一种晶片切割供液系统及供液方法技术方案

本发明专利技术提供一种晶片切割供液系统及供液方法，属于切割液处理技术领域，其中，晶片切割供液系统包括：切片结构；供液结构，所述供液结构的供液端通过过滤结构与所述切片结构的进液端相连通，所述切片结构的排液端与所述供液结构的集液端相连通；调节系统，设置于所述供液结构的下游，所述调节系统适于接收所述供液结构的排放端排放的含粉冷却液，并对含粉冷却液过滤及调配后，由所述供液结构的回流端返回所述供液结构。本发明专利技术提供的一种晶片切割供液系统，能够保证供液结构内的冷却液具有较低的晶粉浓度，并且降低了对切片结构以及切割后的晶片的清洗难度，节约时间和成本。节约时间和成本。节约时间和成本。

【技术实现步骤摘要】
一种晶片切割供液系统及供液方法


[0001]本专利技术涉及切割液处理
，具体涉及一种晶片切割供液系统及供液方法。

技术介绍

[0002]随着光伏太阳能市场的发展变化，太阳能电池不断地向高效率低成本发展，单晶硅作为适合的半导体材料，在光伏太阳能发电行业有广泛的应用。当前光伏行业，采用金刚线技术进行硅片切割，切割过程中使用水溶性冷却液进行排渣与降温，现有的冷却液供液方式通常为离线切割和大循环供液两种方式。具体的，离线切割是指在切片机的供液缸中，按一定比例配置冷却液溶液，切割过程中溶液在供液缸内循环使用，切割完成后废弃，进行污水处理；大循环供液是指通过外置配液罐配置好冷却液溶液，通过泵抽送一定量的溶液至切片机的供液缸，切割过程中溶液在供液缸内循环使用，切割完成后的废液排放至收集池，再通过泵抽送至压滤设备并在压滤后进入配液罐，进行PH、浓度调节，重复使用。
[0003]以上两种供液方式均为冷却液在切片机的供液缸内循环使用，也即采用切片机供液内循环模式。随着切割的进行，供液缸内硅粉浓度逐步升高，在切割过程中，部分硅粉会在切片机供液缸或切片机其他零部件内形成固化沉淀，造成切割过程中跳线、断线，同时每次切割完毕需使用一定时间进行冲洗，并且每隔一定切割刀次需要进行一次彻底清洗，浪费时间，影响切割效率。并且，由于冷却液中硅粉的浓度较高，冷却液在使用过程中冷却液中的硅粉会附着在硅片表面，因此，在硅片清洗工序需延长喷淋冲洗时间、以及增加化学清洗药剂用量进行清洗，造成水资源的浪费及成本增加。

