套刻标记制造技术

本申请公开一种套刻标记，包括多个材料层分别设置的对准标记，至少一个材料层上的对准标记呈圆状结构；任意两层材料层上分别设置的对准标记用于测量这两层材料层之间的对准偏差。本申请所得的对准偏差具有较高的准确性，以此校准刻蚀过程中的偏差，有利于提高对应刻蚀工艺的精准度。蚀工艺的精准度。蚀工艺的精准度。

【技术实现步骤摘要】
套刻标记


[0001]本申请涉及半导体
，具体涉及一种套刻标记。

技术介绍

[0002]套刻工艺是半导体工艺中的重要工艺。套刻标记能够用于识别套刻工艺中的对准偏差，以在套刻工艺中依据对准偏差适应性调整相关工艺参数；可见，套刻标记能够为套刻工艺的质量提高重要保障。传统的套刻标记在发生旋转这一类运动时，容易产生测量偏差，使最终识别的对准偏差准确性低。

技术实现思路

[0003]鉴于此，本申请提供一种套刻标记，以解决传统套刻标记在发生旋转这一类运动时，容易产生测量偏差，使最终识别的对准偏差准确性低的问题。
[0004]本申请还提供一种套刻标记，包括多个材料层分别设置的对准标记，至少一个材料层上的对准标记呈圆状结构；任意两层材料层上分别设置的对准标记用于测量这两层材料层之间的对准偏差。
[0005]可选地，所述多个材料层包括第三材料层、第二材料层和第一材料层，所述第一材料层位于所述第二材料层表面，所述第二材料层位于所述第三材料层表面；所述第一材料层上设有第一对准标记，所述第二材料层上设有第二对准标记，所述第三材料层上设本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种套刻标记，其特征在于，包括多个材料层分别设置的对准标记，至少一个材料层上的对准标记呈圆状结构；任意两层材料层上分别设置的对准标记用于测量这两层材料层之间的对准偏差。2.根据权利要求1所述的套刻标记，其特征在于，所述多个材料层包括第三材料层、第二材料层和第一材料层，所述第一材料层位于所述第二材料层表面，所述第二材料层位于所述第三材料层表面；所述第一材料层上设有第一对准标记，所述第二材料层上设有第二对准标记，所述第三材料层上设有第三对准标记；所述第三对准标记与所述第一对准标记之间的距离用于测量所述第三材料层与所述第一材料层之间的对准偏差，所述第二对准标记与所述第一对准标记之间的距离用于测量所述第二材料层与所述第一材料层之间的对准偏差。3.根据权利要求2所述的套刻标记，其特征在于，所述第三对准标记与所述第一对准标记之间的距离包括从第三对准标记中的一参照对象至该参照对象在第一对准标记中的对应参照对象之间的距离。4.根据权利要求2所述的套刻标记，其特征在于，所述第二对准标记与所述第一对准...

【专利技术属性】
技术研发人员：巫奉伦，夏忠平，王嘉鸿，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：