包括存储控制器的存储装置和用于操作存储控制器的方法制造方法及图纸

提供了包括存储控制器的存储装置和用于操作存储控制器的方法。所述用于操作存储控制器的方法包括：接收第一读取命令；使用第一读取电平执行对存储在非易失性存储器中的数据的第一读取，并接收第一读取数据；执行对第一读取数据的第一纠错解码以确定第一纠错解码是否成功；使用预定方法确定第二读取电平，并确定第二读取电平的第一软决策偏移值；使用确定的第二读取电平和第一软决策偏移值读取存储在非易失性存储器中的数据，并接收第一软决策数据；执行对第一软决策数据的第二纠错解码以确定第二纠错解码是否成功；并存储第二读取电平、用于确定第二读取电平的第一方法和第一软决策偏移值。软决策偏移值。软决策偏移值。

【技术实现步骤摘要】
包括存储控制器的存储装置和用于操作存储控制器的方法
[0001]本申请要求于2021年8月25日在韩国知识产权局提交的第10
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2021
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0112370号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。


[0002]本专利技术涉及存储装置和用于操作存储控制器的方法。

技术介绍

[0003]在包括NAND(与非)闪存的非易失性存储器中，当数据被编程到存储器单元时，单元分布被形成。当读取操作使用适合于单元分布的形式的读取电平被执行时，可靠的读取数据可被获得。
[0004]然而，当非易失性存储器的操作连续进行时，这样的单元分布可劣化。在这种情况下，当读取操作以预先定义的现有读取电平被执行时，包括多个错误的数据更有可能将被获得。因此，期望确定与当前单元分布对应的新读取电平。
[0005]当在读取数据中存在错误时，防御操作(defense operation)或恢复操作(recovery operation)可被执行以获得最优读取电平，并且数据可通过读取重试操作而被获取。然而，当单元分布的劣化变得严重时，难以仅通过寻找最优读取电平来获得可靠的读取数据。因此，可通过利用纠错码(ECC)引擎的软解码来执行纠错解码。此时，软决策数据需要被生成，然后被输入到用于软解码的ECC引擎。
[0006]为了生成这样的软决策数据，需要软决策偏移值。然而，因为多个读取操作在确定软判决偏移值的处理中可能被再次需要，所以存储装置的操作速度可降低。
专利技术内容
[0007]本专利技术的方面提供用于操作能够提高存储装置的操作速度的存储控制器。
[0008]本专利技术的方面还提供具有提高的操作速度的存储装置。
[0009]根据本公开的一些方面，提供一种用于操作存储控制器的方法，所述方法包括：从主机装置接收第一读取命令；当第一读取命令被接收时，使用第一读取电平执行对存储在非易失性存储器中的数据的第一读取，并且基于第一读取的结果从非易失性存储器接收第一读取数据；执行对第一读取数据的第一纠错解码以确定第一纠错解码是否成功；当第一纠错解码失败时，使用预定方法中的至少一个确定与第一读取电平不同的第二读取电平，并且确定第二读取电平的第一软决策偏移值；使用确定的第二读取电平和第一软决策偏移值执行对存储在非易失性存储器中的数据的第二读取，并且基于第二读取的结果从非易失性存储器接收第一软决策数据；执行对第一软决策数据的第二纠错解码以确定第二纠错解码是否成功；以及当第二纠错解码成功时，将第二读取电平、用于确定第二读取电平的预定方法中的第一方法和第一软决策偏移值存储为历史日志。
[0010]根据本公开的一些方面，提供一种用于操作存储控制器的方法，所述方法包括：从主机装置接收第一读取命令；当第一读取命令被接收时，使用第一读取电平执行对存储在
