本申请涉及碳化硅晶锭技术的领域,一种碳化硅晶体外圆滚圆快速定中心治具,包括冶具底座、调节机构、平台和V型块;调节机构安装在冶具底座上,包括左调节块、右调节块和固定底板,其中左调节块和右调节块上分别安装有左调节螺丝和右调节螺丝,且左调节块和右调节块均与固定底板滑动连接;固定底板的中心一体成型有螺丝调节块,且左调节螺丝和右调节螺丝均与螺丝调节块转动连接;平台的顶面为平面,平台的底部两侧设有与左调节块和右调节块的顶部贴合;平台的前后两端分别通过前调节螺丝和后调节螺丝与冶具底座固定连接,且平台顶部还安装有用于夹持V型块的定位块。本申请大大提高了晶锭定中心的效率。晶锭定中心的效率。晶锭定中心的效率。
【技术实现步骤摘要】
碳化硅晶体外圆滚圆快速定中心治具
[0001]本申请涉及碳化硅晶锭技术的领域,尤其是涉及一种碳化硅晶体外圆滚圆快速定中心治具。
技术介绍
[0002]碳化硅单晶是最重要的第三代半导体材料之一,因其具有禁带宽度大、饱和电子迁移率高、击穿场强大、热导率高等优异性质,而被广泛应用于电力电子、射频器件、光电子器件等领域。
[0003]中国专利CN215242022U,公开了一种蓝宝石晶圆棒滚圆用中心定位装置,涉及精密仪器元器件生产
本技术包括气压罩、安装板、固定板和滚圆架,其中气压罩与安装板、固定板和滚圆架均嵌套配合,滚圆架与安装板和固定板均滑动配合;气压罩包括环形罩,其内侧安装有伸缩气杆,伸缩气杆与滚圆架接触。本技术通过设置气压罩和滚圆架,将滚圆结构和中心定位结构安装于一体,大大节约了设备的空间占用;其中,通过在气压罩内侧安装伸缩气杆,利用伸缩气杆同步挤压滚圆架,确保滚圆架的工作中心位于设备的圆心,因而在实际滚圆操作时也能时刻保证晶圆棒位于中心位置。
[0004]针对上述中的相关技术,碳化硅理论密度是3.18g/cm3,其莫氏硬度仅次于金刚石,在9.2
‑
9.8之间,显微硬度3300kg/mm3,由于它具有高硬度、高耐磨性、高耐腐蚀性及较高的高温强度等特点,且长晶后未进行加工的晶锭表面不规则,所以长晶后的晶锭无法使用工具在表面钻中心孔距,导致每次在晶锭滚圆定中心时浪费很长时间。
技术实现思路
[0005]为了克服现有技术中存在的问题,本申请提供一种碳化硅晶体外圆滚圆快速定中心治具。
[0006]本申请提供的一种碳化硅晶体外圆滚圆快速定中心治具采用如下的技术方案:
[0007]一种碳化硅晶体外圆滚圆快速定中心治具,包括冶具底座、调节机构、平台和V型块;调节机构安装在冶具底座上,包括左调节块、右调节块和固定底板,其中左调节块和右调节块上分别安装有左调节螺丝和右调节螺丝,且左调节块和右调节块均与固定底板滑动连接;固定底板的中心一体成型有螺丝调节块,且左调节螺丝和右调节螺丝均与螺丝调节块转动连接;平台的顶面为平面,平台的底部两侧设有与左调节块和右调节块的顶部贴合;平台的前后两端分别通过前调节螺丝和后调节螺丝与冶具底座固定连接,且平台顶部还安装有用于夹持V型块的定位块。
[0008]通过采用上述技术方案,冶具的底座上安装调节机构,用来调节平台的左右端的高度,从而间接的对平台上的V型块进行调节,使得放置在V型块上的晶锭能够快速的定中心。其中调节机构通过左调节螺丝配合螺丝调节块进行转动调节左调节块在固定底板上进行移动,从而对放置在其上端的平台左侧高度的调节,同理,右调节块也进行同样的调节。平台的底部两侧设有与左调节块和右调节块贴合的斜面,能够通过左调节块和右调节块额
左右移动,实现平台左右两侧的升降。平台前后两端设置前调节螺丝和后调节螺丝能够对平台进行限位,并且平台顶部设置的定位块能够对V型块进行限制,避免在使用过程中发生滑动。
[0009]优选的,左调节块和右调节块的底部均设有滑动槽,且固定底板上设有与之对应的滑轨,且左调节块和右调节块的底面与固定底板的顶面之间设有间隙。
[0010]通过采用上述技术方案,左调节块和右调节块的底部通过滑槽与固定底板上滑轨配合工作,能够保证其自身左右移动的稳定,并且左调节块和右调节块底部设有的间歇,避免了灰尘杂质卡入影响左调节块和右调节块的调节。
[0011]优选的,左调节块上的左调节螺丝位于滑动槽之间,右调节块上的右调节螺丝设置有滑动槽之间,且左调节螺丝和右调节螺丝均转动连接在螺丝调节块的两端。
[0012]通过采用上述技术方案,左调节螺丝设置在左调节块的滑动槽之间,能够在通过左调节螺丝更好的调节其自身的移动,并且配合螺丝调节块,能够实现左调节块以及右调节块的稳定移动。
[0013]优选的,螺丝调节块的高度小于左调节块和右调节块顶面最低点的高度。
