一种时序可控的宽电压线性稳压电源制造技术

本实用新型专利技术公开了一种时序可控的宽电压线性稳压电源，涉及直流稳压电源技术领域。所述电源包括有时序控制电路和宽电压线性稳压电路，其中，所述时序控制电路包括有P沟道型金氧半场效晶体管、N沟道型金氧半场效晶体管、第一电阻和第二电阻，并通过前述组成部分的电连接关系，可实现前端时序控制电路对后端线性稳压电源进行时序控制的目的，使得整个电源可为后端负载提供时序可控且电压平稳的线性稳压电源，因此在满足功能需求的情况下，还可降低成本，便于实际应用和推广。便于实际应用和推广。便于实际应用和推广。

【技术实现步骤摘要】
一种时序可控的宽电压线性稳压电源


[0001]本技术属于直流稳压电源
，具体涉及一种时序可控的宽电压线性稳压电源。

技术介绍

[0002]直流稳压电源是一种能为负载提供稳定直流电源的电子装置，其可以分为如下两类：线性稳压电源和开关型直流稳压电源。所述线性稳压电源有一个共同的特点就是它的功率器件调整管工作在线性区，靠调整管之间的电压降来稳定输出。目前市场上的现有线性稳压电源是按通用需求来设计具体电路的，虽然具有稳压功能，但没有时序控制功能，因此存在因通用方案设计的输出电流较大而导致成本较高的问题，有必要在成本方面进行电路优化设计。

