执行性能调整操作的存储器系统技术方案

提供执行性能调整操作的存储器系统。一种存储器系统包括：基底；第一存储器封装件，安装在基底上并且包括多个第一非易失性存储器(NVM)；第二存储器封装件，安装在基底上并且包括多个第二NVM，以及存储器控制器，配置为：基于基底的温度，提高所述多个第一NVM中的至少一个的性能，并且使所述多个第二NVM中的至少一个的性能下降。一个的性能下降。一个的性能下降。

【技术实现步骤摘要】
执行性能调整操作的存储器系统
[0001]本美国非临时申请基于并要求于2021年8月27日在韩国知识产权局提交的10
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2021
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0114252号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。


[0002]专利技术构思的各种示例实施例涉及存储器系统、存储器装置、和/或操作存储器系统的方法，更具体地，涉及执行性能调整操作的存储器控制器和包括存储器控制器的存储器系统。

技术介绍

[0003]可快速输入/输出高容量数据的数据存储装置(诸如，固态驱动器(SSD))的需求增加，SSD包括存储器控制器和在存储器控制器中的多个存储器封装件，并且由于发热导致的装置损坏和性能限制会成为问题。因此，对用于减少由SSD生成的热量的方法的研究正在积极进行。

技术实现思路

[0004]专利技术构思的各种示例实施例提供用于在由于高温启动(high temperature start)导致的性能节流操作之前通过性能调整操作来减少和/或防止SSD达到高温的存储器控制器、包括存储器控制器的存储本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器系统，包括基底；第一存储器封装件，安装在基底上并且包括多个第一非易失性存储器；第二存储器封装件，安装在基底上并且包括多个第二非易失性存储器；以及存储器控制器，被配置为：基于基底的温度，提高所述多个第一非易失性存储器中的至少一个的性能，并且使所述多个第二非易失性存储器中的至少一个的性能下降。2.根据权利要求1所述的存储器系统，其中，存储器控制器还被配置为：基于基底的温度，增加提供给第一存储器封装件的命令的数量，并且降低提供给第二存储器封装件的命令的数量。3.根据权利要求2所述的存储器系统，其中，存储器控制器包括：第一缓冲器，被配置为临时存储从主机接收的至少一个命令；第二缓冲器，被配置为临时存储将被传送到第一存储器封装件的至少一个第一内部命令；以及第三缓冲器，被配置为临时存储将被传送到第二存储器封装件的至少一个第二内部命令，并且第三缓冲器被配置为：响应于基底的温度，将所述至少一个第一内部命令传送到第二缓冲器，并将所述至少一个第二内部命令传送到第三缓冲器，并且所述至少一个第一内部命令包括比所述至少一个第二内部命令的数量大的数量的命令。4.根据权利要求1所述的存储器系统，其中，存储器控制器被配置为：基于基底的温度，增加第一存储器封装件中的所述多个第一非易失性存储器之中的激活的非易失性存储器的数量，并且降低第二存储器封装件中的所述多个第二非易失性存储器之中的激活的非易失性存储器的数量。5.根据权利要求4所述的存储器系统，其中，第一存储器封装件通过多个第一芯片激活引脚连接到存储器控制器；第二存储器封装件通过多个第二芯片激活引脚连接到存储器控制器；并且存储器控制器还被配置为：基于基底的温度，增加所述多个第一芯片激活引脚之中的接收激活信号的第一芯片激活引脚的数量，并且降低所述多个第二芯片激活引脚之中的接收激活信号的第二芯片激活引脚的数量。6.根据权利要求1所述的存储器系统，其中，存储器控制器被配置为：响应于在将第一命令提供给第一存储器封装件之后第一虚设时间过去，将针对第一命令的第一地址提供给第一存储器封装件；以及响应于在将第二命令提供给在第二存储器封装件之后第二虚设时间过去，将针对第二命令的第二地址提供给第二存储器封装件，并且第一虚设时间短于第二虚设时间。7.根据权利要求1所述的存储器系统，其中，存储器控制器被配置为：响应于在对所述多个第一非易失性存储器中的至少一个的第一内部写入操作被完成之后第三虚设时间过去，将第一命令提供给第一存储器封装件；以及响应于在对所述多个第二非易失性存储器中的至少一个的第二内部写入操作被完成之后第四虚设时间过去，将第二命令提供给第二存储器封装件，并且
第三虚设时间短于第四虚设时间。8.根据权利要求1至7中的任何一项所述的存储器系统，其中，第一存储器封装件与存储器控制器之间的距离大于第二存储器封装件与存储器控制器之间的距离。9.根据权利要求1至7中的任何一项所述的存储器系统，还包括：散热器，被配置为将从第一存储器封装件和第二存储器封装件生成的热散到外部，其中，第一存储器封装件与...

【专利技术属性】
技术研发人员：金德洙，千大成，孔道一，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：