[0014]通过采用上述技术方案,螺丝调节块的高度低于左调节块和右调节块的高度,能够避免放置在左调节块和右调节块上的平台磕碰到螺丝调节块,有效的提高自身的升降范围。
[0015]优选的,左调节块和右调节块对称分布,其中平台底面与左调节块和右调节块贴合的部分的宽度均小于左调节块和右调节块的顶面。
[0016]通过采用上述技术方案,左调节块和右调节块上顶面小于与平台底面的接触面,能够让左调节块和右调节块在平台的底部移动从而调节平台的高度,左调节块和右调节块不易突出到平台之外,避免了对晶锭的磕碰损伤。
[0017]优选的,平台的长度大于左调节块和右调节块,且用于固定平台前后两端的前调节螺丝和后调节螺丝上套装有弹簧。
[0018]通过采用上述技术方案,平台长度大于左调节块和右调节块,平台的两端能够通过突出的部分与固定底座之间通过前调节螺丝和后调节螺丝进行固定,并且在前调节螺丝和后调节螺丝上套装弹簧,能够让平台进行上下运动,从而实现对V型块的调节。
[0019]优选的,平台顶部设有与弹簧对应的安装槽,弹簧的直径与安装槽适配。
[0020]通过采用上述技术方案,平台顶部开设有安装槽,用于放置弹簧,在平台的两侧进行升降的过程中,弹簧不易发生形变影响其弹性。
[0021]优选的,平台顶部的定位块包括固定块和活动调节块,活动调节块安装在平台顶部的槽体内,且活动块的端部安装有调节螺杆。
[0022]通过采用上述技术方案,平台顶部通过设置固定块和活动调节块对V型块进行限位,V型块一端抵接在固定块上,另一端通过调节螺杆调节活动块的位置,从而实现对不同尺寸的V型块的限位。
[0023]综上所述,本申请包括以下至少一种有益技术效果:
[0024]1.平台顶部的定位块包括固定块和活动调节块,实现对不同尺寸的V型块的限位;
[0025]2.平台的两端能够通过突出的部分与固定底座之间通过前调节螺丝和后调节螺丝进行固定,并且在前调节螺丝和后调节螺丝上套装弹簧,能够让平台进行上下运动,从而
实现对V型块的调节;
[0026]3.冶具的底座上安装调节机构,用来调节平台的左右端的高度,从而间接的对平台上的V型块进行调节,使得放置在V型块上的晶锭能够快速的定中心。
附图说明
[0027]图1是一种碳化硅晶体外圆滚圆快速定中心治具的左侧整体结构示意图;
[0028]图2是一种碳化硅晶体外圆滚圆快速定中心治具的右侧整体结构示意图。
[0029]附图标记说明:1、冶具底座;2、调节机构;21、左调节块;211、左调节螺丝;22、右调节块;221、右调节螺丝;23、固定底板;231、螺丝调节块;232、滑轨;24、滑动槽;3、平台;31、定位块;311、固定块;312、活动调节块;313、槽体;314、调节螺杆;32、前调节螺丝;33、后调节螺丝;34、弹簧;35、安装槽;4、V型块。
具体实施方式
[0030]以下结合附图1
‑
...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅晶体外圆滚圆快速定中心治具,其特征在于:包括冶具底座(1)、调节机构(2)、平台(3)和V型块(4);所述调节机构(2)安装在冶具底座(1)上,包括左调节块(21)、右调节块(22)和固定底板(23),其中左调节块(21)和右调节块(22)上分别安装有左调节螺丝(211)和右调节螺丝(221),且左调节块(21)和右调节块(22)均与固定底板(23)滑动连接;所述固定底板(23)的中心一体成型有螺丝调节块(231),且左调节螺丝(211)和右调节螺丝(221)均与螺丝调节块(231)转动连接;所述平台(3)的顶面为平面,平台(3)的底部两侧设有与左调节块(21)和右调节块(22)的顶部贴合;所述平台(3)的前后两端分别通过前调节螺丝(32)和后调节螺丝(33)与冶具底座(1)固定连接,且平台(3)顶部还安装有用于夹持V型块(4)的定位块(31)。2.根据权利要求1所述的碳化硅晶体外圆滚圆快速定中心治具,其特征在于:所述左调节块(21)和右调节块(22)的底部均设有滑动槽(24),且固定底板(23)上设有与之对应的滑轨(232),且左调节块(21)和右调节块(22)的底面与固定底板(23)的顶面之间设有间隙。3.根据权利要求2所述的碳化硅晶体外圆滚圆快速定中心治具,其特征在于:所述左调节块(21)上的左调节螺丝(211)位于滑动槽(24)之间,所述右调节块(...
【专利技术属性】
技术研发人员:冷松平,奚衍罡,卢东阳,王洁,
申请(专利权)人:南通罡丰科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。