包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法技术

本申请涉及包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法包括形成将包括竖直交替的第一层和第二层的堆叠的下部部分。所述堆叠包括横向间隔开的存储器块区。所述第一层的材料具有与第二层的材料不同的组合物。所述下部部分包括包括绝缘材料的上部第二层。在所述下部部分上方形成所述堆叠的上部部分的所述竖直交替的第一层和第二层。形成延伸穿过所述上部部分到所述下部部分的沟道材料串。纵向沿着所述存储器块区的相对横向边缘在所述上部第二层中形成水平伸长线。所述线的材料具有与所述上部第二层中的横向位于所述线之间的所述绝缘材料的组合物不同的组合物。将水平伸长沟槽形成到所述堆叠中，所述水平伸长沟槽个别地在横向紧邻的所述存储器块区之间且延伸穿过所述上部部分到所述下部部分。公开了包含独立于方法的结构的其它实施例。的结构的其它实施例。的结构的其它实施例。

【技术实现步骤摘要】
包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法


[0001]本文公开的实施例涉及包括存储器单元串的存储器阵列以及用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。

技术介绍

[0002]存储器是一种类型的集成电路系统，且在计算机系统中用于存储数据。存储器可制造成个别存储器单元的一或多个阵列。可使用数字线(其也可被称为位线、数据线或感测线)和存取线(其也可被称为字线)对存储器单元进行写入或从存储器单元进行读取。感测线可沿着阵列的列使存储器单元以导电方式互连，并且存取线可沿着阵列的行使存储器单元以导电方式互连。可通过感测线和存取线的组合对每个存储器单元进行唯一地寻址。
[0003]存储器单元可以是易失性、半易失性或非易失性的。非易失性存储器单元可在不通电的情况下将数据存储很长一段时间。通常将非易失性存储器指定为具有至少约10年保持时间的存储器。易失性存储器会耗散，且因此刷新/重写以维持数据存储。易失性存储器可具有数毫秒或更少的保持时间。无论如何，存储器单元被配置成以至少两个不同可选择状态保持或存储存储器。在二进制系统中，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法，其包括：形成将包括竖直交替的第一层和第二层的堆叠的下部部分，所述堆叠包括横向间隔开的存储器块区，所述第一层的材料具有与所述第二层的材料不同的组合物，所述下部部分包括包括绝缘材料的上部第二层；在所述下部部分上方形成所述堆叠的上部部分的所述竖直交替的第一层和第二层，且形成延伸穿过所述上部部分到所述下部部分的沟道材料串；纵向沿着所述存储器块区的相对横向边缘在所述上部第二层中形成水平伸长线，所述线的材料具有与所述上部第二层中的横向位于所述线之间的所述绝缘材料的组合物不同的组合物；以及将水平伸长沟槽形成到所述堆叠中，所述水平伸长沟槽个别地在横向紧邻的所述存储器块区之间且延伸穿过所述上部部分到所述下部部分。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述上部第二层为所述下部部分中的最上部第二层。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述线材料是绝缘的。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述线材料是半导电的。5.根据权利要求4所述的方法，其包括在形成所述沟槽之后去除所述线。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述线材料是导电的。7.根据权利要求6所述的方法，其中所述导电材料包括金属材料。8.根据权利要求6所述的方法，其包括在形成所述沟槽之后去除所述线。9.根据权利要求1所述的方法，其中所述线材料包括二氧化铪、掺杂二氧化硅、掺杂碳的氮化硅、掺杂硼的硅、碳和元素硼中的至少一者。10.根据权利要求9所述的方法，其中所述绝缘材料包括二氧化硅。11.根据权利要求10所述的方法，其中所述二氧化硅是未经掺杂的。12.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述线包括：形成所述线材料以在所述横向紧邻的存储器块区之间且纵向沿着所述横向紧邻的存储器块区桥接；在所述线材料上方形成所述上部部分；以及将所述沟槽形成到所述线材料中且穿过所述线材料以自其形成所述线。13.根据权利要求12所述的方法，其包括：形成牺牲轨道，其个别地在将形成所述沟槽中的个别者的地方的正下方；在所述牺牲轨道正上方形成所述线材料；所述形成所述沟槽包括相对于所述牺牲轨道选择性地蚀刻穿过所述线材料；以及在所述刻蚀之后去除所述牺牲轨道。14.根据权利要求1所述的方法，其包括在形成所述上部部分之后形成所述线。15.根据权利要求14所述的方法，其在形成所述沟槽之后形成所述线。16.根据权利要求1所述的方法，其包括在所述存储器块区内形成所述线。17.一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法，其包括：在衬底上形成包括导体材料的导体层；在所述导体层上方形成将包括竖直交替的第一层和第二层的堆叠的下部部分，所述堆叠包括横向间隔开的存储器块区，所述第一层的材料具有与所述第二层的材料不同的组合
物，所述第一层中的最下部者包括第一牺牲材料，所述下部部分包括包括绝缘材料的上部第二层；在所述上部第二层中形成水平伸长线材料，所述水平伸长线材料纵向沿着紧邻的所述存储器块区的相对横向边缘且横向地桥接在紧邻的所述存储器块区的所述相对横向边缘之间，所述线材料具有与所述上部第二层中的横向位于所述线材料之间的所述绝缘材料的组合物不同的组合物；在所述下部部分和所述线材料上方形成所述堆叠的上部部分的所述竖直交替的第一层和第二层，且形成延伸穿过所述上部部分到所述下部部分中的所述最下部第一层的沟道材料串；将水平伸长沟槽形成到所述堆叠中，所述水平伸长沟槽个别地横向位于横向紧邻的所述存储器块区之间，所述沟槽延伸穿过所述上部部分且穿过所述线材料以纵向沿着所述存储器块区的所述相对横向边缘在所述上部第二层中形成水平伸长线，所述沟槽延伸到所述最下部第一层且暴露其中的所述牺牲材料；穿过所述沟槽从所述最下部第一层各向同性地蚀刻暴露的第一牺牲材料；以及在所述各向同性蚀刻之后，在所述最下部第一层中形成导电材料，所述导电材料将所述沟道材料串中的个别者的沟道材料与所述导体层的所述导体材料直接电耦合在一起。18.根据权利要求17所述的方法，其包括：形成牺牲轨道，其个别地在将形成所述沟槽中的个别者的地方的正下方；在所述牺牲轨道正上方形成所述线材料；所述形成所述沟槽包括相对于所述牺牲轨道选择性地蚀刻穿过所述线材料；以及在所述蚀刻穿过所...

【专利技术属性】
技术研发人员：A，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：