一种晶片切割供液系统及供液方法技术方案

本发明专利技术提供一种晶片切割供液系统及供液方法，属于切割液处理技术领域，其中，晶片切割供液系统包括：切片结构；供液结构，所述供液结构的供液端通过过滤结构与所述切片结构的进液端相连通，所述切片结构的排液端与所述供液结构的集液端相连通；调节系统，设置于所述供液结构的下游，所述调节系统适于接收所述供液结构的排放端排放的含粉冷却液，并对含粉冷却液过滤及调配后，由所述供液结构的回流端返回所述供液结构。本发明专利技术提供的一种晶片切割供液系统，能够保证供液结构内的冷却液具有较低的晶粉浓度，并且降低了对切片结构以及切割后的晶片的清洗难度，节约时间和成本。节约时间和成本。节约时间和成本。

【技术实现步骤摘要】
一种晶片切割供液系统及供液方法


[0001]本专利技术涉及切割液处理
，具体涉及一种晶片切割供液系统及供液方法。

技术介绍

[0002]随着光伏太阳能市场的发展变化，太阳能电池不断地向高效率低成本发展，单晶硅作为适合的半导体材料，在光伏太阳能发电行业有广泛的应用。当前光伏行业，采用金刚线技术进行硅片切割，切割过程中使用水溶性冷却液进行排渣与降温，现有的冷却液供液方式通常为离线切割和大循环供液两种方式。具体的，离线切割是指在切片机的供液缸中，按一定比例配置冷却液溶液，切割过程中溶液在供液缸内循环使用，切割完成后废弃，进行污水处理；大循环供液是指通过外置配液罐配置好冷却液溶液，通过泵抽送一定量的溶液至切片机的供液缸，切割过程中溶液在供液缸内循环使用，切割完成后的废液排放至收集池，再通过泵抽送至压滤设备并在压滤后进入配液罐，进行PH、浓度调节，重复使用。
[0003]以上两种供液方式均为冷却液在切片机的供液缸内循环使用，也即采用切片机供液内循环模式。随着切割的进行，供液缸内硅粉浓度逐步升高，在切割过程中，部分硅粉会在切片机供液缸或切片机本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶片切割供液系统，其特征在于，包括：切片结构(10)；供液结构(20)，所述供液结构(20)的供液端(21)通过过滤结构(30)与所述切片结构(10)的进液端相连通，所述切片结构(10)的排液端与所述供液结构(20)的集液端(22)相连通；调节系统(40)，设置于所述供液结构(20)的下游，所述调节系统(40)适于接收所述供液结构(20)的排放端(23)排放的含粉冷却液，并对含粉冷却液过滤及调配后，由所述供液结构(20)的回流端(24)返回所述供液结构(20)。2.根据权利要求1所述的晶片切割供液系统，其特征在于，所述调节系统(40)包括压滤结构(41)，所述压滤结构(41)位于所述供液结构(20)的下游，所述压滤结构(41)适于对所述供液结构(20)排放的含粉冷却液进行压滤。3.根据权利要求2所述的晶片切割供液系统，其特征在于，所述调节系统(40)还包括调配结构(42)，所述调配结构(42)位于所述压滤结构(41)的下游，所述调配结构(42)适于将压滤后的冷却液调配形成初始冷却液。4.根据权利要求2或3所述的晶片切割供液系统，其特征在于，所述调节系统(40)还包括废液罐(43)，所述废液罐(43)的进液端与所述供液结构(20)的排放端(23)相连通，所述废液罐(43)的排液端与所述压滤结构(41)相连通。5.根据权利要求3所述的晶片切割供液系统，其特征在于，所述调节系统(40)还包括中转罐(44)，所述中转罐(44)的进液端与所述压滤结构(41)相连通，所述中转罐(44)的排液端与所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：三一硅能株洲有限公司，
类型：发明
国别省市：