技术实现思路

[0004]因此，本专利技术要解决的技术问题在于克服现有技术中晶片切割过程中冷却液晶粉浓度高，造成时间与成本浪费的缺陷，从而提供一种晶片切割供液系统及供液方法。
[0005]为了解决上述问题，本专利技术提供了一种晶片切割供液系统，包括：切片结构；供液结构，所述供液结构的供液端通过过滤结构与所述切片结构的进液端相连通，所述切片结构的排液端与所述供液结构的集液端相连通；调节系统，设置于所述供液结构的下游，所述调节系统适于接收所述供液结构的排放端排放的含粉冷却液，并对含粉冷却液过滤及调配后，由所述供液结构的回流端返回所述供液结构。
[0006]可选地，所述调节系统包括压滤结构，所述压滤结构位于所述供液结构的下游，所述压滤结构适于对所述供液结构排放的含粉冷却液进行压滤。
[0007]可选地，所述调节系统还包括调配结构，所述调配结构位于所述压滤结构的下游，所述调配结构适于将压滤后的冷却液调配形成初始冷却液。
[0008]可选地，所述调节系统还包括废液罐，所述废液罐的进液端与所述供液结构的排放端相连通，所述废液罐的排液端与所述压滤结构相连通。
[0009]可选地，所述调节系统还包括中转罐，所述中转罐的进液端与所述压滤结构相连通，所述中转罐的排液端与所述调配结构相连通。
[0010]可选地，所述调节系统还包括成品罐，所述成品罐的进液端与所述调配结构相连通，所述成品罐的排液端与所述供液结构的回流端相连通。
[0011]本专利技术还提供了一种晶片切割供液方法，包括：在切片结构切割过程中，供液结构内的冷却液经过滤结构过滤后通入至切片结构，使用后的含粉冷却液由切片结构重新返回至供液结构内，通过供液结构为切片结构循环供液；供液结构内的含粉冷却液排放至调节系统，通过调节系统对含粉冷却液进行过滤和调配形成初始冷却液，并重新通入至供液结构内。
[0012]可选地，含粉冷却液排放至调节系统的流量与初始冷却液重新通入至供液结构的流量相同。
[0013]可选地，供液结构内的含粉冷却液经过压滤结构进行压滤，压滤后的冷却液容量保留至原有含粉冷却液容量的80％
‑
90％。
[0014]可选地，压滤后的冷却液通入调配结构内，在调配结构内补入冷却液原液和去离子水，使调配后的冷却液的PH值范围为5.5
‑
7，电导率小于20us/cm，冷却液浓度范围为1.2％
‑
1.8％。
[0015]本专利技术具有以下优点：
[0016]1.本专利技术提供的一种晶片切割供液系统，在切片结构切割晶片过程中，使用供液结构为切片结构提供冷却液，使用完成的冷却液再流回至供液结构，并且，使用调节系统将供液结构内使用后的冷却液引出并进行调配，再将调配后的冷却液重新通入供液结构以供切割过程使用，因此，能够保证供液结构内的冷却液具有较低的晶粉粉末浓度，并且降低了对切片结构以及切割后的晶片的清洗难度，节约时间和成本。
[0017]2.本专利技术提供的一种晶片切割供液系统，利用压滤结构对含粉冷却液进行压滤，能够去除含粉冷却液中的晶粉粉末，并将部分污水引出，以为后续冷却液的调配做好准备。
[0018]3.本专利技术提供的一种晶片切割供液系统，通过调配结构在压滤后的冷却液内补入冷却液原液和去离子水，以将冷却液调配至初始状态，保证冷却液处于适当的使用状态。
[0019]4.本专利技术提供的一种晶片切割供液系统，通过设置废液罐、中转罐以及成品罐，以对各个部件的工作效率进行调节，保证系统使用的顺畅性。
附图说明
[0020]为了更清楚地说明本专利技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0021]图1示出了本专利技术的实施例1提供的晶片切割供液系统的连接结构示意图；
[0022]图2示出了本专利技术的实施例1提供的晶片切割供液系统的整体结构示意图。
[0023]附图标记说明：
[0024]10、切片结构；11、排液阀门；20、供液结构；21、供液端；22、集液端；23、排放端；24、回流端；30、过滤结构；40、调节系统；41、压滤结构；411、压滤供液泵；42、调配结构；421、调配供液泵；43、废液罐；431、废液回收泵；44、中转罐；441、中转供液泵；45、成品罐；451、成品供液泵；50、电磁阀；60、原液储存罐；70、去离子水储存罐；80、污水处理站。
具体实施方式
[0025]下面将结合附图对本专利技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0026]在本专利技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶片切割供液系统，其特征在于，包括：切片结构(10)；供液结构(20)，所述供液结构(20)的供液端(21)通过过滤结构(30)与所述切片结构(10)的进液端相连通，所述切片结构(10)的排液端与所述供液结构(20)的集液端(22)相连通；调节系统(40)，设置于所述供液结构(20)的下游，所述调节系统(40)适于接收所述供液结构(20)的排放端(23)排放的含粉冷却液，并对含粉冷却液过滤及调配后，由所述供液结构(20)的回流端(24)返回所述供液结构(20)。2.根据权利要求1所述的晶片切割供液系统，其特征在于，所述调节系统(40)包括压滤结构(41)，所述压滤结构(41)位于所述供液结构(20)的下游，所述压滤结构(41)适于对所述供液结构(20)排放的含粉冷却液进行压滤。3.根据权利要求2所述的晶片切割供液系统，其特征在于，所述调节系统(40)还包括调配结构(42)，所述调配结构(42)位于所述压滤结构(41)的下游，所述调配结构(42)适于将压滤后的冷却液调配形成初始冷却液。4.根据权利要求2或3所述的晶片切割供液系统，其特征在于，所述调节系统(40)还包括废液罐(43)，所述废液罐(43)的进液端与所述供液结构(20)的排放端(23)相连通，所述废液罐(43)的排液端与所述压滤结构(41)相连通。5.根据权利要求3所述的晶片切割供液系统，其特征在于，所述调节系统(40)还包括中转罐(44)，所述中转罐(44)的进液端与所述压滤结构(41)相连通，所述中转罐(44)的排液端与所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：三一硅能株洲有限公司，
类型：发明
国别省市：