用于电路板或电池电极的卷绕式铜膜真空镀膜设备制造技术

本发明专利技术实施例公开了一种用于电路板或电池电极的卷绕式铜膜真空镀膜设备，至少包括依次设置的放卷室、工艺室、及收卷室；工艺室至少包括：表面活化工艺室，用于对输送而来的柔性PI基材进行二次烘烤，并通过离子源对柔性PI基材进行材料表面活化处理；改性工艺室，用于通过金属源注入Cu离子，使经表面活化处理的柔性PI基材表面，形成由Cu离子和PI材料表面原子或分子相结合的改性嵌入层；弧靶离子镀膜工艺室，用于通过弧源离子源注入Cu离子，使改性嵌入层上形成Cu过渡层；以及磁控溅射镀膜工艺室，用于通过磁控溅射源以直流溅射的方式在Cu过渡层上形成Cu功能层。本发明专利技术实施例，经工艺室真空镀膜制成的铜膜，其表面附着力满足大于0.7N/mm的要求。0.7N/mm的要求。0.7N/mm的要求。

【技术实现步骤摘要】
用于电路板或电池电极的卷绕式铜膜真空镀膜设备

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[0001]本专利技术涉及一种镀膜设备，尤其是一种真空环境下在柔性PI基材上镀铜膜的设备。

技术介绍
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[0002]随着科技发展，特别是柔性电路板技术以及锂电池技术的发展，对电池电极和电路板的轻薄柔性化需求越来越高。PI材料具有良好的耐温耐腐蚀的化学稳定性以及优越的机械稳定性，是作为铜膜基材的最佳选择。
[0003]但是，由于PI基材上CU的附着力比较差，一般采用其他过渡金属打底的方式，即使如此，附着力也只能达到0.4N/mm，与附着力在0.7N/mm以上的要求差距比较大。

技术实现思路
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[0004]为克服现有PI基材上CU的附着力比较差的问题，本专利技术实施例提供了一种用于电路板或电池电极的卷绕式铜膜真空镀膜设备。
[0005]一种用于电路板或电池电极的卷绕式铜膜真空镀膜设备，至少包括依次设置的放卷室、工艺室、及收卷室；放卷室用于通过加热器对柔性PI基材进行一次烘烤并通过放卷辊将柔性PI基材放卷向前输送，收卷室用于通过收卷辊对生成Cu功能层的铜膜进行卷收处理；工本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于电路板或电池电极的卷绕式铜膜真空镀膜设备，至少包括依次设置的放卷室、工艺室、及收卷室；放卷室用于通过加热器对柔性PI基材进行一次烘烤并通过放卷辊将柔性PI基材放卷向前输送，收卷室用于通过收卷辊对生成Cu功能层的铜膜进行卷收处理；其特征在于，工艺室至少包括：表面活化工艺室，用于对输送而来的柔性PI基材进行二次烘烤，并通过离子源对柔性PI基材进行材料表面活化处理；改性工艺室，用于通过金属源注入Cu离子，使经表面活化处理的柔性PI基材表面，形成由Cu离子和PI材料表面原子或分子相结合的改性嵌入层；弧靶离子镀膜工艺室，用于通过弧源离子源注入Cu离子，使改性嵌入层上形成Cu过渡层；以及磁控溅射镀膜工艺室，用于通过磁控溅射源以直流溅射的方式在Cu过渡层上形成Cu功能层。2.如权利要求1所述的用于电路板或电池电极的卷绕式铜膜真空镀膜设备，其特征在于，弧靶离子镀膜工艺室的弧源离子源包括第一弧源离子源和第二弧源离子源，其中，第一弧源离子源位于弧靶离子镀膜工艺室左侧偏上位置，并用于在柔性PI基材正面的改性嵌入层上形成Cu过渡层；而第二弧源离子源位于弧靶离子镀膜工艺室右侧偏下位置，并用于在柔性PI基材背面的改性嵌入层上形成Cu过渡层。3.如权利要求2所述的用于电路板或电池电极的卷绕式铜膜真空镀膜设备，其特征在于，弧靶离子镀膜工艺室内靠近第一弧源离子源处设有上下设置的第一冷却辊和第二冷却辊，第一冷却辊和第二冷却辊之间设有第一纵向冷却板，该第一纵向冷却板与第一弧源离子源相对，并用于对柔性PI基材的背面进行冷却处理；弧靶离子镀膜工艺室内靠近第二弧源离子源处设有上下设置的第三冷却辊和第四冷却辊，第三冷却辊和第四冷却辊之间设有第二纵向冷却板，该第二纵向冷却板与第二弧源离子源相对，并用于对柔性PI基材的正面进行冷却处理。4.如权利要求3所述的用于电路板或电池电极的卷绕式铜膜真空镀膜设备，其特征在于，磁控溅射镀膜工艺室的磁控溅射源包括第一磁控溅射源、第二磁控溅射源、第三磁控溅射源和第四磁控溅射源，其中，第一磁控溅射源和第二磁控溅射源位于磁控溅射镀膜工艺室左侧，用于在柔性PI基材背面的Cu过渡层上形成Cu功能层；第三磁控溅射源和第四磁控溅射源位于磁控溅射镀膜工艺室右侧，用于在柔性PI基材正面的Cu过渡层上形成Cu功能层。5.如权利要求4所述的用于电路板或电池电极的卷绕式铜膜真空镀膜设备，其特征在于，磁控溅射镀膜工艺室内靠近第一磁控溅射源和第二磁控溅射源的右侧设有上下设置...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜翠宁，李小彭，李仕军，高文波，李星，
申请(专利权)人：浙江生波智能装备有限公司，
类型：发明
国别省市：