非易失性存储器中的数据的第一读取，并且从非易失性存储器接收第一读取数据；执行对第一读取数据的第一纠错解码以确定第一纠错解码是否成功；当第一纠错解码失败时，检查用于确定与第一读取电平不同的第二读取电平的预定方法中的第一方法和第二读取电平的第一软决策偏移值是否被存储为历史日志；当历史日志存在时，使用历史日志的确定的第二读取电平和第一软决策偏移值执行对存储在非易失性存储器中的数据的第二读取，以基于第二读取的结果从非易失性存储器接收第一软决策数据；以及当历史日志不存在时，使用预定方法中的至少一个确定与第一读取电平不同的第三读取电平，确定第三读取电平的第二软决策偏移值，并且使用确定的第三读取电平和第二软决策偏移值执行对存储在非易失性存储器中的数据的第三读取以接收第二软决策数据。
[0011]根据本公开的一些方面，提供一种存储装置，包括：非易失性存储器；以及存储控制器，包括缓冲存储器并且控制非易失性存储器的操作。存储控制器被配置为：从主机装置接收第一读取命令；响应于第一读取命令，使用第一读取电平执行对存储在非易失性存储器中的数据的第一读取，并且基于第一读取的结果从非易失性存储器接收第一读取数据；执行对第一读取数据的纠错解码以确定纠错解码是否成功；响应于纠错解码的失败，检查用于确定与第一读取电平不同的第二读取电平的预定方法中的第一方法和第二读取电平的第一软决策偏移值是否被存储为历史日志；响应于存在历史日志，使用确定的第二读取电平和第一软决策偏移值执行对存储在非易失性存储器中的数据的第二读取，以基于第二读取的结果从非易失性存储器接收第一软决策数据；以及响应于不存在历史日志，使用预定方法中的至少一个确定与第一读取电平不同的第三读取电平，确定第三读取电平的第二软决策偏移值，并且使用确定的第三读取电平和第二软决策偏移值执行对存储在非易失性存储器中的数据的第三读取，以基于第三读取的结果从非易失性存储器接收第二软决策数据。
附图说明
[0012]通过参照附图详细描述本专利技术的示例性实施例，本专利技术的上述和其他方面以及特征将变得更清楚，其中：
[0013]图1是示出根据一些实施例的存储器系统的框图；
[0014]图2是示出根据示例实施例的图1的缓冲存储器的示图；
[0015]图3是示出根据示例实施例的图1的ECC引擎的示图；
[0016]图4是示出根据示例实施例的以重新配置的方式的图1的存储装置的存储控制器和非易失性存储器的示图；
[0017]图5是示出根据示例实施例的以重新配置的方式的图1的存储控制器、存储器接口和非易失性存储器的示图；
[0018]图6是示出根据示例实施例的图5的非易失性存储器的示例性框图；
[0019]图7是用于解释根据一些实施例的可被应用于非易失性存储器的3DV
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NAND结构的示图；
[0020]图8是用于解释根据一些实施例的存储装置的操作的示图；
[0021]图9至图15是用于解释根据示例实施例的图8的操作的示图；
[0022]图16是用于解释根据一些实施例的存储装置的操作的示图；
[0023]图17和图18是用于解释根据示例实施例的图16的操作的示图。
具体实施方式
[0024]下面将参照附图描述根据本专利技术的技术想法的实施例。
[0025]图1是示出根据一些实施例的存储器系统的框图。图2是示出根据示例实施例的图1的缓冲存储器的示图。图3是示出根据示例实施例的图1的纠错码(ECC)引擎的示图。
[0026]参照图1，存储器系统10可包括主机装置(或主机)100和存储装置200。存储装置200可包括存储控制器210和非易失性存储器(NVM)220。主机装置100可包括主机控制器110和主机存储器120。主机存储器120可作为用于临时存储将被传送到存储装置200的数据或从存储装置200传送的数据的缓冲存储器。
