像素阵列、摄像元件和电子设备制造技术

本发明专利技术涉及像素阵列、摄像元件和电子设备。该像素阵列包括：在平面图中布置成2

【技术实现步骤摘要】
像素阵列、摄像元件和电子设备
[0001]本申请是申请日为2018年11月12日、专利技术名称为“固态摄像元件和电子设备”的申请号为201880074140.X的专利申请的分案申请。


[0002]本技术涉及固态摄像元件和电子设备，更特别地，涉及被构造成能够同时获得用于生成高动态范围图像的信号和用于检测相位差的信号的固态摄像元件和电子设备。

技术介绍

[0003]人们已经提出了一种固态摄像元件，其实现了同时获得用于生成高动态范围图像(在下文中也被称为HDR图像)的高灵敏度信号和低灵敏度信号这两种像素信号和获得用于测距的相位差检测信号(例如，参见专利文献1)。
[0004]引用列表
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本专利申请公开第2016
‑
171308号

技术实现思路

[0007]本专利技术要解决的问题
[0008]在专利文献1的像素结构中，在一个片上透镜下方形成有三个光电二极管。如果专门为了相位差特性而增大片上透镜的曲率以增大屈光力来提高角度依赖性，则变得本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种像素阵列，其包括：在平面图中布置成2
×
2矩阵的第一像素集、第二像素集、第三像素集和第四像素集，所述第一像素集、所述第二像素集、所述第三像素集和所述第四像素集的每一者包括四个像素，所述像素的每一者包括两个光电转换部，其中，所述第一像素集和所述第四像素集被构造成产生与第一波长范围的光对应的像素信号，所述第二像素集被构造成产生与第二波长范围的光对应的像素信号，所述第二波长范围不同于所述第一波长范围，所述第三像素集被构造成产生与第三波长范围的光对应的像素信号，所述第三波长范围不同于所述第一波长范围和所述第二波长范围，所述第一像素集中的所述四个像素的所述光电转换部的每一者被布置在第一布置方向上，所述第二像素集中的所述四个像素的所述光电转换部的每一者被布置在第二布置方向上，所述第二布置方向垂直于所述第一布置方向，所述第三像素集中的所述四个像素的所述光电转换部的每一者被布置在所述第二布置方向上，并且所述第四像素集中的所述四个像素的所述光电转换部的每一者被布置在所述第一布置方向上。2.根据权利要求1所述的像素阵列，其中，所述第一波长范围对应于绿色，所述第二波长范围对应于红色，并且所述第三波长范围对应于蓝色。3.根据权利要求1所述的像素阵列，其中，所述光电转换部是光电二极管。4.根据权利要求1所述的像素阵列，其中，所述光电转换部具有带主轴的形状，所述第一布置方向上的所述光电转换部的所述主轴在第一方向上延伸，并且所述第二布置方向上的所述光电转换部的所述主轴在第二方向上延伸，所述第二方向垂直于所述第一方向。5.根据权利要求1所述的像素阵列，其中，所述第一像素集和所述第四像素集各自包括第一滤色器以产生与所述第一波长范围对应的第一颜色，所述第二像素集包括第二滤色器以产生与所述第二波长范围对应的第二颜色，并且所述第三像素集包括第三滤色器以产生与所述第三像素波长范围对应的第三颜色。6.根据权利要求1所述的像素阵列，其中，所述光电转换部通过绝缘层彼此隔离。7.根据权利要求1所述的像素阵列，其还包括：电荷保持部，所述电荷保持部保持在所述光电转换部中生成的电荷，所述电荷保持部将在所述光电转换部中生成的电荷相加并输出。8.根据权利要求7所述的像素阵列，其中，所述电荷保持部将在各个像素集中的所有所述像素的所述光电转换部中生成的电荷相加并输出。9.一种摄像元件，其包括：像素阵列，所述像素阵列包括在平面图中布置成2
×
2矩阵的第一像素集、第二像素集、第三像素集和第四像素集，所述第一像素集、所述第二像素集、所述第三像素集和所述第四像素集的每一者包括四个像素，所述像素的每一者包括两个光电转换部，其中，所述第一像素集和所述第四像素集被构造成产生与第一波长范围的光对应的像素信
号，所述第二像素集被构造成产生与第二波长范围的光对应的像素信号，所述第二波长范围不同于所述第一波长范围，所述第三像素集被构造成产生与第三波长范围的光对应的像素信号，所述第三波长范围不同于所述第一波长范围和所述第二波长范围，所述第一像素集中的所述四个像素的所述光电转换部的每一者被布置在第一布置方向上，所述第二像素集中的所述四个像素的所述光电转换部的每一者被布置在第...

【专利技术属性】
技术研发人员：星野幸三，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：