【技术实现步骤摘要】
套刻标记
[0001]本申请涉及半导体
，具体涉及一种套刻标记。
技术介绍
[0002]套刻工艺是半导体工艺中的重要工艺。套刻标记能够用于识别套刻工艺中的对准偏差，以在套刻工艺中依据对准偏差适应性调整相关工艺参数；可见，套刻标记能够为套刻工艺的质量提高重要保障。传统的套刻标记在发生旋转这一类运动时，容易产生测量偏差，使最终识别的对准偏差准确性低。
技术实现思路
[0003]鉴于此，本申请提供一种套刻标记，以解决传统套刻标记在发生旋转这一类运动时，容易产生测量偏差，使最终识别的对准偏差准确性低的问题。
[0004]本申请还提供一种套刻标记，包括多个材料层分别设置的对准标记，至少一个材料层上的对准标记呈圆状结构；任意两层材料层上分别设置的对准标记用于测量这两层材料层之间的对准偏差。
[0005]可选地，所述多个材料层包括第三材料层、第二材料层和第一材料层，所述第一材料层位于所述第二材料层表面，所述第二材料层位于所述第三材料层表面；所述第一材料层上设有第一对准标记，所述第二材料层上设有第二对准标记，所述第三材料层上设有第三对准标记；所述第三对准标记与所述第一对准标记之间的距离用于测量所述第三材料层与所述第一材料层之间的对准偏差，所述第二对准标记与所述第一对准标记之间的距离用于测量所述第二材料层与所述第一材料层之间的对准偏差。
[0006]可选地，所述第三对准标记与所述第一对准标记之间的距离包括从第三对准标记中的一参照对象至该参照对象在第一对准标记中的对应参照对象之间的距离。>[0007]可选地，所述第二对准标记与所述第一对准标记之间的距离包括从第二对准标记中的一参照对象至该参照对象在第一对准标记中的对应参照对象之间的距离。
[0008]可选地，所述参照对象的中心、所述参照对象所在对准标记的圆心、和所述第一对准标记的圆心在同一直线上。
[0009]可选地，所述第三对准标记、所述第二对准标记和所述第一对准标记分别包括位于对应圆状结构上的多个弧形段。
[0010]可选地，所述参照对象包括对应弧形段的中心点，所述参照对象的对应参照对象包括与所述参照对象所在弧形段相对应的弧形段的中心点。
[0011]可选地，各个材料层上的对准标记均呈圆状结构。
[0012]可选地，所述对准标记包括凹陷于对应材料层的凹槽结构。
[0013]可选地，所述对准标记包括凸出于对应材料层的凸柱结构。
[0014]可选地，所述圆状结构包括圆环和/或圆柱。
[0015]上述套刻标记中，至少一个材料层上的对准标记呈圆状结构，这样即便对应材料
层和/或对准标记发生旋转等转动，任意两层材料层上的对准标记之间的相对位置也不会发生变化，依据两层材料层上的对准标记测量得到的对准偏差能够在材料层和/或对准标记转动前后保持稳定，不会产生测量偏差，所得对准偏差具有较高的准确性，以此校准刻蚀过程中的偏差，有利于提高对应刻蚀工艺的精准度。
附图说明
[0016]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0017]图1为本申请一实施例中套刻标记的各材料层示意图；
[0018]图2为本申请一实施例中套刻标记的俯视图；
[0019]图3a、图3b和图3c为本申请一实施例中套刻标记的相关结构示意图；
[0020]图4为本申请一实施例中套刻标记的相关结构示意图；
[0021]图5a、图5b、图5c、图5d和图5e为本申请一实施例中套刻标记的相关结构示意图；
[0022]图6为本申请一实施例中对准偏差的测量方法流程示意图。
具体实施方式
[0023]下面结合附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而非全部实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。在不冲突的情况下，下述各个实施例及其技术特征可以相互组合。
