新型闪存器件结构制造方法及闪存器件结构技术

本发明专利技术涉及一种新型闪存器件结构制造方法及闪存器件结构，通过在衬底上形成第一栅极材料层、第一栅极材料层上形成栅极绝缘膜以及形成包覆了第一栅极材料层和栅极绝缘膜的第二栅极材料层后，始终保持第二栅极材料层包覆住第一栅极层的各侧壁上，使原本的纵向结构变为横向结构，减少了工艺步骤的复杂性和制造成本，避免了传统纵向结构需要进行多次光刻和刻蚀以形成器件结构而导致制造成本增加的不足。蚀以形成器件结构而导致制造成本增加的不足。蚀以形成器件结构而导致制造成本增加的不足。

【技术实现步骤摘要】
新型闪存器件结构制造方法及闪存器件结构


[0001]本专利技术涉及闪存器件领域，尤其涉及一种新型闪存器件结构制造方法及闪存器件结构。

技术介绍

[0002]闪存器件是非易失性存储器，它是一种即使在关闭时仍然保留记录信息的设备。目前，闪存已经被用于计算机、数字音频播放器、数码相机、移动电话、合成器、视频游戏、科学仪器、工业机器人和医疗电子设备。
[0003]作为非易失性存储器，闪存具有快速读取访问时间，但不如静态RAM或ROM快。在便携式设备中，由于闪存具有抗机械冲击性的优点，它比硬盘更受欢迎。另外，在给定的芯片面积上，闪存比DRAM具有更大存储容量，闪存可以廉价制造。与其他类型的EEPROM不同，数百到数十千字节的数据可以同时擦除。
[0004]闪存器件的基本存储单元(Flash Memory Cell)是一种传统的类NMOS的双层浮栅，其基本单元如图1所示。在传统闪存器件结构中，在源极S和漏极D之间电流单向传导的半导体上形成贮存电子的浮栅，浮栅上下被绝缘层所包围，存储在浮栅里面的电子不会因为掉电而消失，所以闪存是非易失存储器。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.新型闪存器件结构制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1，在硅衬底上划分第一区域和第二区域，且在各区域所对应衬底的上方分别对应地图案化第一栅极材料层；步骤2，在第一栅极材料层的上方形成栅极绝缘膜；步骤3，在栅极绝缘膜的上方形成包覆衬底、第一栅极材料层以及该栅极绝缘膜的第二栅极材料层；其中，该第二栅极材料层包覆第一栅极材料层的侧壁以及栅极绝缘膜的侧壁；步骤4，刻蚀第二栅极材料层，以暴露出衬底和栅极绝缘膜，且令第一栅极材料层的每个侧壁被部分第二栅极材料层包覆；步骤5，分别刻蚀栅极绝缘膜和第一栅极材料层，以形成多个栅极结构，且由该多个栅极结构经包括源漏注入操作的处理工艺形成多个晶体管；其中，第一栅极材料层的每个侧壁保持被部分第二栅极材料层包覆；步骤6，对所得多个晶体管执行闪存器后端工艺，得到新型闪存器件结构。2.根据权利要求1所述的新型闪存器件结构制造方法，其特征在于，在步骤5中，分别刻蚀栅极绝缘膜和第一栅极材料层以形成多个栅极结构的过程包括如下步骤：在衬底上形成保护层；刻蚀光刻胶和保护层；分别刻蚀栅极绝缘膜和第一栅极材料层；以及，在刻蚀完毕栅极绝缘膜和第一栅极材料层之后，移除光致抗蚀剂和保护层，从而形成得到多个栅极结构。3.根据权利要求1所述的新型闪存器件结构制造方法，其特征在于，还包括：在所述衬底的第一区域中掩蔽栅极绝缘膜、第一栅极材料层和第二栅极材料层；在所述衬底的第二区域中刻蚀...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈一宁，郭庞，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：