【技术实现步骤摘要】
谐振腔单元及扩展互作用速调管
[0001]本专利技术涉及真空电子器件
,尤其涉及一种谐振腔单元及应用其制成的扩展互作用速调管。
技术介绍
[0002]扩展互作用速调管是结合传统的速调管和行波管的结合,采用扩展互作用谐振腔作为高频换能系统的速调管,而扩展互作用谐振腔是一段两端适当位置短路的慢波系统,也就是在速调管单个谐振腔的基础上,引入多腔结构,而电子注通过互作用谐振腔与电磁场进行速度调制,再通过带有互作用谐振腔的漂移管发生密度调制,实现电磁波的放大。最常见的就是用矩形电子注通道通过矩形间隙的互作用谐振腔的速调管。
[0003]然而,基于上述速调管结构,在保持一定耦合系数的前提下,单周期谐振腔的特性阻抗比较小,谐振腔中的能量大部分被集中在了电子注外,从而不利于电子注与电磁场的相互作用。有鉴于此,特提出本专利技术。
技术实现思路
[0004]为了克服上述缺陷,本专利技术提供了一种谐振腔单元及扩展互作用速调管,其结构简单、新颖、合理,易于加工制作;特别的,借由所述谐振腔单元,可以实现在不改变耦合系数的 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种谐振腔单元,包括腔体(10)和连接于所述腔体(10)上的耦合孔(11),其特征在于:所述腔体(10)划分有电子束通道(100)和两个约束腔(101),两个所述约束腔(101)对称设置于所述电子束通道(100)的两侧旁、并分别与所述电子束通道(100)相连通,且两个所述约束腔(101)还能够将该谐振腔单元内产生的电场集中在所述电子束通道(100)中。2.根据权利要求1所述的谐振腔单元,其特征在于:每一所述约束腔(101)背向所述电子束通道(100)的外侧上均形成有能够将电磁波反射至所述电子束通道(100)中的反射部(1010)。3.根据权利要求2所述的谐振腔单元,其特征在于:所述反射部(1010)为相对于所述电子束通道(100)呈倾斜布置的倾斜面结构。4.根据权利要求3所述的谐振腔单元,其特征在于:以该谐振腔单元的竖向放置状态为基准,每一所述约束腔(101)背向所述电子束通道(100)的外侧均为立式布置,每一所述约束腔(101)背向所述电子束通道(100)的外侧上均形成有两个所述反射部(1010),且其中一个所述反射部(1010)为自所述约束腔(101)外侧的顶端朝下倾斜延伸形成的倾斜直平面,另一个所述反射部(1010)为自所述约束腔(101)外侧的底端朝上倾斜延伸形成的倾斜直平面。5.根据权利要求4所述的谐振腔单元,其特征在于:每一所述约束腔(101)外侧上的两个所述反射部(1010)相对于所述电子束通道(100)的横向中心线呈镜像对称布置。6.根据权利要求5所述的谐振腔单元,其特征在于:每一所述约束腔(101)外侧上且介于两个所述反射部(1010)之间的位置处还形成有一为竖直平面状的衔接部(1011),所述衔接部(1011)的上下两端分别与两个所述反射部(1010)相齐平衔接。7.根据...
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