述的电平位移电路，其特征在于，所述锁存模块包括第一反相器I1、第二反相器I2；所述第一反相器I1、第二反相器I2的电源端分别接高电位电源VH，地端分别接低电位电源VL；所述第一反相器I1的输入端连接所述第二反相器I2的输出端；所述第一反相器I1的输出端连接所述第二反相器I2的输入端。3.根据权利要求2所述的电平位移电路，其特征在于，所述钳位电压模块包括第三反相器I3和第四反相器I4；所述第三反相器I3、第四反相器I4的电源端分别连接所述第一反相器I1、第二反相器I2的输出端，地端分别连接所述信号控制模块，输入端分别连接所述低电位电源VL，输出端悬空。4.根据权利要求3所述的电平位移电路，其特征在于，所述信号控制模块包括第五反相器I5、第一MOS管NM1、第二MOS管NM2；所述第五反相器I5的电源端连接工作电源VDD，地端接地GND，输入端接输入电压VIN，输出端接所述第一MOS管NM1的栅极；所述第一MOS管NM1的源极接地GND，漏极...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜凯，杨承晋，刘涛，兰华兵，
申请(专利权)人：深圳市森国科科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：