[0024]本申请提供一种套刻标记，参考图1和图2所示，该套刻标记包括多个材料层分别设置的对准标记，例如参考图1所示，套刻标记包括第三材料层L1、第二材料层L2、
……
、第n
‑
1材料层Ln
‑
1和第n材料层Ln，共n个材料层，图2示出了各个材料层对应的对准标记，例如对准标记可以包括第三材料层L1对应的第一对准标记M1、第二材料层L2对应的第二对准标记M2、
……
、第n
‑
1材料层Ln
‑
1对应的第n
‑
1对准标记Mn
‑
1、第n材料层Ln对应的第n对准标记Mn。需要说明的是，图1、图2以及本申请后续提供的各个附图仅大致示意了对应结构，未完整地示出套刻标记的所有组件，也未等比地示出相关组件。
[0025]上述套刻标记中，至少一个材料层上的对准标记呈圆状结构，任意两层材料层上分别设置的对准标记用于测量这两层材料层之间的对准偏差，以根据对准偏差实时调整刻蚀位置，保证刻蚀工艺的精准性。
[0026]可选地，各个材料层上的对准标记均呈圆状结构各个材料层上的对准标记均呈圆状结构，这样在材料层和/或对准标记发生旋转等转动时，任意两层材料层上的对准标记之间的相对位置不会发生变化，依据两层材料层上的对准标记测量得到的对准偏差能够在材料层和/或对准标记转动前后保持稳定，准确性更高。可选地，各个圆状结构的圆心在同一直线上，或者说，各个圆状结构的圆心在水平面的投影在同一直线上。
[0027]其中，至少一个材料层上的对准标记呈圆状结构，在一个示例中，参考图1和图3a所示，套刻标记的各个对准标记可以为圆环结构。在另一个示例中，参考图3b所示，套刻标
记的对准标记也可以为圆柱结构等圆状结构，图3b仅示出了第三材料层L1及对应的第一对准标记M1，第二材料层L2及对应的第二对准标记M2。在另一个示例中，参考图3c所示，套刻标记的部分对准标记可以为圆柱结构，部分对准标记可以为方形等其他具有中心对称特征的结构。由于各个对准标记为圆状结构或者方形等其他具有中心对称特征的结构，这样即便材料层和/或对准标记发生旋转等转动，任意两层材料层上的对准标记之间的相对位置也不会发生变化，依据两层材料层上的对准标记测量得到的对准偏差能够在材料层和/或对准标记转动前后保持稳定，准确性更高。
[0028]可选地，第n材料层Ln可以包括硅基底，也可以包括导电层或者绝缘层等结构。第三材料层L1至第n
‑
1材料层Ln
‑
1分别可以包括半导体层(如多晶硅层)等结构。第一对准标记M1、第二对准标记M2、
……
、第n
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种套刻标记，其特征在于，包括多个材料层分别设置的对准标记，至少一个材料层上的对准标记呈圆状结构；任意两层材料层上分别设置的对准标记用于测量这两层材料层之间的对准偏差。2.根据权利要求1所述的套刻标记，其特征在于，所述多个材料层包括第三材料层、第二材料层和第一材料层，所述第一材料层位于所述第二材料层表面，所述第二材料层位于所述第三材料层表面；所述第一材料层上设有第一对准标记，所述第二材料层上设有第二对准标记，所述第三材料层上设有第三对准标记；所述第三对准标记与所述第一对准标记之间的距离用于测量所述第三材料层与所述第一材料层之间的对准偏差，所述第二对准标记与所述第一对准标记之间的距离用于测量所述第二材料层与所述第一材料层之间的对准偏差。3.根据权利要求2所述的套刻标记，其特征在于，所述第三对准标记与所述第一对准标记之间的距离包括从第三对准标记中的一参照对象至该参照对象在第一对准标记中的对应参照对象之间的距离。4.根据权利要求2所述的套刻标记，其特征在于，所述第二对准标记与所述第一对准...
【专利技术属性】
技术研发人员：巫奉伦，夏忠平，王嘉鸿，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：
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