【技术实现步骤摘要】
晶圆打磨设备
[0001]本技术涉及晶圆打磨
,具体是晶圆打磨设备。
技术介绍
[0002]晶圆是制造半导体芯片的基本材料,在对晶圆进行精确切割之前,需要对晶圆进行减薄,即对晶圆的两个面进行打磨,使之厚度控制在一定的范围,从而实现在晶圆的应用中便于散热和减小空间的占用。
[0003]目前市面上通常采用晶圆双面打磨设备对晶圆进行双面打磨抛光,但在其加工之前需要对晶圆的边缘进行打磨加工,两个加工环节难以高效的进行衔接,使得晶圆的加工效率较低,且双面打磨设备在双面打磨抛光的过程中,晶圆主要依靠上下磨盘的相对旋转来进行打磨,这使得晶圆的打磨效率不够高,针对上述情况,我们推出了晶圆打磨设备。
技术实现思路
[0004]本技术的目的在于提供晶圆打磨设备,以解决上述
技术介绍
中提出双面打磨和边缘打磨无法高效衔接,晶圆打磨效率较低的问题。
[0005]本技术的技术方案是:
[0006]包括边缘打磨机构和双面打磨机构,所述边缘打磨机构包括第一底座,所述第一底座内部固定设置有驱动电机,所述驱动电机的输出端 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.晶圆打磨设备,其特征在于:包括边缘打磨机构和双面打磨机构,所述边缘打磨机构包括第一底座(9),所述第一底座(9)内部固定设置有驱动电机,所述驱动电机的输出端固定连接有旋转架(10),所述旋转架(10)上端外壁固定设置有第二液压杆(11),所述第二液压杆(11)的伸缩端固定连接有第一气缸(12),所述第一气缸(12)的伸缩端固定连接有第一真空吸盘(13),所述第一真空吸盘(13)下方放置有第二底座,所述第二底座上表面设置有转盘(14),所述转盘(14)上表面设置有第二真空吸盘(15),所述第二真空吸盘(15)上表面吸附有晶圆(16),所述第二底座右方支撑架(17),所述支撑架(17)上端固定设置有第二气缸(18),所述第二气缸(18)的伸缩端固定设置有旋转头(19),所述旋转头(19)的输出端固定连接有打磨头(20),所述双面打磨机构设置于第一底座(9)左方。2.根据权利要求1所述的晶圆打磨设备,其特征在于:所述打磨...
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