[0027]存储装置200可包括用于响应于来自主机装置100的请求存储数据的存储介质。例如，存储装置200可包括固态驱动器(SSD)、嵌入式存储器和可拆卸外部存储器中的至少一个。当存储装本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于操作存储控制器的方法，所述方法包括：从主机装置接收第一读取命令；当第一读取命令被接收时，使用第一读取电平执行对存储在非易失性存储器中的数据的第一读取，并且基于第一读取的结果从非易失性存储器接收第一读取数据；执行对第一读取数据的第一纠错解码以确定第一纠错解码是否成功；当第一纠错解码失败时，使用多个预定方法中的至少一个确定与第一读取电平不同的第二读取电平，并且确定第二读取电平的第一软决策偏移值；使用确定的第二读取电平和第一软决策偏移值执行对存储在非易失性存储器中的数据的第二读取，并且基于第二读取的结果从非易失性存储器接收第一软决策数据；执行对第一软决策数据的第二纠错解码以确定第二纠错解码是否成功；以及当第二纠错解码成功时，将第二读取电平、用于确定第二读取电平的所述多个预定方法中的第一方法和第一软决策偏移值存储为历史日志。2.根据权利要求1所述的方法，其中，第一读取电平被预先确定。3.根据权利要求2所述的方法，其中，第一读取数据包括硬决策数据。4.根据权利要求1所述的方法，其中，确定第二读取电平的第一软决策偏移值的步骤包括：将预定偏移施加到第二读取电平以执行第二读取，并且基于第二读取的结果确定第一软决策偏移值。5.根据权利要求4所述的方法，其中，将预定偏移施加到第二读取电平以执行第二读取的步骤包括：通过将预定偏移施加到第二读取电平，对包括在非易失性存储器中的存储器单元之中的与导通单元对应的存储器单元的数量和与截止单元对应的存储器单元的数量进行计数。6.根据权利要求1至5中的任何一项所述的方法，其中，执行第一纠错解码的步骤包括：使用低密度奇偶校验码进行第一纠错解码，并且其中，执行第二纠错解码的步骤包括：使用低密度奇偶校验码进行第二纠错解码。7.根据权利要求1至5中的任何一项所述的方法，其中，所述多个预定方法中的第一方法使用非易失性存储器的存储器单元的当前单元分布信息确定第二读取电平。8.根据权利要求1至5中的任何一项所述的方法，其中，所述多个预定方法包括：第一方法，用于使用预定公式确定第二读取电平，第二方法，用于使用非易失性存储器的邻近存储器单元的分布信息确定第二读取电平，以及第三方法，用于在移动读取电平的同时确定第二读取电平。9.根据权利要求1至5中的任何一项所述的方法，还包括：从主机装置接收第二读取命令；当第二读取命令被接收时，使用第一读取电平执行对存储在非易失性存储器中的数据的第三读取，并且基于第三读取的结果从非易失性存储器接收第三读取数据；执行对第三读取数据的第三纠错解码以确定第三纠错解码是否成功；以及当第三纠错解码失败时：使用存储为历史日志的第二读取电平和第一软决策偏移值执行对存储在非易失性存
储器中的数据的第四读取，并且基于第四读取的结果从非易失性存储器接收第二软决策数据，并且执行对第二软决策数据的第四纠错解码以确定第四纠错解码是否成功。10.根据权利要求9所述的方法，还包括：当第四纠错解码失败时，使用所述多个预定方法中的至少一个确定与第二读取电平不同的第三读取电平，并且确定第三读取电平的第二软决策偏移值。11.一种用于操作存储控制器的方法，所述方法包括：从主机装置接收第一读取命令；当第一读取命令被接收时，使用第一读取电平执行对存储在非易失性存储器中的数据的第一读取，并且从非易失性存储器接收第一读取数据；执行对第一读取数据的第一纠错解码以确定第一纠错解码是否成功；当第一纠错解码失败时，检查用于确定与第一读取电平不同的第二读取电...

【专利技术属性】
技术研发人员：李静雨，柳尚辰，姜熙雄，李侊祐，李熙元，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：