技术实现思路

[0003]本技术的目的是提供一种时序可控的宽电压线性稳压电源，用以解决现有线性稳压电源存在因通用方案设计的输出电流较大而导致成本较高的问题。
[0004]为了实现上述目的，本技术采用以下技术方案：
[0005]第一方面，提供了一种时序可控的宽电压线性稳压电源，包括有时序控制电路和宽电压线性稳压电路，其中，所述时序控制电路包括有P沟道型金氧半场效晶体管、N沟道型金氧半场效晶体管、第一电阻和第二电阻；
[0006]所述P沟道型金氧半场效晶体管的源极分别电连接电压信号输入端和所述第一电阻的一端，所述P沟道型金氧半场效晶体管的漏极电连接所述宽电压线性稳压电路的电压输入端，所述P沟道型金氧半场效晶体管的栅极和所述第一电阻的另一端分别电连接所述N沟道型金氧半场效晶体管的源极，所述N沟道型金氧半场效晶体管的栅极分别电连接控制信号输入端和所述第二电阻的一端，所述N沟道型金氧半场效晶体管的漏极和所述第二电阻的另一端分别接地。
[0007]基于上述
技术实现思路
，提供了一种能够提供时序控制功能的宽电压线性稳压电路设计方案，即包括有时序控制电路和宽电压线性稳压电路，其中，所述时序控制电路包括有P沟道型金氧半场效晶体管、N沟道型金氧半场效晶体管、第一电阻和第二电阻，并通过前述组成部分的电连接关系，可实现前端时序控制电路对后端线性稳压电源进行时序控制的目的，使得整个电源可为后端负载提供时序可控且电压平稳的线性稳压电源，因此在满足功能需求的情况下，还可降低成本，便于实际应用和推广。
[0008]在一个可能的设计中，所述宽电压线性稳压电路包括有NPN型三极管、可调式精密并联稳压器、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第一电容和第二电容；
[0009]所述NPN型三极管的集电极作为所述宽电压线性稳压电路的电压输入端且电连接所述第三电阻的一端，所述NPN型三极管的基极分别电连接所述第三电阻的另一端、所述可调式精密并联稳压器的阴极和所述第二电容的一端，所述NPN型三极管的发射极分别电连
接所述第四电阻的一端、所述第一电容的一端和电压输出端,所述第四电阻的另一端分别电连接所述第五电阻的一端和所述可调式精密并联稳压器的反馈管脚，所述可调式精密并联稳压器的阳极、所述第五电阻的另一端、所述第一电容的另一端和所述第二电容的另一端分别接地。
[0010]在一个可能的设计中，还包括有放电电路，其中，所述放电电路包括有PNP型三极管和第六电阻；
[0011]所述PNP型三极管的集电极电连接所述第一电容的非接地端，所述PNP型三极管的基极电连接所述第二电容的非接地端，所述PNP型三极管的发射极电连接所述第六电阻的一端，所述第六电阻的另一端接地。
[0012]在一个可能的设计中，所述PNP型三极管的型号为LMBT5401LT1G，所述第六电阻的阻值为100欧姆。
[0013]在一个可能的设计中，所述NPN型三极管的型号为LMBT3904LT1G，所述可调式精密并联稳压器的型号为TL431。
[0014]在一个可能的设计中，所述第三电阻的阻值为510欧姆，所述第四电阻采用精密电阻且阻值为68K欧姆，所述第五电阻采用精密电阻且阻值为20K欧姆。
[0015]在一个可能的设计中，所述第一电容的电容值为10uF/16V，所述第二电容的电容值为10nF/50V。
[0016]在一个可能的设计中，还包括有防反串电路，其中，所述防反串电路的一端电连接所述P沟道型金氧半场效晶体管的漏极，所述防反串电路的另一端电连接所述宽电压线性稳压电路的电压输入端。
[0017]在一个可能的设计中，所述防反串电路包括有型号为SM4007PL的二极管，其中，所述二极管的阳极作为所述防反串电路的一端电连接所述P沟道型金氧半场效晶体管的漏极，所述二极管的阴极作为所述防反串电路的另一端电连接所述宽电压线性稳压电路的电压输入端。
[0018]在一个可能的设计中，所述P沟道型金氧半场效晶体管的型号为NCE40P05Y，所述N沟道型金氧半场效晶体管的型号为2N7002，所述第一电阻的阻值为100K欧姆，所述第二电阻的阻值为5.1K欧姆。
[0019]上述方案的有益效果：
[0020](1)本专利技术创造性提供了一种能够提供时序控制功能的宽电压线性稳压电路设计方案，即包括有时序控制电路和宽电压线性稳压电路，其中，所述时序控制电路包括有P沟道型金氧半场效晶体管、N沟道型金氧半场效晶体管、第一电阻和第二电阻，并通过前述组成部分的电连接关系，可实现前端时序控制电路对后端线性稳压电源进行时序控制的目的，使得整个电源可为后端负载提供时序可控且电压平稳的线性稳压电源，因此在满足功能需求的情况下，还可降低成本，便于实际应用和推广；
[0021](2)通过对宽电压线性稳压电路的具体设计，可以实现稳定电压、降低纹波以及为负载提供高稳定度的线性稳压电源功能等目的；
[0022](3)还可在保证电路正常工作的基础上提供放电功能，使得在控制信号关闭时，输出电压可以快速关闭；
[0023](4)还可通过防反串二极管，防止因后端高电压串入而导致前端电路受损，进一步
增强电路的可靠性。
附图说明
[0024]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0025]图1为本申请实施例提供的时序可控的宽电压线性稳压电源的电路结构示意图。
具体实施方式
[0026]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将结合附图和实施例或现有技术的描述对本申请实施例作简单地介绍，显而易见地，下面关于附图结构的描述仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些实施例描述获得其他的实施例描述。在此需要说明的是，对于这些实施例方式的说明用于帮助理解本技术，但并不构成对本技术的限定。
[0027]应当理解，尽管本文可能使用术语第一和第二等等来描述各种对象，但是这些对象不应当受到这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个对象和另一个对象。例如可本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种时序可控的宽电压线性稳压电源，其特征在于，包括有时序控制电路和宽电压线性稳压电路，其中，所述时序控制电路包括有P沟道型金氧半场效晶体管(Q1)、N沟道型金氧半场效晶体管(Q4)、第一电阻(R2)和第二电阻(R4)；所述P沟道型金氧半场效晶体管(Q1)的源极分别电连接电压信号输入端(VIN)和所述第一电阻(R2)的一端，所述P沟道型金氧半场效晶体管(Q1)的漏极电连接所述宽电压线性稳压电路的电压输入端，所述P沟道型金氧半场效晶体管(Q1)的栅极和所述第一电阻(R2)的另一端分别电连接所述N沟道型金氧半场效晶体管(Q4)的源极，所述N沟道型金氧半场效晶体管(Q4)的栅极分别电连接控制信号输入端(BK_SW)和所述第二电阻(R4)的一端，所述N沟道型金氧半场效晶体管(Q4)的漏极和所述第二电阻(R4)的另一端分别接地。2.根据权利要求1所述的宽电压线性稳压电源，其特征在于，所述宽电压线性稳压电路包括有NPN型三极管(Q2)、可调式精密并联稳压器(D2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R1)、第五电阻(R5)、第一电容(C1)和第二电容(C2)；所述NPN型三极管(Q2)的集电极作为所述宽电压线性稳压电路的电压输入端且电连接所述第三电阻(R3)的一端，所述NPN型三极管(Q2)的基极分别电连接所述第三电阻(R3)的另一端、所述可调式精密并联稳压器(D2)的阴极和所述第二电容(C2)的一端，所述NPN型三极管(Q2)的发射极分别电连接所述第四电阻(R1)的一端、所述第一电容(C1)的一端和电压输出端(VOUT),所述第四电阻(R1)的另一端分别电连接所述第五电阻(R5)的一端和所述可调式精密并联稳压器(D2)的反馈管脚，所述可调式精密并联稳压器(D2)的阳极、所述第五电阻(R5)的另一端、所述第一电容(C1)的另一端和所述第二电容(C2)的另一端分别接地。3.根据权利要求2所述的宽电压线性稳压电源，其特征在于，还包括有放电电路，其中，所述放电电路包括有PNP型三极管(Q3)和第六电阻(R6)；所述PNP...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘伟平，李梦飞，
申请(专利权)人：成都极空科技有限公司，
类型：新型
国别省市：